KR830001898B1 - 전류원 트랜지스터 제어용 회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

전류원 트랜지스터 제어용 회로

제1도는 본 발명 회로의 일부도.

제2도는 본 발명에 의한 회로를 사용하는 푸쉬풀 출력단 회로의 출력단 트랜지스터에 의하여 어떻게 콜렉터 영입력 전류(Collector quiescent current)가 영향을받을 수 있는가를 상세하게 보여주는 도면.

본 발명은 전류원 트랜지스터 제어용 회로에 관한 것이다. 온도보상 트랜지스터 전류 발생용으로 많은 회로가 공지되어 있다. 온도는 예를들면 트랜지스터와 동일한 온도 특성을 가진 순방향으로 동작하는 다이오드 경로에서, 일정한 전류를 통과시키는 트랜지스터의 베이스-에미터 경로에 바이어스 전압을 인가시키므로써 보상시킨다.

그러나, 트랜지스터를 통과하는 전류가 직류공급 전압의 크기에 무관하다는 것은 이러한 온도보상으로부터 절대적으로 확실한 것은 아니다. 그것은 전류원이 무한히 큰 저항치를 갖지 않기 때문이고 또 트랜지스터를 횡단하는 클렉터 에미터 전압이 증가(이는 예를들면 직류공급 전압)에서의 증가에 의하여 발생된다)할때에 이 트랜지스터를 통과하는 콜렉터 전류가 성분에 대하여 독특한 전류 전압 특성으로 인하여 증가하기 때문이다. 푸쉬카 출력단에서 이는, 예를들면 콜렉터 영입력 전류가 온도 안정회로의 보조로 발생된다고 할지라도 동작전압이 증가할 때에 콜렉터 영입력 전류가 출력단 트랜지스터를 통해서도 상승됨을 의미한다. 푸쉬풀 출력단의 출력단 트랜지스터를 통과하는 영입력 콜렉터 전류에서의 이러한 바람직하지 않은 증가는 동작 전압이 상승할 때에 출력단 트랜지스터 자체의 파괴를 유발시킬 수 있다.

본 발명은 전류원 트랜지스터를 통하는 전류를 직류 공급 전압의 함수로서 제어할 수 있는 회로를 제공하고저 한다.

그리하여, 트랜지스터 전류를 일정하게 유지시키거나 직류공급 전압이 상승하기 시작할 때에 더욱 감소되도록 한다.

본 발명에 의해, 또 다른 전류원을 직류공급 전압에 연결시켜서 한 성분에 전류를 공급하며, 전류원 트랜지스터용 제어전압을 이 성분을 가로질러서 강하시키고, 공급전압에 따라서 조절 가능한 저항을 상기 성분에 병렬로 연결시킨, 직류 공급전압의 함수로서 전류원 트랜지스터를 제어하기 위한 회로를 제공한다.

적합하게는 트랜지스터인 조절가능 저항용 제어전압은 공급전압원의 전극사이에 연결한 분압기에서 분압시킬 수 있다. 전류를 절약하기 위해, 이 분압기는 동시에 추가적인 전류원의 직렬저항을 형성할 수 있는 전류원 트랜지스터 또는 전류원 트랜지스터들을 위한 제어전압을 강하시키는 성분으로서는, 전류원 트랜지스터의 베이스-에미터 경로에 병렬로 연결되고 전류원 트랜지스터들과 동일한(온도 특성을 갖는 반도체 다이오드를 동시에 트랜지스터 전류의 온도보상을 성취시키도록 하여 사용할 수 있다. 제2 전류원의 직렬저항은 이미 언급한 분압기로 구성시킬 수 있으며 트랜지스터의 베이스를 이 분압기의 탭에 연결시킬 수 있다.

이 트랜지스터는 전류원 트랜지스터를 제어하여 조절 가능한 저항 작용을 하는 다이오드와 병렬로 연결시킬 수 있다.

