KR920004038B1 - 후막형성방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

후막형성방법
제 1 도는 본 발명의 후막(厚膜) 형성과정을 도시한 공정도.
제 2 도는 직접묘화법에서 사용되는 노즐선단부의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 11a∼11f : 개구
12a∼12f : 후막패턴
본 발명은, 후막형성방법에 관한 것으로서, 특히 후막패턴을 이용하는 회로의 연구개발과정에 있어서 유효한 후막형성방법에 관한 것이다.
후막형성방법에는 대별하면 2종류있으며, 그 하나는 대량생산에 잘 사용되는 일반적인 스크리인인쇄법이고, 또 하나는 소량생산에 적합한 직접묘화법이다. 스크리인인쇄법에 있어서는, 먼저 회로패턴을 설계하고, 설계한 회로패턴에 의거해서 마스크(스크리인이라고도함)를 제판한다. 그리고, 제판된 마스크를 사용해서 도체, 유전체 혹은 저항체등의 페이스트를 기판상에 인쇄한다. 이 스크리인인쇄법의 경우, 마스크의 제판에 통상 1주일간정도의 시간을 소비하게 되어, 패턴변경이 빈번하게 행하여지는 경우에는 부적합하다. 그리하여, 고안된 것이 직접묘화법이다. 직접묘화법은, 미소한 개구를 가진 노즐로부터 페이스트를 압출시키면서 이 노즐을 미리 설계한 회로패턴에 의거해서 기판상에서 이동시켜, 페이스트에 의한 소망의 패턴을 직접 그릴려고하는 것이다. 이 방법은, 마스크제판공정이 불필요하기 때문에, 회로패턴을 설계하고서부터 기판상에 실제로 후막패턴을 형성할때까지의 시간이 매우 짧다. 그 때문에, 회로패턴변경이 빈번하게 행하여지는 연구개발시의 후막패턴형성에 적합하고 있다.
그런데, 직접묘화법에서는 패턴의 후막을 일정하게 하기위하여, 노즐선단에 기판과의 간격을 일정하게 유지하기 위한 스페이서가 착설되어있다. 제 2 도는, 직접묘화법에 사용하는 노즐을 도시한 사시도이며, 노즐(1)의 선단부에 스페이서로서의 다이어몬드침(2)가 장착되어 있다. 이 예에서는, 노즐(1)의 선단으로부터 다이어몬드침(2)의 선단까지의 거리 a가 50㎛이며, 다이어몬드침(2)의 선단을 도시생략한 기판표면에 상기 접촉시킨 상태에서 노즐(1)로부터 페이스트를 토출시켜, 노즐(1)을 설계패턴을 따라서 기판상에서 이동시키므로서, 소망의 후막패턴을 기판상에 그릴 수 있다.
한편, 기판에는 외부의 접속단자가 감입하기위한 개구가 형성되고 있는 일이 많으며, 이 개구주변에는 패드로서의 후막패턴을 그리지 않으면 안된다. 그러나, 직접묘화법에 의해서 개구의 가장자리한 계점까지 후막패턴을 그릴려고 하면, 스페이서인 다이어몬드침이 개구로 떨어지게 되어, 노즈로가 기판과의 간격을 유지할 수 없게 된다. 또, 이 상태로부터 노즐을 이동시키면, 다이어몬드침이 개구의 가장자리에 걸려, 개구의 가장자리나 노즐자체를 파손시키게 된다. 이 문제는 기판의 주변부에 있어서도 마찬가지로 발생하며, 따라서, 직접묘화법에서는 개구의 극단 주변이나 기판의 극단주변에는 후막패턴을 형성할 수 없었다.
본 발명의 과제는, 이와같은 문제점을 해소하는데 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 후막형성방법은, 기판상에 스크리인인쇄법을 사용해서 소망패턴의 후막을 형성하는 제 1의 공정과, 상기 제 1의 공정에서 후막이 형성된 기판상에 직접묘화법을 사용해서 소망패턴의 후막을 형성하는 제 2의 공정으로 이루어진 것이다.
