KR920003161A - 메모리의 페치 시간 단축 방법 및 수단 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

메모리의 페치 시간 단축 방법 및 수단

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제5도는 본 발명의 양호한 실시예인 각 칩에서 사용되는 동작 타이밍을 제어하기 위한 클럭 발생기 회로도.

제6도는 메모리에서 라인 페치와 연속의 라인 저장간에 갭을 없애기 위한 본 발명을 이용한 칩으로 구성된 메모리 시스템에 대한 특별 저장 버퍼를 나타낸 도면.

제8도는 본원의 실시예에 사용되는 RAS발생기를 나타낸 도면.

Claims (25)

1. 반도체 메모리 칩 내부에 데이타를 저장하기 위한 적어도 하나의 DRAM과 칩의 페치 또는 저장 동작을 위하여 DRAM 내부의 데이타를 억세스하도록 상기 칩위에 있는 소형의 고속 메모리(캐쉬)를 갖는 반도체 메모리 칩의 클럭 발생기에서 출력된 DRAM데이타-억세싱 클럭 순차의 타이밍과 관련하여 DRAM복귀 클럭 순차의 타이밍을 제어하는 방법에 있어서, 캐쉬내의 데이타 페치 동작이 DRAM복귀 동작과 일치하여 행해지는 동안에 DRAM복귀 클럭 순차의 타이밍 제어 방법.
2. 반도체 메모리 칩 내부에 데이타를 저장하기 위한 적어도 하나의 DRAM과 칩의 페치 또는 저장 동작을 위하여 DRAM 내부의 데이타를 억세스하도록 상기 칩위에 있는 소형의 고속 메모리(캐쉬)를 갖는 반도체 메모리 칩의 클럭 발생기에서 출력된 DRAM데이타-억세싱 클럭 순차의 타이밍과 관련하여 DRAM복귀 클럭 순차의 타이밍을 제어하는 방법에 있어서, 칩이 페치 동작을 행하는 동안 메모리 데이타 페치 요청에 응답하여 캐쉬내에서 한 개 이상의 데이타 비트를 페치하는 단계와, 다음의 페치 또는 저장 동작을 위해 DRAM이 준비되도록 DRAM복귀를 제어하는 페치 단계의 기간에 DRAM복귀 클럭 순차를 클럭 발생기에 의해 개시하는 단계와, 페치 단계에서 DRAM복귀와 캐쉬내의 데이타 페치와의 일치가 완료되기전에 페치 동작을 위해 DRAM의 복귀를 종료시키는 단계를 포함한 DRAM복귀 클럭 순차의 타이밍 제어 방법.
3. 제2항에 있어서, DRAM복귀가 이전의 페치 동작가에 SRAM페치-억세싱과 완전히 일치할때에, 캐쉬의 페치-억세싱이 이전의 칩 동작에 연속되도록, 칩에 의한 다음의 억세싱 동작으로서 저장동작을 위한 클럭 신호의 DRAM 억세싱 순차 개시의 시기를 칩에 의하여 지정되는 단계를 추가적으로 포함한 DRAM복귀 클럭 순차의 타이밍 제어 방법.
4. 제3항에 있어서, 칩위의 캐쉬로서는 SRAM제공되는 단계를 포함한 DRAM복귀 클럭 순차의 타이밍 제어방법.
5. 제4항에 있어서, SRAM에서 DRAM까지의 경로가 SRAM 내의 데이타에 대한 페치-억세싱 기간에 DRAM복귀를 위해 사용되는 칩에 의하여, DRAM페치 동작과 DRAM저장동작을 위해 클럭 신호에 의해서 제어되는 양방향성 경로에서 DRAM과 SRAM간의 에러 검출 빛 보정회로를 제공하는 단계를 포함한 DRAM 복귀 클럭 순차의 타이밍 제어 방법.
