KR920003313A - 고부하 저항기를 갖는 sram 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 5 도는 본 발명에 의해 하부폴리실리콘층 콘택패드 및 Vcc 배선마스크, 절연층 마스크, 콘택 패드 보호용 마스크, 필라멘트 마스크를 배열한 레이 아웃트 도면,
제 6A 도 및 제 6B 도는 제5도의 a-a'의 단면도,
제 7A 도 및 제 7B 도는 제5도의 b-b'의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판 소정부분에 각각의 소오스/드레인 및 게이트선을 가진 FETI 내지 FET4가 형성되고, 그 상부에 절연층이 형성되고, 절연층 상부에는 상기 MOSFET의 소정부분에 접속된 콘택패드들과 Vcc 배선이 형성되며, 상기 콘택패드 및 Vcc 배선에는 부하저항기가 접속되어 이루어지는 4개의 ET와 2개의 부하저항기를 갖는 SRAM에 있어서, 상기 2개의 부하저항기가 단차가 있는 절연층 측벽을 따라 형성된 폴리실리콘 스페이서로 구성된 것을 특징으로 하는 고부하저항기를 갖는 SRAM.
- 제1항에 있어서, 상기의 폴리실리콘 스페이서는 진성 폴리실리콘(Intrinsic polysilicon)인 것을 특징으로 하는 고부하저항기를 갖는 SRAM.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리실리콘 스페이서는 고저항 상태를 유지하는 농도의 불순물이 도프된 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 고부하저항기를 갖는 SRAM.
- 반도체 기판 일정부분에 게이트 전극을 형성하고, 이온주입 공정으로 소오스/드레인 전극을 형성하고, 각 소자를 연결하는 콘택 및 소자연결용 도전층을 형성하는 단계와, 상기 공정후 전체적으로 절연층을 형성하여 평탄화시키는 단계와, 부하저항기가 접속될 부분의 상기 절연층을 식각하여 콘택홀을 형성한다음 전체적으로 폴리 실리콘층을 증착하여 패턴공정으로 콘택패드 및 Vcc 배선을 형성하는 단계와, 상기 콘택패드와 Vcc 배선간에 접속되는 부하저항기를 형성하는 단계로 이루어지는 4개의 MOSFET와 2개의 부하저항기가 단위셀로 구성되는 SRAM 제조방법에 있어서, 상기 부하저항기를 형성하는 단계는, 콘택패드 및 Vcc 배선을 각각 형성하는 단계와, 상기 콘택패드 일정부분에서 Vcc 배선 일정부분까지 단차를 가진 절연층을 형성하는 단계와, 전체적으로 부하저항기용 폴리실리콘층을 증착하고, 상기 콘택패드 및 Vcc 배선상부에 콘택보호용 마스크층을 형성한다음, 비등방성 식각으로 상기 단차를 가진 절연층 측벽에 폴리실리콘 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 공정후 불필요한 폴리실리콘 스페이서를 제거하는 단계로 이루어져 그로인하여 부하저항기의 저항치를 높이는 것을 특징으로 하는 고부하 저항기를 갖는 SRAM 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010858A KR940000311B1 (ko) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 고부하저항기를 갖는 sram 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019900010858A KR940000311B1 (ko) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 고부하저항기를 갖는 sram 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR920003313A true KR920003313A (ko) | 1992-02-29 |
| KR940000311B1 KR940000311B1 (ko) | 1994-01-14 |
Family
ID=19301372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900010858A KR940000311B1 (ko) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 고부하저항기를 갖는 sram 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940000311B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100699857B1 (ko) | 2005-07-30 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 무부하 에스램, 그 동작 방법 및 그 제조 방법 |
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1990
- 1990-07-18 KR KR1019900010858A patent/KR940000311B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940000311B1 (ko) | 1994-01-14 |
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