KR920001574A - 유기 반도체 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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이우에 사또시
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Abstract

내용 없음

Description

유기 반도체 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 유기 반도체 고체 전해 콘덴서의 실시예를 도시한 도면,
제2도는 본 발명의 제조 방법으로 제조한 콘덴서의 실시예를 도시한 도면.

Claims (7)

  1. 알루미늄, 탄탈, 니오브 등의 분류 작용을 갖는 금속 표면에 양극 산화 또는 양극 화성에 의해 산화막을 설치한 약극박과 그 금속의 얇은 박으로 이루어지는 음극박과의 사이에 세퍼레이터지를 끼워서 감은 콘덴서 소자에 가열 용해가능하며 냉각 고화후 콘덴서용 전해질을 사용하여 얻는 전도도를 갖는 TCNQ착염을 가열 용해해서 함침시키고, 냉각 고화시켜 고체 전해질층을 형성하여 상기 콘덴서 소자를 분체 도료로 피복함과 동시에 상기 분체 도료의 외측을 에폭시 수지로 피복 또는 봉지하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  2. 제1항에 있어서, 분체 도료는 융점 230℃이상의 분말 형태의 무기를 또는 무기화합물과의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  3. 제2항에 있어서, 분말 형태의 활성 백토, 활성 탄소, 규조토, 활성 알루미늄인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  4. 알루미늄, 탄탈, 니오브 등의 분류 작용을 갖는 금속 표면에 양극 산화 또는 양극 화성에 의해 산화피막을 설치한 약극박과 그 금속의 얇은 박으로 이루어지는 음극박과의 사이에 세퍼레이터지를 끼워서 감은 콘덴서 소자에 가열 용해가능하며, 냉각 고화후 콘덴서용 전해질을 사용하여 얻는 전도도를 갖는 TCNQ착염을 가열 용해해서 함침시키고 냉각 고화시켜 고체 전해질층을 형성하여 상기 고체 전해질층상에 분산매를 포함하지 않는 분체 도료층을 형성하여 가열 융해전에 분체 도료층을 열경화성 수지로 비폭하고, 상기 열경화성 수지를 분체 도료를 가열 융해 경화시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 분체 도료는 에폭시계 분체 도표, 아크릴계 분체 도료, 폴리에스테르계 분체 도료중 적어도 허는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
  6. 알루미늄, 탄탈, 니오브 등의 분류 작용을 갖는 금속 표면에 양극 산화 또는 양극 화성에 의해 산화막을 설치한 약극박과 그 금속의 얇은 박으로 이루어지는 음극박과의 사이에 세퍼레이터지를 끼워서 감은 콘덴서 소자에 가열 용해가능하고 냉각 고화후 콘덴서용 전해질을 사용하여 얻는 전도도를 갖는 TCNQ착염을 가열 용해해서 함침시키고 냉각 고화시켜 고체 전해질층을 형성하여, 상기 고체 전해질층상에 휘발성 분산매를 포함하지 않는 분체 도료층을 형성하여 1기압 이상의 수증기고 분체 도료층을 용융시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 분체 도표는 폴리에스테르계 분체 도료인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910010925A 1990-06-29 1991-06-28 유기 반도체 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 KR100199321B1 (ko)

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