JPS596501A - 回路保護素子 - Google Patents
回路保護素子Info
- Publication number
- JPS596501A JPS596501A JP57115665A JP11566582A JPS596501A JP S596501 A JPS596501 A JP S596501A JP 57115665 A JP57115665 A JP 57115665A JP 11566582 A JP11566582 A JP 11566582A JP S596501 A JPS596501 A JP S596501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- metal oxide
- layer
- voltage
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 M Mix EK Chemical compound 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- HDYRYUINDGQKMC-UHFFFAOYSA-M acetyloxyaluminum;dihydrate Chemical compound O.O.CC(=O)O[Al] HDYRYUINDGQKMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940009827 aluminum acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は過渡的な異常電圧から回路を保護するための回
路保護素子、特に回路保護素子としての金属酸化物バリ
スタに関するものである。
路保護素子、特に回路保護素子としての金属酸化物バリ
スタに関するものである。
電子技術の進歩に伴い半導対素子が多くの電子デバイス
に使用されるようになってきたが、半導(1) 体素子は過渡的な異常電圧に対して弱いことから、電子
デバイスの回路にサージを吸収するための手段を設ける
必要がある。例えば、自動車においては公害規制や安全
規制の強化に伴ない多数の半導体素子を要いた複雑な電
子回路が搭載されている。
に使用されるようになってきたが、半導(1) 体素子は過渡的な異常電圧に対して弱いことから、電子
デバイスの回路にサージを吸収するための手段を設ける
必要がある。例えば、自動車においては公害規制や安全
規制の強化に伴ない多数の半導体素子を要いた複雑な電
子回路が搭載されている。
ところで、自動車で発生するサージのうち、イブニラシ
ロンオフサージ、各種誘導負荷開閉時のサージは、エネ
ルギーがIJ(ジュール)以下と小さいため、ツェナー
ダイオード、金属酸化物バリスタ、あるいはコンデンサ
と抵抗の組み合せで充分に対処することができる。
ロンオフサージ、各種誘導負荷開閉時のサージは、エネ
ルギーがIJ(ジュール)以下と小さいため、ツェナー
ダイオード、金属酸化物バリスタ、あるいはコンデンサ
と抵抗の組み合せで充分に対処することができる。
しかしながら、例えば何等かの原因でバッテリ端子がは
ずれた場合などに発生する。いわゆるロードダンプサー
ジに対しては、そのサージエネルギーが最大300Jと
大きいために、従来のサージアブソーバでは対処できな
い。即ち、ツェナーダイオードは1つのpn接合からな
るダイオードであり、サージエネルギー耐量を高めるた
めには、非富に広い面積、例えば80cIA異常にわた
ってpn接合を作らなければならない。しかし現在の半
導(2) 体技術では、そのような大面積のpn接合をつくること
はむずかしく、製造コストも高くなって、実用的でない
。またコンデンサを使用する場合には、IFという大容
量のコンデンサが必要となり実用的でない。金属酸化物
バリスタは第1図に示すように、バリスタ電圧(図中V
1mA)以下では抵抗が高く電流はほとんど流れないが
、バリスタ電圧を超えると急激に抵抗が変化して電流を
流す特性を有する素子であって、これをサージアブソー
バとして自動車の低電圧回路に使用し、かつエネルギー
耐量を高めるには、熱容量の関係から非常に薄くて面積
の広いシート状素子としなければならないのが、強度的
要求および小型化の要求から実用上大きな問題があった
。
ずれた場合などに発生する。いわゆるロードダンプサー
ジに対しては、そのサージエネルギーが最大300Jと
大きいために、従来のサージアブソーバでは対処できな
い。即ち、ツェナーダイオードは1つのpn接合からな
るダイオードであり、サージエネルギー耐量を高めるた
