KR970701158A - 세라믹 물질 기판(Substrate of a ceramic material) - Google Patents

세라믹 물질 기판(Substrate of a ceramic material)

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KR970701158A
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앨버트 그로엔 윌헤름
요하네스 크란 마셀리누스
프란시스쿠스 반할 파울러스
데 위드 지제이스베르투스
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제이.지.에이. 롤페스
필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 새로운 현상의 세라믹 물질로 제조되는 기판에 관한 것이다. 상기 물질은 44 내지 47의 Al원자％, 31 내지 39의 O원자％, 8 내지 13의 C원자％ 및 8 내지 12의 N원자％를 포함한다. 상기 물질로 제조된 기판은 비교적 높은 열 전도성, 큰 강도 및 Si의 것과 동일한 팽창 계수를 나타낸다. 결론적으로 본 발명에 따른 기판은 Si-반도체 기술에 사용하기에 매우 적합하다. 상기 기판의 세라믹 물질의 주성분은 적합하게도 식 Al28O21C6N과 일치한다. 본 발명은 또한 상기 물질로부터의 기판 및 기타 모울딩을 제조하기 위한 방법을 제공한다.

Description

세라믹 물질 기판(Substrate of a ceramic material)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 세라믹 물질의 기판에 있어서, 상기 물질은 44 내지 47의 Al원자％, 31 내지 39의 O원자％, 8 내지 13의 C원자％ 및 8 내지 12의 N원자％를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 물질의 주성분의 구성은 식 Al28O21C6N에 대응하는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질 기판.
  3. 세라믹 물질에 있어서, 상기 물질은 44 내지 47의 Al원자％, 31 내지 39의 O원자％, 8 내지 13의 C원자％ 및 8 내지 12의 N원자％를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질.
  4. 제3항에 있어서, 상기 물질의 주성분의 구성은 식 Al28O21C6N에 대응하는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질.
  5. 제3항 또는 제4항에 기재된 세라믹 물질의 제조 방법에 있어서, 상기 방법은,
    가) 의도된 세라믹 물질의 구성에 근거한 비율로 Al2O3, Al4O3및 AIN의 혼합물을 예비 소성시키는 단계와,
    나) 상기 형성된 예비 소성제품을 분말로 연삭하는 단계 및,
    다) 세라믹 물질을 형성하기 위해 상기 분말을 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 예비 소성은 1500 내지 1700℃ 사이의 온도 범위에서 발생하며, 상기 소결은 1700 내지 1900℃ 사이의 온도 범위에서 발생하는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질 제조 방법.
  7. 제3항 또는 제4항에 기재된 세라믹 물질의 제조방법에 있어서, Al2O3, Al4O|3및 AIn의 혼합물은, 예정된 세라믹 물질의 구성에 근거한 비율로, 상기 세라믹 물질을 형성하기 위한 압력하에 소결되는 것을 특징으로 하는 세라믹 물질 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960704373A 1994-12-12 1995-11-06 세라믹 물질 기판 KR100404815B1 (ko)

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US5635429A (en) 1997-06-03
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US5571757A (en) 1996-11-05
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