KR920001455B1 - 초격자 구조의 소자의 제조방법 및 그 제조장치 - Google Patents

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도루 이시따니
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Abstract

내용 없음.

Description

초격자 구조의 소자의 제조방법 및 그 제조장치
제1a도는 본 발명의 1실시예에서의 2차원 다중 양자 웰구조(다중 양자 웰와이어)의 제조공정을 도시한 사시도.
제1b도는 본 발명의 다른 실시예에서의 3차원 다중 양자 웰구조(다중 양자 웰도트)의 제조공정을 도시한 사시도.
제2도는 종래의 1차원 다중양자웰구조를 도시한 사시도.
제3도는 제2도에 도시한 1차원 다중양자웰구조의 위치에 의한 포텐셜의 변화를 도시한 그래프.
제4도는 벌크형 소자의 상태 밀도곡선을 도시한 그래프.
제5도는 1차원 다중양자웰구조의 상태 및 곡선을 도시한 그래프.
제6도는 2차원 다중양자웰구조의 1예를 도시한 사시도.
제7도는 3차원 다중양자웰구조의 1예를 도시한 사시도.
제8도는 제6도에 도시한 2차원 다중양자웰구조의 상태밀도 곡선을 도시한 그래프.
제9도는 제7도에 도시한 3차원 다중양자웰구조의 상태밀도곡선을 도시한 그래프.
제10a∼d도는 종래의 2차원 양잔웰구조의 제조공정을 도시한 단면도.
제11도는 제10d도에 도시한 2차원 양자 웰구조의 발광강도 스펙트럼을 도시한 그래프.
제12도,13도,14도,19도,29도,30도,31도 및 제32도는 본 발명에서 사용할 수 있는 각종의 집속이온 빔 가공장치를 도시한 개략적인 설명도.
제15도는 이온빔 전류와 시간의 일반적인 관계를 도시한 그래프.
제16도는 이온빔 전류와 시간의 개량된 관계를 도시한 그래프.
제17도는 이온빔 조사에 의한 홈가공 경우의 일반적인 가공 상황을 설명하는 개략적인 단면도.
제18도는 이온빔 조사에 의한 홈가공의 경우의 개량된 가공상황을 실명하는 개략적인 단면도.
제20도와 제22도는 이온빔에 의해 가공되고 있는 홈의 일반적인 상황을 설명하는 개략석인 단면도.
제21도는 본 발명의 또 다른 실시예에서의 2차원 초격자 구조를 이온주입에 의해 제조하는 공정을 도시한 사시도.
제23도는 이온빔 유도 에칭을 사용한 이온빔 가공에 의해 형성되고 있는 홈의 개량된 상황을 도시한 개략적인 단면도.
제24도는 2차원 초격자 구조의 홈에 이온빔 유도 CVD법에 의해 절연물을 퇴적하고 있는 공정을 설명하는 개략적인 단면도.
제25도는 이온빔에 의한 처리에서의 공정의 모니터를 도시한 설명도.
제26a,b도, 제27a,b도 및 제28a,b도는 이온빔에 의한 홈가공에 있어서 이온빔의 지름을 변화시키는 프로세스를 도시한 설명도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : GaAs기판 102,104,106 : GaAlAs층
103,105,107 : GaAs층 108,109,110,111 : 홈
113 : 이온빔 112 : 스포트
본 발명은 2차원의 초격자구조(소위 양자 웰와이어) 및 3차원의 초격자구조(소위 양자 웰박스)와 이것을 사용한 HEMT(High Electron Mobility Transistor), 반도체레이저. OEIC(Optoelectronic Integrated Circuit)와 같은 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 예를들면 제2도에 도시한 1차원 헤태로 초격자구조가 알려져 있다.
이와같은 초격자구조는, 예를들면 일본 물리학회 편집 “반도체초격자의 물리와 응용”, P.85∼87, 또는 P.M. Petroff등의 “Appl. phys. Lett”., 41(1982).P.635∼638에 기재되어 있다.