めには、非富に広い面積、例えば80cIA異常にわた
ってpn接合を作らなければならない。しかし現在の半
導(2) 体技術では、そのような大面積のpn接合をつくること
はむずかしく、製造コストも高くなって、実用的でない
。またコンデンサを使用する場合には、IFという大容
量のコンデンサが必要となり実用的でない。金属酸化物
バリスタは第1図に示すように、バリスタ電圧(図中V
1mA)以下では抵抗が高く電流はほとんど流れないが
、バリスタ電圧を超えると急激に抵抗が変化して電流を
流す特性を有する素子であって、これをサージアブソー
バとして自動車の低電圧回路に使用し、かつエネルギー
耐量を高めるには、熱容量の関係から非常に薄くて面積
の広いシート状素子としなければならないのが、強度的
要求および小型化の要求から実用上大きな問題があった
。
本発明は上記問題点に鑑み、回路保護素子としての金属
酸化物バリスタに関するもので、バリスタ電圧が低くサ
ージエネルギー耐量が大きなかつ小型のバリスタを提供
することを目的牛し、そのためバリスタを積層構造とす
る事によりこの目的を達するものである。
酸化物バリスタに関するもので、バリスタ電圧が低くサ
ージエネルギー耐量が大きなかつ小型のバリスタを提供
することを目的牛し、そのためバリスタを積層構造とす
る事によりこの目的を達するものである。
(3)
詳しく述べると、サージエネルギー耐量は、素子に流れ
る電流により発生するジュール熱にどれだけ耐えられる
かによって決まる量である。したがって、焼結体の熱容
量すなわち、体積を増す事によって解決される。また、
非直線性は種としてZnO粒子とB i 203粒界層
の界面にできたシロソトキー障壁に起因しており、その
トンネル効果によって説明される。1つのシロットキー
障壁の電圧がほぼ決まっているため、バリスタ電圧は電
極間に直列に接続された粒界の数に比例する事になる。
る電流により発生するジュール熱にどれだけ耐えられる
かによって決まる量である。したがって、焼結体の熱容
量すなわち、体積を増す事によって解決される。また、
非直線性は種としてZnO粒子とB i 203粒界層
の界面にできたシロソトキー障壁に起因しており、その
トンネル効果によって説明される。1つのシロットキー
障壁の電圧がほぼ決まっているため、バリスタ電圧は電
極間に直列に接続された粒界の数に比例する事になる。
したがって、低電圧を実現するには、素子の厚さを薄く
するか、粒子径を大きくする事になる。そこで、低電圧
かつ高エネルギー耐量を実現するには、粒子径を大きく
して厚み方向で熱容量をかせぐ方法の開発がすすんでい
るが、そのためには粒子径を200〜300μ位にする
必要があり、このような粒子径のZnOは簡単に製造で
きず得られたとしても多数の前処理工程が必要となり得
策でない。本発明は積層構造にすることにより、巨大粒
子径によって〜もたらせる効果と同様(4) な効果を得ようとするものである。
するか、粒子径を大きくする事になる。そこで、低電圧
かつ高エネルギー耐量を実現するには、粒子径を大きく
して厚み方向で熱容量をかせぐ方法の開発がすすんでい
るが、そのためには粒子径を200〜300μ位にする
必要があり、このような粒子径のZnOは簡単に製造で
きず得られたとしても多数の前処理工程が必要となり得
策でない。本発明は積層構造にすることにより、巨大粒
子径によって〜もたらせる効果と同様(4) な効果を得ようとするものである。
第2.3図に示したモデル図で、その概観をみてみる。
第2図はZnO巨大粒子を含むバリスタである。■はZ
nO低抵抗巨大粒子、2はバリヤーを形成するBi粒界
層である。第3図は本発明の積層構造である。3は低抵
抗の第1の金属酸化物層をなす例えばZnO低抵抗焼結
体層、4はZnoを主成分とし、Bi等が点火されたパ
リス特性を有する第2の金属酸化物層をなす例えばバリ
スタ層である。第3図は第2図におけるZnO低抵抗巨
大粒子1をZnO低抵抗焼結体層3でおきかえてあり、
エネルギー耐量をあげるための体積増加に寄与している
。又、バリスタ電圧は、ZnO低抵抗層間にはさまれた
バリスタ層4の厚みで決定されるようになっている。
nO低抵抗巨大粒子、2はバリヤーを形成するBi粒界
層である。第3図は本発明の積層構造である。3は低抵
抗の第1の金属酸化物層をなす例えばZnO低抵抗焼結
体層、4はZnoを主成分とし、Bi等が点火されたパ
リス特性を有する第2の金属酸化物層をなす例えばバリ
スタ層である。第3図は第2図におけるZnO低抵抗巨
大粒子1をZnO低抵抗焼結体層3でおきかえてあり、