6. 칩 내부에 데이타를 저장하기 위해 적어도 하나의 DRAM과, 칩에 저장된 데이타의 페이 동작이나 저장 동작을 위하여 DRAM 의 데이타를 억세스하도록 상기 칩위에 있는 소형의 고속 메모리(캐쉬)를 내장한 반도체 메모리 칩의 클럭 발생기에서제공된 DRAM 복귀 클럭 순차에 의해서 타이밍을 제어함으로서, 캐쉬 데이타-억세싱에 대한 타이밍과 관련하여 DRAM 복귀의 타이밍을 제어하는 방법에 있어서, 캐쉬 데이타-억세싱에 대한 타이밍과 관련하여 DRAM 복귀의 타이밍을 제어하는 방법에 있어서, SRAM에서 데이타-억세싱으로 DRAM 복귀의 적어도 부분적 일치를 구하기 위하여 SRAM 이 DRAM으로부터의 데이타에 로드되는 시간과, SRAM에서의 데이타 억세싱의 종료이전 사이의 SRAM내의 데이타 페치 억세스기간에, DRAM 복귀 클럭킹 순차의 발생을 개시하는 단계를 구비한 DRAM 복귀의 타이밍 제어 방법.
7. 적어도 하나의 DRAM과, 메모리 칩위에 소형의 고속 메모리(캐쉬)와, 복수개의 이진 신호와 칩의 외부에서 발생한 적어도 하나의 데이타 신호를 수신하기 위한 복수개의 단자와, DRAM내에 저장 비트의 행을 어드레싱하기 위해 약간의 어드레스 신호를 수신하기 위한 단자에 접속된 칩내의 회로와, 어드레스된 행으로부터 보조행을 선택하고, 페치 또는 저장 동작을 위하여 캐쉬내의 적어도 한 데이타 비트를 저장하기 위해 데이타 위치를 선택하도록 다른 어드레스 신호를 수신하기 위해 보조행을 캐쉬 데이타 선택 회로에 전송하는 칩위에 있는 다른 회로와, 선택된 데이타 비트위치와 접속단자 간의 양반향으로 데이타를 전송하기 위해 캐쉬내의 선택된 데이타 비트 위치와 한 단자간에 접속되도록 칩 내부의 데이타 전송 접속부를 가지는 반도체 메모리 칩의 작동 시간 결정 밥법에 있어서, DRAM에서 행을 선택하고, 선택된 행에서 보조행을 선택하고, 보조행을 캐쉬에 전송하고, 선택된 위치내의 보조행에 한개이상의 데이타 비트를 저장 또는 페치하여 캐쉬와 데이타 단자간에 데이타 비트를 전송하도록 캐쉬에서의 데이타 억세싱을 위해서, 칩위에 있는 회로의 작동 시간을 제어하기 위해 클럭신호의 데이타-억세싱 순차를 발생하고, 다음의 데이타 억세싱 동작을 행하기 위하여 DRAM를 인에이블하도록 소정의 상태로 DRAM의 복귀를 구하기 위하여 칩의 회로에 대한 동작 타이밍을 제어하기 위해 클럭신호의 DRAM복귀 순차를 발생하고, 캐수내의 데이타를 페칭하기 위해 캐쉬가 로드된 후에 클럭신호의 데이타-억세싱 순차의 발생 종료에 따라 클럭신호의 DRAM복귀 순차를 개시하는 것을 포함한 반도체 메모리 칩의 작동시간 결정밥법.
8. 제7항에 있어서, 캐쉬에서의 데이타-페치의 개시 이후에 클러킹 신호의 DRAM복귀 순차를 개시의 시점을 정하는 단계를 포함한 반도체 메모리 칩의 작동시간 결정방법.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 페치 동작에 있어서 데이타-억세싱과 복귀가 칩에 의하여 일치되도록 캐쉬에서 데이타-페치의 종료이전에 DRAM복귀를 완료하는 단계를 포함한 반도체 메모리 칩의 작동 타이밍 결정방법.
