KR890004361A - 알루미늄 고체 전해 캐패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

알루미늄 고체 전해 캐패시터 및 그 제조방법 Download PDF

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다다시 에자끼
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히로노스께 이께다
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Abstract

내용 없음

Description

알루미늄 고체 전해 캐패시터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 양호한 실시예에 따른 캐패시터 제조 스텝을 도시한 플로우챠트. 제2도는 본 발명에 따른 알루미늄 고체 전해 캐패시터의 사시도.

Claims (30)

  1. 산화막이 표면상에 형성되어 있는 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박, 및 양극 알루미늄 박과 음극 알루미늄 박을 분리시키기 위한 분리지로 구성되고, 2개의 박 및 분리지가 캐패시터 소자를 형성하기 위해 감겨지며, 분리지의 두께에 의해 결정될 캐패시터 소자내의 2개의 박들 사이의 거리가 10 내지 60㎛사이의 값으로 유지되고, 고체 전해질이 캐패시터 소자내에 함침된 전해액의 열분해에 의해 2개의 박들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터.
  2. 캐패시터 소자를 형성하기 위해 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박을 이 양극 알루미늄 음극 알루미늄 박을 분리시키기 위한 분리지와 함께 감는 수단, 캐패시터 소자내에 질산 망각 전해액을 함침시키는 수단, 및 200℃와 260℃ 사이의 온도 및 20분과 40분 사이의 기간의 조건하에서 전해액을 열분해시킴으로써 전극 박들 사이에 이산화 망간 고체 전해 층을 형성하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 분리지가 열처리에 의해 탄화되는 마닐라지인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 수지로 캐패시터 소자를 모울딩하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 금속 케이스내에 캐패시터 소자를 밀봉시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 캐패시터 소자를 형성하기 위해 산화막이 표면상에 형성되어 있는 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박을 이 양극 알루미늄 박과 음극 알루미늄 박을 분리시키기 위한 분리지와 함께 감는 수단, 이산화 망간 미레분말이 가해지는 캐패시터 소자내에 질산 망간 전해액을 함침시키는 수단, 및 전해액을 열분해시킴으로써 전극박들 사이에 고체 전해층을 형성하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 가해질 이산화 망간의 양이 전해액의 4wt%와 6wt%사이인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 알루미늄 박의 커팅 연부상에 산화막을 형성하기 위해 전기화학 변환 처리를 수행하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 분리지가 열처리에 의해 탄화되는 마닐라지인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 열분해가 200℃와 260℃ 사이의 온도 및 20분과 40분 사이의 기간의 조건하에서 처리되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제6항에 있어서, 수지로 캐패시터 소자를 모울딩하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제6항에 있어서, 금속 케이스내에 캐패시터 소자를 밀봉하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 알루미늄 박들 사이의 거리를 10내지 60㎛사이의 값으로 유지시키면서, 캐패시터 소자를 형성하기 위해 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박을 이 양극 알루미늄 박과 음극 알루미늄 박을 분리시키기 위한 분리지와 함께 감는 수단, 캐패시터 소자내에 질산 망간 전해액을 함침시키는 수단, 전해액을 열분해시킴으로써 알루미늄 박들 사이에 고체 전해층을 형성하는 수단, 및 고체 전해층내에 리튬을 도우핑하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 분리지가 열처리에 의해 탄화되는 마닐라지인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 열분해가 200℃와 260℃사이의 온도 및 20분과 40분 사이의 기간의 조건하에서 처리되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 수지로 캐패시터 소자를 모울딩하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  17. 제13항에 있어서, 금속 케이스내에 캐패시터 소자를 밀봉시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  18. 캐패시터 소자를 형성하기 위해, 산화막이 표면상에 형성되어 있는 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박을 이 양극 알루미늄 박과 음극 알루미늄 박을 분리시키기 위한 분리지와 함께 감는 수단, 캐패시터 소자 내에 질산 망간 전해액을 함침시키는 수단, 전해액의 열분해에 의해 전극박들 사이에 이산화 망간 고체 전해층을 형성하는 수단, 고체 전해질 형성 완료전에 알루미늄 박상의 산화막의 열화를 회복시키기 위해 약산성 용액내에서 전기 화학 변환처리를 다시 수행하는 수단, 캐패시터 소자내에 가해진 탄소를 질산 망간 용액에 함침시킴으로써 이산화 망간 층을 다시 형성하는 수단, 및 이산화 망간층을 형성하는 수단의 양보다 더 많은 양의 질산 망간 용액내에 가해진 탄소 분말을 함침시킨 후에 고체 전해층상의 탄소를 베이킹하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 알루미늄 박의 커팅연부상에 산화막을 형성하기 위해 전기 화학 변환 처리를 수행하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 분리지가 열처리에 의해 탄화되는 마닐라지인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  21. 제18항에 있어서, 이산화 망간을 형성하는 스텝내의 열분해가 처음에 200℃와 260℃ 사이의 온도 및 20분과 40분 사이의 기간의 조건하에서 처리되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  22. 제18항에 있어서, 이산화 망간을 형성하는 스텝내의 열분해가 다시 200℃와 260℃사이의 온도 및 20분과 40분 사이의 기간의 조건하에서 처리되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  23. 제18항에 있어서, 수지로 캐패시터 소자를 모울딩하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  24. 제18항에 있어서, 금속 케이스내에 캐패시터 소자를 밀봉하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  25. 캐패시터 소자를 형성하기 위해 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박을 이 양극 알루미늄 박과 음극 알루미늄 박을 문리시키기 위한 분리지와 함께 감는 수단, 전극 박들 사이에 고체 전해층을 형성하는 수단, 개구를 작고 있는 케이스의 저부에 캐패시터 소자를 고정시키기 위해 수지를 배치시키는 수단, 케이스내에 캐패시터 소자를 삽입시키는 수단, 캐패시터 소자를 수지로 케이스에 고정시키는 수단, 및 고정용으로 사용된 동일한 수지로 케이스의 개구를 밀봉시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 고정용 수지 및 밀봉용 수지가 양호한 내습성을 갖는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, 양호한 내습성의 수지가 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  28. 캐패시터 소자를 형성하기 위해, 리드가 각각 접착되어 있는 양극 알루미늄 박, 음극 알루미늄 박을 이 양극 알루미늄 박과 음극 알루미늄 박을 분리시키기 위한 분리지와 함께 감는 수단, 전극 박들 사이에 고체 전해층을 형성하는 수단, 개구를 갖고 있는 금속 케이스내에 캐패시터 소자를 배치시키는 수단, 바인더를 사용하여 리드들중 한 리드를 금속 케이스의 내부와 전기적으로 접속시키는 수단, 및 졀연 수지로 캐패시터의 개구를 밀봉시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고체 전해 캐패시터 제조방법.
  29. 제28항에 있어서, 바인더가 땜납인것을 특징으로 하는 제조방법.
  30. 제28항에 있어서, 바인더가 도전성 바인딩제인 것을 특징으로 하는 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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