エネルギー耐量をあげるための体積増加に寄与している
。又、バリスタ電圧は、ZnO低抵抗層間にはさまれた
バリスタ層4の厚みで決定されるようになっている。
以下、本発明の一実施例を第3図を用いて説明する。5
は積層型の金属酸化物バリスタである。
は積層型の金属酸化物バリスタである。
3は前記した第1の金属酸化物層に相当するもので酸化
亜鉛に酸化ガリウム、酸化アルミニウム等を添加した低
抵抗層、4は前記した第2の金属酸(5) 化物層に相当するもので酸化亜鉛に酸化ガリウム、酸化
マンガン、酸化アンチモン、そして酸化ビスマンを混ぜ
た電圧非直線層である。6はオーム性電極である。さら
に具体的には、例えば上記セラミック粉末(100部)
に対してポリビニルブチラール樹脂(11部)、ジブチ
ルフタレート (10部)、スパン85(2部) 、M
EK、エタノール、酢酸アルミ等(40部)を混合し、
スラリーを作成する。離型剤処理をしたポリエステルフ
ィルム上にドクターブレード法でシートを形成し、60
℃で乾燥して均質グリーンシートを得る。上記方法で得
られた2種類のシート、すなわち低抵抗層3を形成する
シートとバリスタ層4を形成するシートを交互にラミネ
ートし、1体焼成する。その後、積層体の両端面に外部
電極6を塗布焼付して積層セラミックスバリスタが形成
される。
亜鉛に酸化ガリウム、酸化アルミニウム等を添加した低
抵抗層、4は前記した第2の金属酸(5) 化物層に相当するもので酸化亜鉛に酸化ガリウム、酸化
マンガン、酸化アンチモン、そして酸化ビスマンを混ぜ
た電圧非直線層である。6はオーム性電極である。さら
に具体的には、例えば上記セラミック粉末(100部)
に対してポリビニルブチラール樹脂(11部)、ジブチ
ルフタレート (10部)、スパン85(2部) 、M
EK、エタノール、酢酸アルミ等(40部)を混合し、
スラリーを作成する。離型剤処理をしたポリエステルフ
ィルム上にドクターブレード法でシートを形成し、60
℃で乾燥して均質グリーンシートを得る。上記方法で得
られた2種類のシート、すなわち低抵抗層3を形成する
シートとバリスタ層4を形成するシートを交互にラミネ
ートし、1体焼成する。その後、積層体の両端面に外部
電極6を塗布焼付して積層セラミックスバリスタが形成
される。
ところで、サージエネルギー耐量は前述したように焼結
体の熱容量によって解決される。今300Jを吸収する
ための体積についてはバリスタ比熱(約0.125 4
.、)および比重(5,4怪/c、il)(6) でできる熱容量から300Jが加った場合の湿度上昇を
使用最高温度150°C,熱暴走開始温度200℃を考
慮して50℃以下に抑えようとすると約2.1−の体積
が必要となる。素子直径をφ30でおさえようとすると
厚みが熱容量の関係から約3fi必要になる。現在、粒
子に対する複雑な前処理をせずに素子をつくると第4図
に示すような特性になり、厚み0.7 tm位でバリス
タ電圧25Vが得られる。当然3額だと約100Vとな
り使用できなくなる。そこで本発明のようにZnO低抵
抗層3を0.28層m、非直線層4を0.1 nとして
これらを15層に積層する事により、非直線層Q、 7
**でバリスタ電圧をだし、低抵抗層3、非直線層4
あわせて約’l、 l cn!となり、エネルギー耐量
も満足できる。
体の熱容量によって解決される。今300Jを吸収する
ための体積についてはバリスタ比熱(約0.125 4
.、)および比重(5,4怪/c、il)(6) でできる熱容量から300Jが加った場合の湿度上昇を
使用最高温度150°C,熱暴走開始温度200℃を考
慮して50℃以下に抑えようとすると約2.1−の体積
が必要となる。素子直径をφ30でおさえようとすると
厚みが熱容量の関係から約3fi必要になる。現在、粒
子に対する複雑な前処理をせずに素子をつくると第4図
に示すような特性になり、厚み0.7 tm位でバリス
タ電圧25Vが得られる。当然3額だと約100Vとな
り使用できなくなる。そこで本発明のようにZnO低抵
抗層3を0.28層m、非直線層4を0.1 nとして
これらを15層に積層する事により、非直線層Q、 7
**でバリスタ電圧をだし、低抵抗層3、非直線層4
あわせて約’l、 l cn!となり、エネルギー耐量
も満足できる。
次に本発明の他の実施例について説明する。
1、主成分の酸化亜鉛に酸化ガリウム、酸化マンガン、
酸化アンチモン、酸化ビスマスを添加した電圧非直線物
質(100部)にテルピネオール(25flt)、エチ
ルセルロース(0,5部)加、tて(7) ペースト(非直線1m!4に相当)を作成する。一方、