이 1차원 초격자구조는 GaAs의 기판(201)위에 분자빔 에피택시(MBE), 또는 유기금속 화합물에 의한 기상성장법(MOCVD), 유기감속화합물에 의한 분자빔 에피택시(MOMBE)법등에 의해 여러층의 GaAlAs(202),(204),(206),(208) 및 여러층의 CaAs(203), (205), (207)을 1층씩 교대로 Z방향으로 성장시킨 것이다. 이와같은 구성의 초격자에서는 GaAs와 GaAlAs에서 전자 친화력 및 에너지 갭이 다르기 때문에 제3도에 도시한 바와같이 다른 레벨의 전도대 및 가전자대가 교대로 나란히 있는 것에 의해, 예를들면 X=0.25의 경우 AlxGal-xAs의 전도대의 바닥은 GaAs의 전도대의 바닥보다 0.3eV만큼 높고, AlxGal-xAs의 가전자대의 정상은 GaAs의 그것보다 0.06eV 만큼 낮게 되어서 제3도와 같이 GaAs가 웰(well), AlGaAs가 장벽(barrier)으로 된 웰형 포텐셜이 형성된다. 여기데 Al의 조성 X를 변화시킬 때 장벽의 높이는 X에 비례한다.
이상이 1차원의 초격자구조, 즉 양자웰이고, 장벽의 폭이 충분히 클때 전자는 포텐셜의 웰에 밀폐되어서 국부적으로 존재하게 된다. 또, 전자는 장벽의 폭이 좁은 경우 작은 미니밴드(서브밴드)를 전도대내에 형성해서 초격자내를 돌아다닐 수 있다.
이와같은 1차원 양자웰구조에서 각 에너지에 대한 전자의 상태밀도D(E)를 표시한 상태밀도곡선은 벌크의 경우의 포물선의 상태밀도곡선 제4도와는 달리 제5도의 실선으로 도시한 바와같이 계단형상으로 된다.
이상과 같이 1차원 초격자는 극히 인공적인 구조를 갖고 있어 그 에너지구조가 특수한 것이므로 이것을 사용한 반도체 레이저나 FET(전계효과형 트랜지스터)등에서 통상의 벌크형의 구조에서는 얻어지지 않는 뛰어난 특성이 얻어지고 있다.
예를들면, 반도체 레이저에 있어서는 벌크형에 비해서, (1)주입전류의 임계값이 저하되고, (2)온도 안정성이 향상되고, (3)이득이 향상되며, (4) 응답속도가 향상된다는 등의 효과가 얻어지고 있다.
이와같은 1차원의 초격자에 대해서 2차원, 3차원의 초격자구조가 고려되며, 그 특성이 이론적으로 계산되어 있다.
상기 2차원, 3차원이 초격자구조의 아이디어는, 예를들면 “H.Sakai, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.19(1980), No.12, P.L735∼L738” 및 “Y. Arakawa and H Sakai, Appl.phys.Lett., vol.40(1982), p.939∼941”에 지재되어 있다.
제6도에 도시한 2차원 초격자(Ouantuin Well Line 또는 Quantum Well Wire)는 상술한 Z방향으로 2종의 재료를 적층한 것에 대하여 y방향으로도 주기적인 포텐셜 장벽(601), (602)를 형성한 것이다. 제7도에 도시한 3차원의 초격자구조(Quantum Well Box 또는 Quantum Well Dot)는 y방향의 주기적인 포덴셜장벽(701), (702)외에 x방향으로도 주기적인 포텐셜 장벽(711), (712)를 형성한 것이다.
여기에서, x방향, y방향의 포텐셜 장벽(601), (602), (701), (702), (711), (712)‥‥등은 z방향의 GaAs, GaAlAs와 같이 교대로 다른 재료에 적층할 필요는 없고, 공간적 캡을 형성하는 것에 의해 포텐셜장벽을 형성하여도 좋다.
제6도, 제7도의 2차원, 3차원 초격자에 대한 상대밀도곡선은 각각 제8도, 제9도와 같이 되고, 각각 전자기 1차원 또는 0차원으로 국소적으로 존재하는 것에 의해 에너지의 좁은 영역에 상태밀도가 더욱 집중하는 상태를 볼 수 있다. 이때문에 이것을 사용한 반도체 레이저에서는 상술한 바와같은 (1)∼(4)와 같은 특징이 더욱 향상하는 것이 예측되고 있다.
그러나, 이와같은 2차원, 3차원의 초격자구조에 대해서는 종래 적당한 제조방법이 없었다. 이것은 z방향의 적층구조에 대해 x방향이나 y방향에 고정밀도로 좁은 포텐셜 웰, 장벽을 교대로 형성하는 수단이 존재하지 않았기 때문이다.
