KR900701686A - 예비조밀화 처리에 의한 질화알루미늄의 열전도율 증가방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

예비조밀화 처리에 의한 질화알루미늄의 열전도율 증가방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따라 만들고 통상의 방법에 따라 만든, 10% BN을 함유한 AiN 복합물품들을 연소 온도에 대하여 이론적 밀도의 %를 나타는 도면이다. 제2도는 본 발명에 따라 만들고 통상에 방법에 따라 만든, 10% 붕소를 함유한 AiN 복합물품들을 연소온도에 대하여 연전도율을 나타내는 도면이다. 제3도는 본 발명에 따라 만들고 통상의 방법에 따라 만든, 10% Sic를 함유한 AiN 복합 물품의 연소온도에 대하여 이론적 밀도의 %를 나타낸 도면이다.

Claims (23)

1. 산소-함유 AIN 분말 콤팩트로부터 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품을 제조하기 위한 방법에 있어서, a) 고열전도성을 갖는 조밀한 AIN 물품을 조밀화시에 제공하는 수준까지 산소함량이 감소되도록 하는 충분한 조건하에서 콤펙트 내에 함유된 산소를 감소시키는 환경에 AIN 분말콤펙트를 노출시키고, 그런 다음 b) 분말 콤펙트를 조밀화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, AIN 분말 콤펙트가 조밀화 보조제를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제2항에 있어서, 분말 콤펙트가 AIN으로 본질적으로 이루어진 세라믹 분말 성분들을 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제3항에 있어서, 조밀화 보조제가 Y₂O₃인 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제4항에 있어서, 단계(a)에서, 130W/m°K 이상의 열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품이 조밀화시에 제공되도록 하는 충분한 수준까지 산소 함량을 감소시키는 환경에 분말 콤펙트를 노출시키는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제2항에 있어서, 분말 콤펙트가 AIN 및 SiC로 본질적으로 이루어진 세라믹 분말 성분들을 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제2항에 있어서, 분말 콤펙트가 AIN 및 SiC로 본질적으로 이루어진 세라믹 분말 성분들을 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제2항에 있어서, 산소 감소 환경이 불활성 기체를 갖거나 갖지 않는 H₂, NH₃, 기타의 수소 함유 무기기체, 증기상 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 산소-함유 AIN 분말 콤펙트로부터 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품을 제조하기 위한 방법에 있어서, a) 1300W/m°K 이상의 열전도율을 갖는 조밀한 AIN 들품을 조밀화시에 제공하는 수준까지 산소함량이 감소되도록 하는 충분한 조건하의 환경에 AIN 분말 콤펙트(이 분말 콤펙드는 조밀화 보조제를 함유하고 AIN으로 본질적으로 이루어진 세라믹 분말 성분을 가짐)를 노출시키고, 그런 다음 b) 분말콤펙트를 조밀화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품의 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 조밀화 보조제가 Y₂O₃인 것을 특징으로 하는 방법.
11. 제11항에 있어서, 산소 감소 환경이, 불활성 기체를 갖거나 또는 갖지 않는H₂, NH₃, 기타의 수소-함유 기체, 증기상 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제11항에 있어서, 단계(a)에서, 130W/m°K 이상의 열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품을 조밀화시에 제공하는 수준까지 산소함량을 감소시키는데 충분한 시간동안 약 6중량%의 H₂및 N₂의 분위기 하에서 약 1,500℃ 내지 약 1.700℃의 온도에 분말 콤펙트를 노출시키는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 제9항에 있어서, 단계(a)에서, 약 1중량% 이하의 산소함량을 갖는 조밀한 AIN 물품이 조밀화시에 제공되도록 하는 충분한 수준까지 산소함량을 감소시키는 환경에 분말 콤펙트를 노출시키는 것을 특징으로 하는 방법.
14. 산소-함유 AIN 분말 콤펙트로부터 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품을 제조하기 위한 방법에 있어서, a) 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품이 조밀화시에 제공되는 수준까지 산소함량을 감소시키는데 충분한 조건하의 환경에, 조밀화 보조제를 함유하고 AIN 및 BN으로 본질적으로 이루어진 세라믹 분말 성분을 갖는 AIN 분말 콤펙트를 노출시키고, 그런 다음, b) 분말 콤펙트를 조밀화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품의 제조방법.
15. 산소-함유 AIN 분말 콤펙트로부터 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품을 제조하기 위한 방법에 있어서, a) 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품을 조밀화시에 제공하는 수준까지 산소 함량을 감소시키는데 충분한 시간 동안 세라믹 분말 성분안에 함유된 산소를 감소시키는 환경에, AIN 분말 콤펙트중의 한가지 이상의 세라믹 분말 성분을 노출시키고, 그런 다음, b) 산소가 감소된 세라믹 분말 성분의 AIN 분말 콤펙트를 형성하고, 그리고, c) AIN 분말 콤펙트를 조밀화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고열도전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품의 제조방법.
16. 130W/m°K 이상의 열전도율을 갖는 AIN으로 필수적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조밀한 AIN 물품.
17. AIN 및 BN으로 필수적으로 이루어지고 고열전도율을 갖는 것을 특징으로 하는 조밀한 AIN 물품.
18. AIN 및 SiC로 필수적으로 이루어지고 고열전도율을 갖는 것을 특징으로 하는 조밀한 AIN 물품.
19. 제1항의 방법으로 형성한 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품.
20. 제9항의 방법으로 형성한 130W/m°K 이상의 열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품.
21. 제14항의 방법으로 형성한 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품.
22. 제15항의 방법으로 형성한 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품.
23. 제16항의 방법으로 형성한 고열전도율을 갖는 조밀한 AIN 물품.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.