酸化亜鉛を主成分とし、酸化ガリウム等を添加した低抵
抗粉末を所定の厚さにプレス成形(低抵抗層3に相当)
する。手順はその成形体に所定の厚さまでペーストを塗
布し適度に乾燥させたのち成形体を積層してゆく。所定
の枚数積層した後焼成し、積層体の両端面に電極を塗布
、焼き付けして製品を得る。
酸化アンチモン、酸化ビスマスを添加した電圧非直線物
質(100部)にテルピネオール(25flt)、エチ
ルセルロース(0,5部)加、tて(7) ペースト(非直線1m!4に相当)を作成する。一方、
酸化亜鉛を主成分とし、酸化ガリウム等を添加した低抵
抗粉末を所定の厚さにプレス成形(低抵抗層3に相当)
する。手順はその成形体に所定の厚さまでペーストを塗
布し適度に乾燥させたのち成形体を積層してゆく。所定
の枚数積層した後焼成し、積層体の両端面に電極を塗布
、焼き付けして製品を得る。
2、上記実施例1において、低抵抗粉末を所定の厚さに
プレス成形する。あるいは生シートを作製した後、焼成
して焼結体を作製する。その後、焼結体間にバリスタ特
性を示す生シートあるいはペーストを交互に挿入して再
度焼成し、両端に電極を付は製品を得る。この効果は、
バリスタ特性を発生する添加物が一体焼成に転べ低抵抗
層へ拡散するのを軽減することにある。
プレス成形する。あるいは生シートを作製した後、焼成
して焼結体を作製する。その後、焼結体間にバリスタ特
性を示す生シートあるいはペーストを交互に挿入して再
度焼成し、両端に電極を付は製品を得る。この効果は、
バリスタ特性を発生する添加物が一体焼成に転べ低抵抗
層へ拡散するのを軽減することにある。
以上本発明では次の効果が期待できる。
1、2 n O低抵抗巨大粒子作製の繁雑な工程を省く
ために、例えばZnO低抵抗焼結体などの低抵抗の第1
の金属酸化物層をZnO巨大粒子のかわ(8) りにみたてる事により、エネルギー耐量の大きなバリス
タ素子を得る事ができる。
ために、例えばZnO低抵抗焼結体などの低抵抗の第1
の金属酸化物層をZnO巨大粒子のかわ(8) りにみたてる事により、エネルギー耐量の大きなバリス
タ素子を得る事ができる。
2、低抵抗の第1の金属酸化物層を交互に積層するため
に電極間のバリスタ特性を有する第2の金属酸化物層の
厚さがその分だけ薄くなり、バリスタ電圧を低くおさえ
る事ができる。
に電極間のバリスタ特性を有する第2の金属酸化物層の
厚さがその分だけ薄くなり、バリスタ電圧を低くおさえ
る事ができる。
第1図は金属酸化物バリスタの電圧−電流特性を示す特
性図、第2図は一般に用いられるノ〈リスクの断面構造
を示す図、第3図は本発明の一実施例を示すバリスタの
断面構造を示す図、第4図は本発明素子の電極間素子厚
みとバリスタ電圧との関係を示す特性図である。 3・・・低抵抗の第1の金属酸化物層をなすZnO低抵
抗焼結体層などの低抵抗層、4・・・バリスタ特性を有
する第2の金属酸化物層をなすバリスタ層などの電圧非
直線層、6・・・電極。 代理人弁理士 岡 部 隆 (9) に−にも智魅ト −4−
性図、第2図は一般に用いられるノ〈リスクの断面構造
を示す図、第3図は本発明の一実施例を示すバリスタの
断面構造を示す図、第4図は本発明素子の電極間素子厚
みとバリスタ電圧との関係を示す特性図である。 3・・・低抵抗の第1の金属酸化物層をなすZnO低抵
抗焼結体層などの低抵抗層、4・・・バリスタ特性を有
する第2の金属酸化物層をなすバリスタ層などの電圧非
直線層、6・・・電極。 代理人弁理士 岡 部 隆 (9) に−にも智魅ト −4−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、低抵抗の第1の金属酸化物層とパリスタ特性を有す
る第2の金属酸化物層が所定の枚数交互にiit層され
、かつ積層された最外層の両端面に外部電極が形成され
ている事を特徴とする回路保護素子。 2、バリスタ特性を有する前記第2金属酸化物層の成分
は、前記第1の金属酸化物層成分にバリスタ特性を発生
させる成分を加えたものである事を特徴とする特許請求