알려져 있는 실시예의 하나로써 상기 petroff등에 의한 시도를 제10a도∼제10d도에 도시한다. 이것은 GaAs기판(1001)위에 분자빔 에피택시법등의 수단에 의해 Ga0.75Al0.25As(1002), GaAs(1003), Ga0.75Al0..25As(1004), GaAs(1005). Ga0.75Al0.25As(1006), GaAs(1007)을 교대로 성장시킨 1차원 초격자의 최상층의 포토레지스트를 도포하고, 전자빔 리도그래프등의 수단으로 형성한 마스크를 사용해서 노출 및 현상을 실행하는 것에 의해 제10a도와 같이 폭이 약 2μm의 스트라이트형상의 레지스트(1008)을 남긴다. 여기에서 스트라이트의 긴쪽방향은 지변에 대하여 수직 방향이다.
그후 화학에칭을 실행하면 스트라이트 형상의 레지스트가 존재하므로 제10b도에 도시한 바와같이 레지스트의 하부에도 (1009), (1010)과 같이 경사지게 에칭이 지진행되어 결국에는 제10c도와 같이 대형 또는 삼각형의 단면(1011), (1012)의 소재를 남겨서 에칭을 종료시킬 수 있다. 그후, 남은 레시스트(1008)을 박리하고, 또 분자빔 에피택시법등에 의해 제10d도에 도시한 바와같이 전면에 에너지 갭이 큰 Al0.31Ga0.69As의 막(1013)을 형성해서 보호한다.
이와같이 해서 제작한 구조는 단면의 가로 방향의 치수가 각각 다른 다층 와이어구조로 되지만 최상층의 양자 웰와이어(1014)의 단면 치수는 200Å×200Å정도로 할 수 있어 2차원 초격자의 양자효과를 기대할 수 있는 치수로 된다.
저온(약20K)에서의 음극 발광의 측정에 의하면 제11도와 같이 본래의 1차원 초격자에서의 피크(1101)외에 보다 단파장쪽에 2차원 양자효과에 의한 새로운 발광의 피크(1102)가 얻어지고 있다.
그러나, 강술한 바와같이 종래의 Petroff등의 2차일 초격자(양자웰와이어)의 제조방법에는 다음과 같은 결점이 있었다.
(1) 각층의 폭이 같은 앙자웰와이어에서는 주기성의 효과에 의해 상기 제8도에 도시한 바와같은 특유의 포텐셜이 명확하게 나타나는 것이지만, 상기 Pctroff등의 2차원 초격자와 같이 단면이 삼각형이므로 각층의 폭이 서로 다른 주기성의 효자가 좀처럼 나타나지 않아 2차원 양자 웰와이어의 본래의 특성이 나타나기가 곤란하다.
(2) 레지스트 하부의 경사 에칭을 사용하고 있지만, 이 방법으로 단면 형성을 제어하는 것은 곤란하므로 양자웰와이어의 선폭의 제어가 곤란하다.
(3) 이와같은 패턴을 가로방향으로 반복하면 다중 양자웰와이어를 형성할 수 있다. 그러나, 그 간격을 수μm이내로 하는 것이 곤란하여 다중성(주기성)의 효과는 좀처럼 나타나지 않는다.
(4) 초격자의 주기, 간격, 선폭, 깊이(x방향)를 목적으로 하는 소기의 특성에 따라서 임으로 변화시키기 위해서는 마스크 패턴에서 다시 만들 필요가 있어 많은 노동력과 시간이 필요하게 된다.
(5) 마스크를 사용하지 않고 전자빔 직접 리도그래피에 의해 레지스트의 노출을 실행해서 상기 패턴을 형성할 수도 있다.
이경우(4)에 기재한 초격자의 주기, 간격, 선폭등을 비교적 용이하게 변화시킬 수 있다. 그러나, 이 경우에서도 레지스트 패터닝과 에칭의 프로세스를 사용하므로 상기 파라미터를 높은 정밀도로 제어하는 것은 곤란하여 많은 노동력을 요한다.