상기 회로는, 전류원 트랜지스터를 통하는 전류 또는, 필요한 경우에는 다수의 전류원 트랜지스터를 통하는 전류를 직류공급 전압이 변하거나 과보상을 위하여 약간 감소될 때에도 일정하게 유지시키도록 크기를 정하는 것이 적합하다. 이러한 회로를 사용하여 특히 전류를 제어하여 푸쉬풀 출력단 회로에서 출력단 회로에서 트랜지스터의 베이스 에미터 경로에 대한 초기 전압을 발생시키도록 한다.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제1도에서 2개의 전류원 트랜지스터 T₁및 T₂를 도시하였는데, 이들은 트랜지스터의 콜렉터 회로에 위치한 부하 V₁또는 V₂에 전류를 공급한다. 이 전류원들은 직류 전압원에 연결시킨다. 트랜지스터 T₁및 T₂의 베이스-에미터간 초기 전압은 다이오드 D₀에서 얻어진다. 이 다이오드는 예를들면 트랜지스터 T₇및 T₈을 포함하는 다른 정전류원을 통하여 그 전류를 흐르게 한다. 그리하여 트랜지스터 T₇의 콜렉터-베이스 경로로 트랜지스터의 베이스-에미터 경로와 병렬로 연결시킨다. 양 트랜지스터는 각각 에미터 저항 R₆또는 R₇을 갖는다. 트랜지스터 T₇의 콜렉터 전극에 위치한 직렬 저항은 분압기 R₃, R₄로 구성시킨다. 한 트랜지스터의 베이스 전극을 저항 R₃및 R₄사이의 접속점에서 이 분압기에 연결시킨다. 이 트랜지스터 T₆는 그 에미터 저항 R₅와 함께 다이오드 D₀에 병렬로 연결된다. 도시한 예에서는, 트랜지스터 T₁,T₂및 T₆가 PNP형 트랜지스터인 반면 트랜지스터 T₇및 T₈은 NPN형 트랜지스터이다. 일정한 직류공급전압 U₈에 의하여, 온도 안정 정전류가 트랜지스터 T₁및 T₂를 통하여 흐른다. 그 온도 특성이 트랜지스터 T₁및 T₂의 온도 특성과 일치해야 하는 다이오드 D₀는 온도 안정을 확실하게 한다.

그러나, 직류공급전압이 변하면, 트랜지스터의 온도 특성때문에 또 전류원 회로의 내부저항(이 내부 저항은 무한히 크지는 않다)때문에 전류 I₁, 또는 I₂가 각각 변한다. 트랜지스터 T₁및 T₂에서 U_CE가 증가할때, 전류 I_C가 통상 증가한다. 이 회로에서, 분압기 R₃, R₄를 통하는 전류는 직류 공급전압 U_B에 거의 비례한다. 직류 공급전압이 증가하면 저항 R₃를 가로지르는 전압강하도 증가한다. 그 결과, 트랜지스터 T₆는 그 도전상태로 점차 제어된다. 그리하여, 전류가 다이오드 D₀로 부터 흘러서, 이 다이오드를 가로지르는 전압강하는 갑소되고 따라서 전류원 트랜지스터 T₁및 T₂는 더 낮은 콜렉터 전류를 갖도록 제어된다. 회로부재 A는 직류공급전압 U_B가 증가할 때에 트랜지스터 T₁및 T₂를 통하는 전류 I₁및 I₂를 일정하게 유지시키도록 크기를 정할 수 있다. 과보상은 또한 값의 전당한 선택으로 달성될 수 있다. 즉, 직류공급 전압이 더욱 증가할 때에 트랜지스터를 통하는 전류 I₁및 I₂를 감소되도록 할 수 있다.

제2도에 의한 회로로부터, 본 발명에 의한 안정회로를 사용하는 또 다른 유리한 방법을 볼 수 있다.

안정회로 A를 푸쉬풀 B급 출력단에 연결시킨다.

가능한한 낮은 콜렉터 영입력 전류가 출력단 트랜지스터 T₁₁및 T₁₂를 통하여 흐르도록 한다. 상기 콜렉터 영입력 전류는 온도 또는 직류 공급 전압 U_B에 무관하다. 이미 언급한 바와 같이 온도에 대한 보상은 순방향으로 동작하는 다이오드 경로에서 초기 전압을 취하므로써 달성된다. 이러한 다이오는 경로는 트랜지스터와 동일한 온도 특성을 갖는다.

