KR940006603Y1 - 멀티레벨 기준 전압 회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

멀티레벨 기준 전압 회로
제1도는 종래의 멀티레벨 기준 전압 회로도.
제2도는 본 고안에 따른 멀티레벨 기준 전압 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
A : 바이어스 회로 Q1~Q3: NPN 바이폴라 트랜지스터
Q10~Q16: 모오스 트랜지스터 RL,R7R1~R3: 저항
본 고안은 기준 전압 발생 회로에 관한것으로 특히 바이폴라 트랜지스터의 일정한 베이스-에미터 전압과 저항비를 이용하여 멀티레벨의 기준 전압 발생에 적당하도록한 멀티 레벨 기준 전압 회로에 관한 것이다.
종래 멀티레벨 기준 전압 회로는 제1도에서 보는 바와 같이 VDD단을 드레인 및 게이트로 하고 노드1을 소오스로 하는 모오스트랜지스터(Q4)와 노드1을 드레인 및 게이트로 하고 노드 2를 소오스로 하는 모오스 트랜지스터(Q3)와 노드2를 드레이 및 게이트로 하고 노드 3를 소오스로 하는 모오스 트랜지스터(Q6)와 노드 3을 드레인 및 게이트로 하고 VSS단을 소오스로 하는 모오스 트랜지스터(Q7)로 구성된다.
상기 구성 회로의 동작 상태를 보면, 각 노드 1,2,3,의 출력 전압 V1,V2,V3는 전원 VDD로 부터 각 트랜지스터의 (Q4~Q7)스레수 1 홀드전압(V1)만큼 강하되어 나타나며 이때 회로에 흐르는 전류를 1라 하면 I와 V1, V2, V3는 다음과 같은 식으로 표시된다.
I =K'(W/L)1(V1-V11)2
=K'(W/L)2(V2-V1--V12)2
=K'(W/L)3(V3-V2--V13)2
즉, 종래 회로는 상기 식에서 알 수 있듯이 각 노드 1, 2, 3의 출력 전압 V1, V2, V3는 공정라미터에 의해 결정되므로 공정의 변화에 따라V1, V2, V3의 값을 제어하기 힘든 단점이 있었다.
본 고안은 이러한 단점을 해결하기 위해 안출된 것으로 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 제2도에는 그 구성을 보면, 전원 VDD는 모오스 트랜지스터(Q10,Q11)의 각 드레인과 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 각 콜렉터와 저항(R1,R2,R3)의 각 한측단에 동시 연결되고 모오스 트랜지스터(Q10,Q11)의 게이트는 접속되어 (노드7) 모오스 트랜지스터(Q10)의 소오스 및 소오스 트랜지스터(Q12)의 드레인과 연결되고 모오스 트랜지스터(Q12)의 게이트는 모오스 트랜지스터(Q13)의 게이트와 접속되어 (노드8)은 모오스 트랜지스터(Q11)의 소오스와 모오스 트랜지스터(Q14~Q16)의 게이트와 동시 연결되고 모오스 트랜지스터(Q12)의 게이트-소오스는 저항(RL)을 거쳐 VSS단과 (접지)연결되고 모오스 트랜지스터(Q13~Q16)의 소오스는 직접 VSS단과 연결된다.
모오스 트랜지스터(Q14)의 드레인(노드4)은 저항(R)의 한측단과 연결되는 동시에 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1의 에미터와 연결되고 트랜지스터(Q1)의 베이스단(노드1)은 저항(R1)의 나머지 각 한측단에 연결되며 모오스 트랜지스터(Q15)의 드레인(노드5)저항(R)의 한측단에 연결되는 동시에 NPN바이폴라 트랜지스터(Q2)의 에미터와 연결되고 트랜지스터(Q2)의 베이스단(노드 2)저항(R2)과 저항(R)의 나머지 각 한측단에 연결되며 모오스 트랜지스터(Q16)의 드레인(노드 6) 저항(R)의 힌측단에 연결되는 동시에 NPN바이폴라 트랜지스터(Q3)의 에미터와 연결되고 트랜지스터(Q3)의 베이스단(노드 3)은 저항(R3)과 저항(R)의 나머지 각 한측단에 연결되는 구성이다.
여기서 모오스 트랜지스터(Q10~Q13)와 저항(RL)으로 구성된 회로는 모오스 트랜지스터(Q14~Q16)의 게이트-전압을 공급하는 바이어스 회로(A)이다.
상기 구성 회로의 동작 상태를 설명하면, 저항(R1,R2,R3)을 흐르는 전류 'I'는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 베이스-에미터 전압과 저항(R)에 의해 결정되며 이때이다.
그런데 모오스 트랜지스터(Q14,~Q16)의 게이트 전류가 동일하므로 모오스 트랜내지스터(Q14~Q16)에 의해 NPN바이폴라 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 에미터 전류는 같다.
그러므로 VBE(Q1)=VBE(Q2)=VBE(Q3)이다.
따라서 저항(R1,R2,R3)에는 동일한 전류 I가 흐르게 되고 이때 각 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 베이스 단(노드 1,2,3)의 전압 V1, V2, V3는 저항(R1,R2,R3)의 비에 의해 결정된다.
따라서 본 고안에 흐르는 저항(R1,R2,R3)을 흐르는 전류가 바이폴라 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 베이스-에미터 전압(VBE)과 저항(R)에 의해 결정되고 노드 1,2,3의 전압 V1,V2,V3의 값도 VBE및 저항(R,R1~R3)의 비에 의해 결정되므로 공정 피라미터의 변화에 무관하게 일정한 값을 갖게 되고 저항비를 조정하여 원하는 값을 쉽게 구현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 모오스 트랜지스터(Q1-Q13)와 저항(RL)으로 구성되어 모오스 트랜지스터 (Q14~Q16)의 게이트 전압을 인가하는 바이어스 회로(A)와, 상기 바이어스 회로(A)에서 게이트 전압을 받아 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1~Q2)의 각 에미터 전류를 동일하게 하는 모오스 트랜지스터(Q14~Q16)와, 저항(R1~R3)에 일정한 전류를 흐르도록하는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q1~Q3)저항(R)과, 저항값의 비에 의해 상기 트랜지스터(Q1~Q3)베이스(노드1,2,3)단의 멀티레벨 기준 전압 V1, V2, V3을 얻는 저항(R1, R2,R3)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 멀티레벨 기준 전압 회로.
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KR100267765B1 (ko) * 1997-03-17 2000-12-01 김영환 바이어스보상회로
KR100585221B1 (ko) * 2004-12-15 2006-06-01 삼성전자주식회사 멀티 레벨 전류 모드 신호 전송을 위한 수신장치 및송수신 장치

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