그외에 2차원 또는 3차원의 양자웰의 제조에 대해서 에칭프로세스를 사용하는 것으로써 일본국 특허공개공보 소화 60-250684, 61-222190, 집속 이온빔에 의한 주입을 사용한 것으로써 일본국 특히 공개 공보소화 62-42481, 62-36886, 62-108592, 분자빔 에피택시의 특별한 수단을 사용한 것으로써 일본국 특허공개공보 소화 62-89383을 들을 수 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하여 뛰어난 특성을 갖는 2차원, 1차원의 양자 웰구조 또는 초격자구조의 소자를 고정밀도로, 또한 용이하게 제조할 수 있는 초격자 구조의 소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 있어서는 고휘도의 전계 전리형의 이온원(예를들면, 액체금속 이온원, 국저온가스 전계전리형 이온원)을 정전렌즈등의 이온빔 광학계에 의해 지름이 0.1μm이하, 특히 0.05μmwjd도 또는 그 이하의 미세빔으로 접속하고, 1차원 양자웰, 예를 들면 GaAs와 GaAlAs의 적층부에 조사해서 이것에 적어도 2개의 홈가공 또는 불순물의 주입을 실행하여 다수의 좁은 와이어로 분할해서 2차원의 양자웰을 형성한다.
또 상기한 방향과 직교하는 방향에 대해서도 적어도 2개의 홈가공 또는 불순물 주입을 실행하여 격자형으로 분할해서 3차원의 양자웰을 형성한다. 이상에 의해 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
즉, 본 발명의 초격자구조의 제조방법 또는 초격자구조의 소자의 제조방법은 고휘도의 이온원에서의 이온빔을 정전렌즈등의 이온빔 광학계에 의해서 지름이 0.1μm이하의 미세한 스포트로 집속하고, 1차원 헤테로 초격자구조의 층의 방향으로 직선형상으로 주사하면서 조사해서 적어도 2개, 또는 다수의 홈가공을 실행하고, 또는 홈형에 불순물을 주입 또는 상기 가공후의 홈내에 이온빔 유도 CVD법에 의해 절연물을 퇴적하는 등의 방법에 의해 포텐셜 장벽을 형성하는 공증을 갖는 것이다. 홈 또는 홈형 불순물 주입부분의 깊이는 통상 기판까지로 하지만, 이것에 한정될 필요는 없다.
상기 이온빔의 조사는 통상 조사장치의 가능한 범위에서 1차원 초격자층에 대략 수직방향으로 실행한다.
상기 1차원 초격자구조의 재료의 조합, 즉 웰층의 재료와 장벽층의 재료의 조합은 상기한 GaAs/AlxGa1-xAs외에 III-V족 화합물계에서 격자정합성이 양호한 것, 예를들면 Gap/AsAsxP1-x′GaAs/InxGa1-xAs, InxGa1-xAs/InyAl1-y, InP/GaxIn1-xAsyP1-y등을 들 수 있고, 또는 II-VI족 화합물에서 격자정합성이 양호한 재료의 조합도 가능하다. 또, 기판의 재료에는 통상 상기 웰층의 재료를 사용하지만 1차원 초격자와 격자 정합성이 좋은 다른 재료를 사용하는 것도 가능하다.
1차원 초격자가 GaAs의 웰층과 GaAlAs의 장벽층으로될 때 두께는 300Å이하로 되고, 더욱 바람직하게는 200Å 이하, 가장 바람직하게는 100Å이하로 하는 것이 일반적이다. 2차원 초격자의 웰층의 폭, 3차원 초격자의 웰부분의 3차원 격자의 각 변의 길이에 대해서도 마찬가지로 한다. 따라서, 일반적으로 2차원 초격자의 웰층의두께, 폭 및 3차원 초격자의 웰부분으로되는 육면체의 각 변의 길이에 대한 제한은 그것과 같은 재료의 조합의 1차원 초격자의 웰층의 두께에 대한 제한과 거의같다.
또, 본 발명에 있어서 블랭크(blank)로써 사용하는 1차원 초격자구조는 상기의 예에 한정되는 것은 아니고, 종래 알려져 있는 것을 포함하는 이온빔 조사에 의한 홈가공, 또는 불순물의 이온 주입이 가능한 모든 1차원 초격자구조를 사용할 수 있다.
각 차원의 초격자구조의 포텐셜 장벽부분에 대해서 특히 치수의 제한은 없다.