제2도에 의한 회로는 트랜지스터 T₁및 T₂를 갖는데, 이들은 제1도에 의한 회로의 것과 비교된다. 다이오드 D₁과, 그 베이스를 저주파 신호에 의하여 제어시키는 트랜지스터 T₅를 트랜지스터의 T₁의 콜렉터 경로에 위치시킨다. 트랜지스터 1₅의 콜렉터에서 끌어낸 신호는 그 콜렉터 경로에서 저항 R₁을 갖는 트랜지스터 T₃의 베이스로 통과시키고, 종단 트랜지스터 T₁₂를 한위 베이스-에미터 초기 전압은 저항 R₁을 가로질러서 강하시킨다. 다른 트랜지스터 T₄의 에미터를 트랜지스터 T₃의 에미터에 연결시키고 그 콜렉터를 직류전압원에 연결시킨다. 트랜지스터 T₄의 베이스 전극에는, 2개의 출력단 트랜지스터 T₁₁및 T₁₂의 중간 접속점에 연결시킨 다이오드 D₂및 D₃를 배치한다. 또한, 전류 I₂가 흐르는 트랜지스터 T₂의 콜렉터를 트랜지스터 T₄의 베이스 전극에 연결시킨다. 다이오드 D₄, 콜렉터 저항 R₂를 가진 트랜지스터 T₉및 트랜지스터 T₁₀을 포함하는 회로는 트랜지스터 T₁₁을 제어하는 작용을 한다. 따라서, 다이오드 D₄는 트랜지스터 T₉의 베이스-에미터간 전압을 결정시키고, 출력단 트랜지스터 T₁₁의 베이스-에미터간 초기 전압은 트랜지스터 T₉의 콜렉터 저항 R₂를 가로질러서 강하된다. 다이오드 D₄와 직렬로 연결시킨 트랜지스터 T₁₀은 베이스에서 다이오드 D₁에 의하여 제어트랜지스터 T₃및 T₄는 보충적인 트랜지스터들이다.

트랜지스터 T₁, T₂, T₆, T₉및 T₃은 예를들면 PNP형 트랜지스터인 반면, 트랜지스터 T₄,T₅,T₆,T₇,T₈,T₉,T₁₀,T₁₁및 T₁₂는 NPN형 트랜지스터이다. 회로는 도전성이 각각 반대로 된 형태의 트랜지스터로 구성시킬 수도 있다. 다이오드 D₁,D₂및 D₃는 순방향으로 동작하고 트랜지스터 T₃,T₄및 T₁₀을 위한 초기전압을 발생시키는 작용을 한다. 이들 다이오드를 위한 전류는 전류원 I₁및 I₂로 부터 얻는다.

다이오드 D₁내지 D₃와 트랜지스터 T₃,T₄및 T₁₀의 베이스-에미터 경로는 폐회로를 형성한다. 이 회로내의 전압강하는 0이 된다. 오직 수 mA의 낮은 콜랙터 영입력 전류를 설정시키기 위해 실제의 푸쉬풀 B급 출력단 트랜지스터 T₁₁및 T₁₂용 베이스-에미터간 초기 전압은 저항 R₁및 R₂를 가로질러서 형성시킨다. 이 전압들은 회로에서 사용한 다이오드들이 트랜지스터와 동일한 온도 특성을 갖게 때문에 온도에 대하여 안정하다. 이미 언급한 방법에 있어서, 출력단 트랜지스터 T₁₁및 T₁₂를 통하는 콜렉터 영입력 전류는 또한 회로부재 A의 보조로 직류 공급전압 U_B의 크기에 무관하게 된다.

Claims (1)

1. 전류원 트랜지스터를 직류 공급 전압에 따라서 제어하기 위한 것으로서, 그 직류공급전압에 전류원을 하나 더 연결시킴과 아울러 이 부수적인 전류원에 따라서 전류를 통과시키는 다이오드를 상기한 전류원 트랜지스터에 제어전압을 가할 수 있게끔 연결시키는 한편, 그 전류원 트랜지스터로 흐르는 전류를 상기한 다이오드와 병열연결 상태로 존재하게 되는 직류공급 전압의 변화에 따라서 안정한 상태로 제어 유지시키는 작용을 하는 저항기를 설치하여 구성한 전류원 트랜지스터 제어용 회로.

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