10. 제7항에 있어서, 캐쉬내의 데이타-페치가 완료되는 순간 클럭 신호의 데이타-억세싱 순차를 개시함으로서, 다음의 페치 동작을 취하여 칩 내부의 데이나-억세싱을 개시하는 단계를 포함한 반도체 메모리 칩의 작동시간 결정방법.
11. 제7항에 있어서, DRAM복귀 순차를 개시함으로서 클러킹 신호의 DRAM데이타-억세싱 제어순차를 완료하는 단계를 포함한 반도체 메모리 칩의 작동시간 결정방법.
12. 제7항에 있어서, DRAM복귀가 이전의 페치 동작에 있어서 캐쉬 페치-억세싱과 일치하는 이전의 칩동작에 대해 캐쉬의 페치-억세싱과 연속되도록 다음의 억세싱 동작으로서 칩에 의하여 페치 또는 저장 동작에 대한 클러킹 신호의 DRAM 억세싱 순차의 개시 시점을 정하는 단계를 포함한 반도체 메모리 칩의 작동시간 결정방법.
13. 제1항에 있어서, DRAM 어드레스 타이밍 제어 신호, 캐쉬 어드레스 타이밍 제어 신호 및 페치/저장 상태 신호를 칩에 입력하는 단계와, 페치/저장 상태의 페치 상태와, DRAM 어드레스 타이밍 제어 신호에 대한 DRAM어드레스상 상태가 없을 때에, DRAM 복귀 클럭 순차는 AND 게이트의 출력에 의하여 개시되는 단계를 포함한 DRAM 복귀 클럭 순차의 타이밍 제어 방법.
14. 제13항에 있어서, 페치/저장 상태 신호의 저장 상태와, 캐쉬어드레스 타이밍 제어 신호에 대한 캐쉬 어드레스 상태의 부재와, DRAM 어드레스 타이밍 제어 신호에 DRAM어드레스 상태의 부재임을 수신할 때에 다른 AND게이트의 출력에 의해 DRAM 복귀 클럭 순차를 개시하는 단계와, 칩에 의하여 저장 동작이 아닌 페치 동작에 대한 여러 시간 주기를 갖는 단계를 구비한 DRAM 복귀 클럭 순차의 타이밍 제어 방법.
15. 적어도 하나의 DRAM과 반도체 메모리 칩위에 있는 소형의 고속 메모리(캐쉬)와, 2진 어드레스, 데이타 및 타이밍 신호를 수신하기 위한 복수개의 단자를 갖는 반도체 메모리 칩에서 DRAM클러킹 순차의 개시를 제어하는 수단과, 상기 타이밍 신호는 페치/저장 상태 신호, DRAM어드레스 상태 또는 DRAM복귀 상태의 제어를 표시하는 DRAM 보조행- 어드레스싱 타이밍 신호와, 캐쉬 어드레싱 상태에 관한 제어 또는 제어가 없음을 표시하는 캐쉬 데이터 타이밍 신호를 가지며, 캐쉬내에서 선택된 데이타 비트 위치와 단자 사이의 양반향에서 데이타를 전송하기위한 캐쉬에 적어도 하나의 접속하는 수단에 있어서, DRAM 보조행으로부터 데이타를 선택하여 캐쉬에 전송하는 시기를 정하기 위하여 클럭 신호를 발생하도록 순차적으로 접속된 제1세트의 지연회로와, 캐쉬로부터의 데이타를 DRAM보조행에 전송하는 시기를 가지는 다음의 DRAM 동작에 있어서 DRAM복귀 시간을 정하는 클럭신호를 발생하도록 순차적으로 접속된 제2세트의 지연회로와 DRAM 보조행 - 어드레스 타이밍 신호가 DRAM 억세싱 상태의 존재를 표시하고, 페치-저장 상태 신호가 페치 상태의 존재를 표시할때에 칩내의 폐치 동작에 대한 DRAM복귀 클러킹 순차를 개시하는 제1수단과, 상기 페치 상태의 존재는 캐쉬 데이타 타이밍 신호의 존재 기간에 캐쉬내에 데이타 페칭과 일치하기 위해 DRAM복귀를 작동하도록 DRAM 복귀 클럭 순차를 개시하고, DRAM보조행- 어드레스 신호 순차가 DRAM복귀 상태의 조건을 표시하고, 페치/저장 상태 신호가 저장 상태의 존재를 표시하고, 캐쉬 데이타 타이밍 신호가 캐쉬 어드레싱 상태의 무조건을 표시할때에 칩내부의 저장 동작에 대해 DRAM 복귀 클럭킹 순차를 개시하는 제2수단을 구비하고, 상기 캐쉬 어드레스 상태의 무조건은 저장 동작 시간이 칩에 대해 체치 저장 동작과 상이하도록 캐쉬내의 데이타 저장에 있어 약간 또는 전혀 일치하지 않도록 DRAM복귀를 활성화하기 위해 DRAM복귀 클럭 순차를 개시하는 것을 포함한 DRAM 복귀 클럭킹 순차의 개시 제어 수단.