단 그 초격자구조가 장치에 조립되어 있는 경우에는 그 장치 특유의 특성에 의한 장벽부분의 치수 한정이 있을지도 모른다.
1개의 초격자구조에서의 포텐셜웰의 수는 1개이상으로하고, 특히 상한은 없다.
본 발명에 있어서 사용하는 이온빔의 집속 스포트의 직경은 상기와같이 0.1μm이하, 더욱 바람직하게는 0.05μm이하로 한다. 스포트 지름이 이것보다 크게 되면 가공된 홈의 측벽의 코너 근방이 처지는 경향이 발생함과 동시에 홈측벽과 1차원 초격자층과의 이루는 각도도 수직에서 약간 떨어지는 경향이 발생하여 바람직하지 않다.
또 가공정밀도를 웰부분의 치수(300Å이하)정도, 또는 그 이상으로하기 위해서도 이온빔의 스포트 지름은 0.1μm이하, 가능하면 0.05μm이하로 하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 있어서, 고휘도의 전계 전리형 이온원은 바늘형 탭(tip)의 선단에서 높은 전류밀도로 이온화 물질의 이온을 인출하는 것이므로, 정전렌즈등의 이온빔 광학계에 의해 집속한 경우 극히 좁은 스포트로 집속할 수 있고, 또한 충분한 전류를 얻을 수가 있다.
특히, 정전렌즈로써 2단 내지 3단 이상의 렌즈계를 사용하면 배율을 크게 취할수 가 있어 액체 금속이온원을 가용하는 경우 0.1∼0.051μm내지 그 이하의 극히 미소한 빔을 얻을 수가 있다.
특히, 이온원으로써 극저온의 기상(gasphase)의 전계 전리형 이온원을 사용한 경우에는 액체금속 이온원과 달리 수 10nm의 테일러콘(Taylor Cone)을 바늘의 선단에 형성하지 않을것 및 집속 스포트 지름을 결정하는 요인이 에너지 폭이 0.1eV정도로 액체금속 이온원의 경우보다 1자리수 이상작을 것등에 대해서 10nm이하로 집속할 수도 있다. 또 이온빔은 편향전극 및 그 제어계에 의해 고정밀도의 편향을 실행할 수 있으므로 양자웰의 선폭, 깊이, 간격등을 임의로 또한 고정밀도로 제어할 수 있고, 또한 각층의 선폭을 일정하게 할 수 있어 웰의 간격을 마이크론 이하의 치수로 형성할 수가 있다.
사용하는 이온원의 원소로써는 Ga가 가장 널리 사용되고 있다. 또 그외에 In,Si,Sn,Bi,Pb,Ni,Al,Au,Cu등의 원소도 사용된다. 또한, AuSiBe, AlSi, PdNiSiBeB, CuP, SnPbAs, AuSb, AuSi등의 합금도 사용된다. 그외에 실험에 의해 좋은 결과가 얻어진 것이라면 다른 재료라도 좋다.
제1a도에 본 발병에 의한 2차원 초격자의 제작방법의 예를 도시한다.
GaAs기판(101)상에 분자빔 에피택시 또는 MOCVD법등에 의해 GaAlAs층(102), GaAs층(103), GaAlAs층(104), GaAs층(105), GaAlAs층(106), GaAs층(107)(모든 GaAs층의 두께는 약 60Å, GaAlAs층의 두께는 약 80Å으로 하였다)과 같이 교대로 수십층에서 수백층의 웰층(GaAs층)과 포텐셜 장벽층(GaAlAs층)의 에피택시층을 성장시킨 1차원 초격자 재료에 대해서 액체 금속 이온원 또는 극저온의 가스 전해전리형 이온원등의 출력 1μA∼10μA의 고휘도 이온원에서의 이온빔(113)을 정전렌즈에 의해 0.1μm이하의 스포트(112)로 접속하여 평향 주사시키면서 조사하는 것에 의해 상기 재료를 표면에서 스퍼터 가공하여 홈(108), (109), (110), (111)을 형성한다. 홈(111)은 가공중이다. 여기에서 대략의 치수를 교시하면 가공에 의해 남긴부분의 폭 a는 수 10nm, 홈폭b는 수 10nm, 헤테로 에피택시층의 두께 c는 약 70nm, 홈의 길이 d는 수 100μm이상이다.
여기에서 이온빔을 50nm정도로까지 미세화하는 것에 의해 가공홈의 정밀도를 10nm이내로 얻을 수가 있다. 또 이온빔 가공의 특징인 스퍼터링에 의해 대단히 예리한 에지형상이 얻어진다. 도면에 있어서 이온빔(113)은 e방향으로 0.1μm/sec∼100μm/sec의 속도로 주사되면서 f방향으로 이동되어 면형상의 주사를 실행하고, 이것을 반주하는 것에 의해 홈(111)을 가공하고 있다. 그러나. 이 반복 주사방법은 여러가지의 다른 방법이 가능하다. 이와같이 가로방향으로 수10개 이상을 다수의 홈을 형성하는 것에 의해서 2차원의 초격자 양자 웰와이어를 형성할 수 있다. 즉 이 경우 이온빔(113)에 의해서 가공된 홈은 포텐셜 장벽으로 된다. 홈폭 b를 변화시키는 것에 의해 전자의 양자 와이어로의 국부적인 존재의 정도를 변화시킬 수가 있다.
제1b도는 또 상기와 같이 해서 형성된 각 홈(108), (109), (110), (111′)에 직교하는 방향에도 집속 이온빔으로 홈가공을 실행하여 홈(114), (115), (116), (117)을 형성한 것이다.
포텐셜 장벽이 에피택셜층내의 직교하는 2방향에 있으므로 3차원의 초격자(양자 웰박스)를 형성할 수가 있다.
제12도에 본 발명에 관한 2차원, 3차원 초격자를 형성하기 위한 집속 이온빔 가공장치를 도시한다. 진동방지대(1225)상에 설치되어 10-6Torr이하의 진공으로 유지된 진공실(1201)중에 있어서 고취도의 이온원(도면에서는 액체금속 이온원)이 가속전압용 전원(1200)에 의해서 가속 전압분만 플로트된 선단 히터전원(1202)에 의해 통전가열되고, 필라멘트(1203)의 선단에 붙여진 용융금속에서 인출전극용 전원(1204)에 집속된 인출전극(1206)에 의해 형성된 전계에 의해서 이온빔이 인출된다. 전극(1207), (1208)은 인출전극과 함께 제1의 정전렌즈를 형성한다. 렌즈 전극용전원(1205)는 렌즈전극(1207)에 인가하는 렌즈전압을 출력한다. 이온빔은 제1렌즈(1206), (1207), (1208)에 의해 대략 평행한 빔으로 되고, 빔 제한 구경(1209)에 의해 그의 지름이 제한 된후, 블랭킹전극용 전원(1217)에 의해 구동되어 고속으로 빔을 ON-OFF하기 위한 블랭킹전극(1210) 및 블랭킹용 구경(1211)을 통과하고, 편향 제어전원(1218)에 의해 구동되는 2조의 편향전극(1212), (1213)에 의해서 편향된 후 3개의 전극(1214), (1215), (1116)으로 되는 제2의 정전렌즈로 입사한다. 이 경우, 제2렌즈에서는 중앙의 렌즈만이 제2렌즈 전원(1219)에 의해 전압이 인가되어 있다. 이 제2의 렌즈에 의해서 이온빔은 집속되어 시료 스테이지(1223)상의 시료(1222)에 조사된다.
2차 하전입자 검출기(1221)은 이온빔의 조사에 의해 시료에서 방출되는 2차 전자 또는 2차 이온을 포착해서 이것을 증폭하여 편향신호에 동기 시켜서 디스플레이(1220)상에 주사이온상으로써 표시하고, 이것에 의해 시료의 관찰을 실행할 수가 있다. (1224)는 시료 교환용 로더이다.
이 장치에서는 렌즈를 2단으로 사용하고 있으므로 통상 1단의 렌즈에 비해서 배율을 크게할 수 있다. 따라서 대단히 미세한 빔(0.1∼0.05μm)에서도 충분히 큰 전류(50pA∼300pA)를 얻을 수가 있어 충분한 가공이나 검출을 실행할 수 있다. 또 이와같은 미세한 빔으로 초격자의 샘플을 검출하면서 빔을 편향시켜서 제1도에 도시한 바와같은 2차원, 3차원의 초격자의 가공을 실행할 수 가 있다.
다음에 상기 제12도에 도시한 장치의 개량형의 실시예를 설명한다.