の範囲W41項記載の回路保護素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57115665A JPS596501A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 回路保護素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57115665A JPS596501A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 回路保護素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS596501A true JPS596501A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14668262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57115665A Pending JPS596501A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 回路保護素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS596501A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0302496A2 (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Aluminum solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP57115665A patent/JPS596501A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0302496A2 (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Aluminum solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4811164A (en) | Monolithic capacitor-varistor | |
CN104341146A (zh) | 一种高性能避雷器用氧化锌压敏陶瓷材料 | |
JPS596501A (ja) | 回路保護素子 | |
JP2727626B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JPS6332911A (ja) | ノイズ吸収素子 | |
JPS62282411A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗器 | |
JP2870317B2 (ja) | セラミック磁器素子の製造方法 | |
JP3064676B2 (ja) | 積層セラミック磁器素子 | |
JP2705221B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JPS62282409A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗器 | |
JP2822612B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
JP2830321B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
JPH01158702A (ja) | 複合機能電子部品 | |
JP2707707B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
KR100340130B1 (ko) | 정 온도 계수 서미스터와 배리스터 복합소자 및 그 제조방법 | |
JP2853061B2 (ja) | ノイズフィルタ | |
JPS5855605Y2 (ja) | 電圧非直線抵抗器 | |
JP2644731B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗器の製造方法 | |
JPH02240904A (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP2646734B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JPS6410081B2 (ja) | ||
JPH10270214A (ja) | 非直線抵抗体の積層接合体 | |
JP2661246B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JPS6410083B2 (ja) | ||
JPS625606A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |