KR920004311A - 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체 및 그 제조 방법 - Google Patents

고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 질화 알루미늄을 100중량부, 탄소를 0.005중량부 이상 0.5중량부 이하, 붕소 화합물을 붕소 단체로 환산해서 1중량부 이하, 희토류 알루미늄 산화물을 희토류 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부이하, 및 주기율표 IVB, VB, VIB족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선정된 적어도 한 종류를 그 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하 포함하며, 그 열 전도율이 상온에서 100W/m·K이상 270W/m·K이하인 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 희토류 원소는 스칸듐, 이트륨, 란타늄 및 셀륨중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체.
  3. 제1항에 있어서, 질화 알루미늄 소결체 파면에 있어서 질화 알루미늄 결정립의 평균 입자 지름이 2∼15㎛이며, 또한 주기율표 IVB, VB, VIB족 원소 화합물 입자의 평균 입자 지름에 대한 비가 2.0이상인 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체.
  4. 100중량부의 질화 알루미늄에 탄소를 0.01중량부 이상 5중량부 이하, 산화 붕소를 붕소 단체로 환산해서 1중량부 이하, 희토류 원소 산화물을 희토류 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하, 및 주기율표 IVB, VB, VIB족 원소의 산화물, 탄화물, 질화물로 이루어지는 군에서 선정된 적어도 한 종류를 그 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하 첨가하여 혼합물을 얻은 공정과, 상기 혼합물을 소정의 형상으로 성형하여 성형체를 얻는 공정과 , 상기 성형체를 질소를 10체적% 이상 함유하는 비산화성의 분위기하에 1500℃이상 2100℃이하의 온도에서 소성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체의 제조방법.
  5. 100중량부의 질화 알루미늄에 탄소를 유리하는 화합물을 유리 탄소량으로 환산해서 0.01중량부 이상 5중량부 이하, 산화 붕소를 붕소 단체로 환산해서 1중량부 이하, 희토류 원소 산화물을 희토류 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하, 및 주기율표 IVB, VB, VIB족 원소의 산화물, 탄화물, 질화물로 이루어지는 군에서 선정된 적어도 한 종류를 그 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하 첨가해서 혼합물을 얻는 공정과, 상기 혼합물을 소정의 형상으로 성형하여 성형체를 얻는 공정과, 상기 성형체를 비산화성의 분위기하에 150℃이사 1500℃이하의 온도에서 탄소를 유리시키는 공정과, 상기 성형체를 질소로 10체적% 이상 함유하는비산화성의 분위기하에 1500℃이상 2100℃이하의 온도에서 소성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 탄소를 유리하는 화합물을 폴리아크릴니트릴, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄, 폴리에틸렌레프탈레이트, 글루코스, 프록토스 및 사카로스로 이루어지는 군에서 선정된 적어도 한 종류인 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체의 제조 방법.
  7. 100 중량부의 질화 알루미늄에 산화 붕소를 붕소 단체로 환산해서 1중량부 이하, 희토류 원소 산화물을 희토류 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하, 및 주기율표 IVB, VB, VIB족 원소의 산화물, 탄소물, 질화물로 이루어지는 군에서 선정된 적어도 한 종류를 그 원소 단체로 환산해서 0.01중량부 이상 15중량부 이하 첨가하여 혼합물을 얻는 공정과, 상기 혼합물을 소정의 형상으로 성형하여 성형체를 얻는 공정과, 상기 성형체를 탄화 수소 가스를 10체적% 이상 90체적%이하 포함하고 또한 질소를 10체적%이상 포함하는 비산화성의 분위기하에 1500℃이상 2100℃이하의 온도에서 소성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 탄화 수소 가스는 메탄 가스, 에틸렌 가스, 아세틸렌 가스, 프로판 가스 및 부탄 가스중의 어느 것인 것을 특징으로 하는 고열전도성 착색 질화 알루미늄 소결체의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020067647A1 (ko) * 2018-09-28 2020-04-02 포항공과대학교 산학협력단 이작용성 나노자임 및 이의 용도

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2567491B2 (ja) * 1990-04-17 1996-12-25 住友電気工業株式会社 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
US5273700A (en) * 1990-10-29 1993-12-28 Sumitomo Electric Industries Ltd. Aluminum nitride sintered body and process for producing the same
TW280836B (ko) * 1992-09-21 1996-07-11 Sumitomo Electric Industries
US5541145A (en) * 1993-12-22 1996-07-30 The Carborundum Company/Ibm Corporation Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics
US5424261A (en) * 1993-12-22 1995-06-13 The Carborundum Company Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics
US5773377A (en) * 1993-12-22 1998-06-30 Crystalline Materials Corporation Low temperature sintered, resistive aluminum nitride ceramics
JPH07187788A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Ngk Spark Plug Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
US5677253A (en) * 1995-03-30 1997-10-14 Kyocera Corporation Wafer holding member
EP0992470B1 (en) * 1995-08-03 2006-03-08 Ngk Insulators, Ltd. Aluminium nitride sintered bodies and their use as substrate in an apparatus for producing semiconductors
US5705450A (en) * 1996-12-17 1998-01-06 The Dow Chemical Company A1N sintered body containing a rare earth aluminum oxynitride and method to produce said body
DE60005234T2 (de) * 1999-03-17 2004-07-01 Asahi Techno Glass Corp., Funabashi Aluminiumnitridsinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung
JP4447750B2 (ja) * 1999-09-30 2010-04-07 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
WO2002091457A1 (fr) 1999-12-09 2002-11-14 Ibiden Co., Ltd. Plaque ceramique pour appareil de production/controle de semi-conducteurs
JP4493264B2 (ja) * 2001-11-26 2010-06-30 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材
KR101160109B1 (ko) * 2004-03-29 2012-06-26 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 질화알루미늄 분말 및 질화알루미늄 소결체
US7799269B2 (en) * 2007-09-25 2010-09-21 Osram Sylvania Inc. Method of sintering AIN under a methane-containing nitrogen atmosphere
JP5180034B2 (ja) * 2008-11-21 2013-04-10 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、その製法及びそれを用いた静電チャック
US20190296194A1 (en) * 2016-06-10 2019-09-26 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for producing hermetic package, and hermetic package

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855377A (ja) * 1981-09-28 1983-04-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
US4478785A (en) * 1983-08-01 1984-10-23 General Electric Company Process of pressureless sintering to produce dense, high thermal conductivity aluminum nitride ceramic body
US4877760A (en) * 1985-05-22 1989-10-31 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same
US5001089A (en) * 1985-06-28 1991-03-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminum nitride sintered body
DE3684821D1 (de) * 1985-06-28 1992-05-21 Toshiba Kawasaki Kk Aluminiumnitridsinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung.
US4843038A (en) * 1986-11-13 1989-06-27 Narumi China Corporation Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same
JPS63233072A (ja) * 1986-11-14 1988-09-28 旭硝子株式会社 ＣａＯ含有耐火物
US4833108A (en) * 1987-03-28 1989-05-23 Narumi China Corporation Sintered body of aluminum nitride
JPS63310772A (ja) * 1987-06-10 1988-12-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体
JPH01203270A (ja) * 1988-02-08 1989-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法
JPH01242468A (ja) * 1988-03-23 1989-09-27 Japan Steel Works Ltd:The 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
KR920003226B1 (ko) * 1988-05-16 1992-04-24 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 질화알루미늄소결체와 그것을 사용한 회로기판 및 반도체패키지
EP0437449A1 (en) * 1988-09-02 1991-07-24 THE DOW CHEMICAL COMPANY (a Delaware corporation) Increasing aluminum nitride thermal conductivity via pre-densification treatment
JPH02172868A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Hitachi Metals Ltd 窒化アルミニウム焼結体並びにそれを用いた電子部品
JP2567491B2 (ja) * 1990-04-17 1996-12-25 住友電気工業株式会社 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020067647A1 (ko) * 2018-09-28 2020-04-02 포항공과대학교 산학협력단 이작용성 나노자임 및 이의 용도

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Publication number Publication date
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US5147832A (en) 1992-09-15
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EP0470501B1 (en) 1996-04-10
KR940001660B1 (ko) 1994-02-28
JP2943275B2 (ja) 1999-08-30
DE69118613D1 (de) 1996-05-15

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