제13도는 가공위치 정밀도를 향상시키기 위해 레이저 측정 기(1301)을 사용한 이온빔 가공장치의 예이다.
레이저 측정기(1301)에서의 레이저광(1303)은 간섭 프리즘(1305)를 통과한후 창(1302)을 통과하고, 시료스테이지(1223)에 부착된 반사 미러(1304)에 의해 반사되어서 원래의 경로로 되돌아간다. 이것에 의해 스테이지의 위치를 100nm의 자리수로 검출할 수가 있다. 온도에 의한 드리프트, 시료나 정전광학계가 전하에 의해 대전하는 것에 의한 이온빔의 드리프트등에 대해서도 일정시간 간격으로 타겟마크를 탐색하여 고 위치를 레이저 측정기로 리드해서 그 값에 의해 빔 편향량을 보정하는 것에 의해서 상기한 드리프트의 영향을 없게 할 수가 있어 100nm자리수 이내의 고정밀도의 가공을 실행할 수가 있다.
제14도는 이온빔의 전류가 드리프트를 갖는 경우에 있어서 가공시간을 변화시켜서 가공의 길이를 제어하도록한 이온빔 가공장치이다.
이것은 다음과 같은 문제를 해결하는데 사용한다.
제15도에 있어서. 세로축은 이온빔전류i, 가로축은 시간t를 표시한다.
이온빔 전류는 일반적으로 반드시 안정하지않고, 제15도와 같이 변동하면서 드리프트하는 경우가 많다. 시료를 가공하는 경우에 제17도와 같이 깊이 A까지 가공하는 것을 목표로 한다. 가공 체적 V0와 이온빔 전류 i0및 가공 시료의 스퍼터율(또는 가공속도 계수)에서 가공시간 t1이 구해지지만 그대로 가공해서 t1에서 가공을 멈추면 조사된 전류는
Figure kpo00002
i(t)dt으로 되어 i0t1보다 제15도의 c의 면적만큼 적으므로 제17도에 도시한 실제의 가공깊이 B가 얕게 되고 만다. 그래서 제14도에 있어서 이온빔 전류의 변동을 인출전극(1206)으로 유입하는 전류 I0를 전류계(1401)에 의해서 검출하고, 그 값을 표시하는 전류를 A/D변환기(1402)에 의해 디지탈신호로 변환해서 광결합기(1403)을 거쳐서 CPU(Central Processing Unit)(1405)로 입력한다.
CPU(1405)는 순차적으로 ∫i(t)dt 또는 Σ(t)△t를 산출한다. 인출전극으로 유입하는 전류 I(t)와 시료에 조사된 이온빔 전류 i(t)사이에는 일반적으로 비례관계과 성립하므로 비례정수는 K로해서 i(t)=KI(t)에 의해 CPU(1405)에서 i(t)를 구하고, 또한 순차적으로
Figure kpo00003
i(t)dt 또는 i(t)△t를 계산해서 이것이 목표값 i0t1과 같게된 시점에서 블랭킹전원(1217)을 동작시켜 시료에 조사된 이온빔 전류를 정지시킨다.
이 경우
Figure kpo00004
i(t)dt이고, 제16도중에서
Figure kpo00005
i(t)dt의 면적 D는 면적 C와 같다.
제18도에서는 가공깊이 B를 목표값 A에 높은 정밀도로 일치시킬 수가 있다.
제19도에 도시한 장치는 지금까지의 실시예에 비해서 많은 새로운 점을 포함하고 있다. 먼저 이온원(1908)로써 합금 이온원, 예를들면 Au-Si, Au-Si-Be, Al-Si, Pd-Ni-Si-Be-B, Ni-B, As-P등을 사용하고. 또한 빈 필터(wien filter)(1901)과 질량 분석용 구경(1902)를 사용하여 빈 필터의 자계를 코일로 흐르게 하는 전류를 변화시키는 것에 의해 바꾸고, 이것에 의해 인출된 이온빔을 질량분석용구경(1902)를 통과해서 시료(1222)에 도달시킨다. (1903)은 필터용 전원이고, 이온의 종류로써 합금의 조성 원소중에서 대응하는 것만을 선택할 수 가 있다.