16. 각 반도체 칩은 적어도 하나의 DRAM과 소형의 캐쉬를 각각 가지는 복수개의 반도체 칩과, 캐쉬에 저장된 데이타를 외부적으로 억세스하기 위하여 DRAM과 캐쉬간에 데이타를 전송하는 수단과, 상기 각 반도체 칩은 이진 어드레스, 데이타 및 제어신호를 수신하기 위한 단자를 가지며, 상기 제어신호는 페치/저장(RE)신호, 억세스 레벨과 DRAM복귀 레벨을 갖는 행 어드레스 타이밍 신호(RAS)와 데이타를 DRAM에서 캐쉬로 전송하는 시기를 정하는데 사용하는 억세스 레벨로의 RAS 전환신호와, 데이타를 캐쉬에서 DRAM 으로 전송하는 시기를 정하는데 사용하는 DRAM복귀 레벨의 RAS전환신호와 캐쉬내의 데이타 억세싱을 제어하기 위하여 캐쉬내의 데이타 억세싱 방지와 전환에 이용하는 금지 레벨을 갖는 열 억세스 타이밍 신호(CAS)을 포함하고 있으며, 상기 칩에 DRAM 에서 캐쉬에 데이타를 전송하는 시기를 정하도록 억세싱 클럭 신호를 제공하고 데이타를 캐쉬로부터 DRAM전송하는 것을 제어하도록 복귀 클럭신호를 제공하는 클럭 발생수단을 구비한 메모리 시스템에 있어서, RAS 및 CAS 파형을 발생하기 위한 메모리 제어기(MC)내의 파형 발생 수단과, 상기 RAS파형은 DRAM 복귀 타이밍 부분이 연속되는 억세스 제어 부분으로서 발생되고, CAS 파형은 캐쉬내에서 데이타의 억세싱이 행해지지 않는 기간에 타이밍 신호가 연속되지 않는 캐쉬 억세싱 타이밍 신호로서 발생되고, DRAM 복귀 동작 개시 수단에 의하여, DRAM 억세싱 및 복귀 동작을 제어하기 위하여 타이밍 신호를 발생하도록 상기 각 칩에 있는 클럭 신호 발생 수단을 구비하고, 상기 DRAM 복귀 동작 개시 수단은, 수신된 RAS 파형이 복귀 타이밍 부분을 제공하고, CAS 파형이 어떠한 억세싱 제어신호를 제공하지 않은 반면에 데이타 저장상태가 페치/저장 상태 신호를 제공받을 때에 DRAM 복귀 동작을 개시하며, 그리고, RAS 파형이 복귀 타이밍 신호를 제공하고, CAS 파형이 데이타 억세싱 타이밍 제어 신호를 제공하는 반면, 상기 각 칩에 데이타를 저장하는 시간보다도 페치하는 시간을 단축하기 위하여 데이타 페치 상태를 페치/저장 상태 신호에 의하여 제공받을 때에 DRAM 복귀 동작을 개시하는 메모리 시스템.