제 1 공정을 사용해서, 직접묘화법에서는 그리기 어려운 개구의 극단주변부나 기판의 극단주변부에 공통후막패턴을 그리고, 이 공통후막패턴이 그려진 기판을 미리 대량으로 제작해둔다. 그리고, 패턴변경이 발생할 가능성이 있는 회로부분을 필요에 따라서 제 2 공정을 사용해서 그리므로서, 개구의 극단주변부나, 기판의 극단주변부의 패턴을 포함하는 소망의 후막패턴이 단시간에 형성된다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.
제 1 도는 본 발명의 일실시예를 도시한 공정도이다. 기판(10)은 알루미나등의 세라믹기판이며, 그 주위에는 접속단자가 감입되기 위한 개구(11a)∼(11f)가 형성되어 있다. 그리고, 개구(11)∼(11f)의 주위에는 구형(矩形)의 후막패턴(12a)∼(12f)가 스크리인인쇄법에 의해 형성되어 있다. 여기서, 후막패턴(12a)∼(12f)의 형성과정을 간단히 설명한다. 먼저, 패턴의 설계를 행하고, 설계내용에 의거해서 마스크를 제판한다. 마스크가 제판될때까지에는 상기한 바와같이 약 1주일간의 일주를 요한다. 다음에, 이 마스크를 기판(10)에 포개어 위치맞춤을 행하고, 마스크의 위로부터 금페이스트를 도포해서, 후막패턴(12a)∼(12f)에 상당하는 금페이스트에 의한 패턴을 기판(10)에 형성한다. 다음에, 이 패턴을 건조시키고, 또 소성을 행하므로서, 금의 후막패턴(12a)∼(12f)가 형성된다. 이와같이해서 개구 (11a)∼(11f)의 주위에 후막패턴이 형성된 기판을 미리 많이 제작해둔다.
다음에, 제 1a 도의 파선으로 둘러싸인 영역, 즉, 빈번하게 패턴변경이 요구되는 영역에, 직접묘화법을 사용해서 소망의 패턴을 그린다. 제 1b 도는 그 일예를 도시한 것이다. 동 도면에서 알 수 있는 바와같이, 직접묘화법에 의한 패턴이 스크리인인쇄법으로 이미 그려져있는 후막패턴(12a)∼(12f)와 접속되어있으며, 전체적으로 소망의 후막패턴이 형성되어 있다. 직접묘화법의 경우, 마스크가 불필요하며, 제 2 도에 도시한 바와같이 노즐로부터 금페이스트를 토출시키면서 기판(10)위에 직접소망의 패턴을 그린다. 직접묘화를 위한 장치는 이미 시판되고 있으며, 노즐을 구비한 묘화헤드(Writing Head)와, 기판을 싣고 X-Y방향(평면방향)으로 이동하는 X-Y테이블과, 이들의 동작을 제어하는 제어기를 구비하고 있다. X-Y테이블상에 스크리인인쇄에 의해 이미 후막패턴(12a)∼(12f)이 그려진 제 1 도의 기판(10)을 재치하므로서, 묘화준비가 완료된다. 그후, 외부의 콤퓨터로부터 설계완료된 패턴정보를 제어기에 부여해서 제어기를 작동시키면, 제어기는 노즐로부터의 페이스트토출량을 조정하면서 X-Y테이블을 패턴정보에 의거해서 구동하고, 금페이스트에 의한 패턴의 묘화가 자동적으로 완료된다. 그후는, 스크리인인쇄때와 마찬가지로 건조 및 소성을 행하므로서, 제 1b 도에 도시한 바와같은 후막패턴이 완성된다.
또한, 본 실시예에서는 후막패턴이 형성되는 기판으로서 알루미나기판이 사용되고 있으나, 기판 재질의 기판이라도 되며, 또, 후막페이스트로서 도체인 금페이스트가 사용되고 있으나, 기타 도체나 유전체, 저항체등을 사용하는 경우에도 적용할 수 있다.
이상 설명한 바와같이, 본 발명의 후막형성방법에 의하면, 기판의 극단주변부나 기판에 형성된 개구의 극단주변부등에도 소망의 후막패턴을 그릴 수 있고, 또한, 단시간에 소망의 후막패턴을 그릴 수 있다. 따라서, 본 발명의 후막형성방법은, 패턴변경이 자주 행하여지는 설계과정에 있어서 극히 유효하다.

Claims (1)

  1. 기판상에 스크리인인쇄법을 사용해서 소망패턴의 후막을 형성하는 제 1의 공정과, 상기 제 1의 공정에서 후막이 형성된 기판상에 직접묘화법을 사용해서 소망패턴의 후막을 형성하는 제 2 의 공정으로 이루어진 후막형성방법.
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