17. 제16항에 있어서, 메모리 시스템내의 칩에 병렬로 접속된 데이타 유니트를 저장하기 위한 메모리 버퍼 수단과, 메모리 제어기(MC)와 메모리 버퍼 사이에 데이타 유니트를 전송하기 위한 메모리 데이타 버스와, 데이타 유니트가 메모리 시스템에서 페치되었을 때에, 메모리 데이타 버스상으로 전송되는 연속 데이타 유니트들 간에 데이타 전송이 없는 공백 기간을 감소시키거나 회피시키는 수단을 메모리 시스템.
18. 제16항에 있어서, 메모리 페치 버퍼 수단과 메모리 저장 버퍼 수단과, 각 버퍼 수단은 메모리 시스템내의 칩과 병렬 접속되어서, 데이타 유니트를 칩에 저장하거나 칩으로 전송하고, 데이타 유니트를 버퍼 수단에 전송하고, 버퍼 수단으로부터 데이타 유니트를 받는 메모리 제어기(MC) 버스 수단과 Me에 연속 메모리 페치 요청을 부여하기 위하여 메모리 시스템에서 억세스되는 데이타 유니트들간에 버스 수단에 데이타 전송이 없는 기간에, 버스 수단에서 전송시간 공백을 축소시키거나 방지하기 위하여 칩에서의 데이타 페칭과 칩에 의한 복귀가 일치하도록, 칩에서의 데이타에 대한 페치 억세스를 제어하기 위한 RAS 제어 수단을 구비한 메모리 시스템.
19. 복수개의 반도체 칩을 가지며, 각 칩에는 적어도 하나의 DRAM 및 소형의 캐쉬와, 캐쉬내에 저장된 DRAM 데이타를 신속히 외부적으로 억세스하기 위하여 각 DRAM 과 캐쉬간에 데이타를 전송하기 위한 수단을 갖는 컴퓨터 메모리 시스템에서, 데이타의 저장 시간에 비해 데이타 페치 시간을 단축하는 방법에 있어서, 칩에 데이타를 저장하는 시간보다 페치하는데 걸리는 시간을 단축하기 위하여, 칩에서 데이타의 각 저장 억세스와 일치하지 않고, 메모리 시스템에서 억세스 된 칩의 캐쉬로부터의 데이타 페이와 캐쉬와 관계된 DRAM의 복귀를 일치시키는 과정을 포함한 데이타 페치 시간 단축 방법.
20. 각 칩은 적어도 하나의 DRAM과 소형의 캐쉬를 포함하고, 캐쉬에서 데이타를 억세싱하고, 데이타를 DRAM 에서 전송하는데 활성 시간을 요하며, 또한 다음의 데이타 억세스를 위한 칩을 준비하기 위하여 DRAM 복귀 시간을 요하는 컴퓨터 메모리 시스템내의 복수개의 메모리 칩을 구동하기 위한 파형 발생 방법에 있어서, 페치 요청 또는 저장 요청이 있는 경우를 결정하기 위해 각 메모리 요청을 검출하고, 메모리 페치 억세스, 메모리 저장 억세스 및 DRAM 복귀에 대한 시차값을 저장하고, 칩 데이타 억세싱과, 억세싱으로부터의 칩 복귀를 제어하기 위하여 각 메모리 요청에 대해 칩 제어 신호를 제1, 제2부분으로 발생하고, 상기 제1부분은 데이타를 저장하는 시간보다 데이타를 페칭하는데 걸리는 시간을 단축하기 위하여, 페치 요청인가 저장 요청인가에 따라 페치 억세스에 대한 시간 또는 저장 억세스에 대한 시간을 이용하여 발생되고, DRAM 복귀 시간을 이용하여 제1부분에 연속되는 제2부분을 발생하여, 다음의 칩 제어 신호를 발생하도록 다음의 메모리 억세스 요청을 요구하는 것을 포함한 메모리 칩 구동 파형 발생방법.
21. 제20항에 있어서, 상기 제1부분은 칩에서의 데이타 억세싱을 제어하고, 제2부분은 다음의 억세스를 인에이블하기 위하여 칩에 의한 복귀를 제어하는데 있어서, 각 페치 및 저장 억세스를 저에하기 위하여 메모리 시스템내의 칩에 칩 제어 신호를 전송하는 것을 포함하는 메모리 칩 구동 파형 발생 방법.
22. 각 칩은 적어도 하나의 DRAM과 소형의 캐쉬를 포함하고, 캐쉬에서 데이타를 억세싱하고, 데이타를 DRAM 에서 전송하는데 활성 시간을 요하며, 또한 다음의 데이타 억세스를 위한 칩을 준비하기 위하여 DRAM 복귀시간을 요하는 컴퓨터 메모리 시스템내의 복수개의 메모리 칩을 구동하기 위한 파형 발생 방법에 있어서, 페치 요청 또는 저장 요청이 있는 경우를 결정하기 위해 각 메모리 요청을 검출하고, 메모리 페치 억세스에 대한 제1시간 값을 저장하고, 메모리 저장 억세스에 대한 제2시간값을 저장하고, 그리고 억세싱으로부터 칩 복귀에 대한 제3 시간값을 저장하며, 각 메모리 요청에 대해 칩 제어 신호를 제1, 제2부분으로 발생하고, 상기 제1부분은 데이타를 저장하는 시간보다 페칭하는 시간을 단축하기 위하여 페치 요청에 대한 제1시간 값이나 저장 요청에 대한 제2시간값을 이용하여 발생되고, 상기 제2부분은 다음의 칩 억세스에 대한 다음의 칩 제어 신호의 발생을 개시하기 위하여 다음의 메모리 억세스 요청의 요구이전에 DRAM 복귀를 위한 시간을 부여하도록 제3시간값을 이용하며 제2부분을 발생하는 것을 포함한 메모리 칩 구동 파형 발생 방법.
23. 제22항에 있어서, DRAM 억세싱 및 보귀 동작을 제어하기 위하여 타이밍 신호를 발생하도록 각 칩위에 클럭 발생 수단을 위치시키고, 페치/저장 상태 신호에 의하여 데이타 저장 상태를 제공받는 한편, 수신된 RAS 파형이 복귀 타이밍 부분을 제공하고, CAS 파형이 어떠한 억세싱 타이밍 제어 신호도 공급하지 않을 때에 DRAM 복귀 동작을 개시하고, 각 칩에서 데이타를 저장하는 시간보다 데이타를 페칭하는데 시간을 단축하기 위하여 데이타 페치 상태는 페치/저장 상태 신호에 의해 공급받는 한편, RAS 파형이 복귀 타이밍 신호를 제공하고, CAS파형이 데이타 억세싱 타이밍 제어 신호를 공급할 때에 DRAM 복귀 동작을 개시하는 것을 포함한 메모리 칩 구동 파형 발생 방법.
24. 제22항에 있어서, 칩에서 최고 순차의 병렬 동작에 따라 저장 가능한 최대의 데이타 유니트보다 작은 부분적이 데이타 유니트를 메모리 시스템에 저장하기 위하여, 메모리 저장 억세스에 대한 메모리 요청을 수신하고, 최대의 데이타 유니트를 저장하기 위하여 파형의 제1부분보다 작은 부분적 데이타 유니트를 저장하기 위하여 제1부분의 파형을 만들도록 제2시간 값보다 작은 제4시간 값을 만들고, 부분적 데이타 유니트를 저장하기 위하여 메모리 요청에 대한 제1부분의 칩 제어 신호를 발생하도록 제4시간값을 사용하는 것을 포함한 메모리 칩 구동 파형 발생방법.
25. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.