이 효과로써는, 예를들면 제20도에 도시한 바와같이 가공용 이온원으로써 Ga의 이온빔(2001)을 사용했을때, GaAs시료(1222)의 구멍밑에 Ga이온(2002)가 부분적으로 주입되고, 또 과잉된 Ga이온(2003)이 입자형상으로 시료 표면에 석출되어 초격자의 특성에 나쁜영향을 주는 것을 들수 있다.
제19도의 실시예에서는 이것에 대해서 As합금의 이온에서 빈 필터에 의해 As만을 인출해서 시료에 조사한다. 이것에 의해 초격자의 조성과 동일량으로 되도록 Ga,As를 조사하는 것에 의해 Ga만 조사한 경우의 특성으로의 영향을 제거할 수 있다.
또, 본 방식에 의하면 가공에 의하지 않고 주입에 의해서도 2차원의 초격자를 제작할 수 있다. 이것을 제21도에 도시한다. 즉 GaAs기판(2101)상에 GaAlAs(2102), GaAs(2103), GaAlAs(2104), GaAs(2105), GaAlAs(2106), GaAs(2107)과 같이 적층한 시료에 있어서, 예를들면 Au-Si합금 이온원에서 인출한 Si의 이온빔(2108)을 100KV내지 그 이상의 가속전압으로 주입하는 것에 의해 주입된 부분(2109)의 결정격자를 흐트려뜨려서 이것을 포텐셜 장벽으로 해서 2차원, 3차원의 초격자를 제작할 수가 있다.
제19도에 있어서 가스 노슬(1909)는 이것에 의해 이온빔 유도에칭용 또는 이온빔 유도 CVD용 가스를 도입해서 시료(1222)에 조사하기 위한 것이다.
먼저, 이온빔 유도 에칭용 가스를 노즐에서 도입하는 경우에 대해서 설명한다. 집속 이온빔 가공에 있어서는 가공구멍의 벽이 스퍼터 가공되는 장소와 같이 가깝게 존재하므로 스퍼터 제거된 원자가 벽에 대량으로 부착된다는 현상이 존재한다.
제22도에 있어서 이온빔(2201)을 조사하는 경우, (2202a), (2202b), (2202c), (2202d)는 스퍼터된 원자, (2203)과 (2204)는 이스퍼터된 원자가 구멍의 측벽에 다시 부착해서 생긴 층이다.
이와같이 대량의 재부착층이 형성되므로 가공속도가 늦다는 것, 가공단면 형상이 가공시의 반복주사의 조건(예를들면, 빠른 주사속도로 여러번 반복해서 가공하던가, 늦은 주사속도로 한번만 가공하던가)등에 의해서 다르다는 것, 수직인 단면 현상을 얻기 힘들다는 것등의 문제가 있었다. 그래서 제23도에 도시한 바와같이 에칭 가스로써 Cl2등의 재료를 가스노즐(1909)에서 도입해서 이온빔 조사부에서 이들의 가스가 이온빔(2201)의 에너지에 의해 해리되어 시료(1222)의 재료와 결합해서 승화성의 물질을 형성하여 샘플재료을 에칭 제거한다는 이온빔 유도에칭을 사용하는 것에 의해 제23도에서 볼수 있는 바와같이 재부착층이 존재하지 않고 예리한 단면형상의 가공홈을 고속으로 형성할 수 있다.
제24도는 이온빔 유도 CVD법의 예를 도시한다.
2차원, 3차원 초격자를 제1a,b도와 같이 제작하는 경우, 형성된 홈을 그대로 방치해두면 이물질의 혼입, 홈의 파괴, 측벽의 산화, 수분의 부착등에 의해 소자로써의 특성에 영향을 받는다. 그래서 CVD용가스로써 실란 SiH4와 산소 O2를 노즐(2402)에서 도입하면서 이온빔(2401)을 가공홈부에 조사한다. 이것에 의해 si 및 O2가 이온빔 조사부에서 반응하면서 성장해서 SiO2막(2403)이 퇴적한다.
이것에 의해 퇴적부(2404), (2405)와 같이 홈을 매입하여 형성된 홈의 보호, 안정성, 비활성화를 도모할 수 있다.
제19도에 있어서 스테이지(1223)에서의 케이블(1905)가 진공실(1201)의 외부로 인출되어 임소 전류계(1906)을 거쳐서 접지(1907)과 접속되어 있다. 이것은 이온빔에 의한 프로세스의 모니터용이다. 이 상황을 제25도에 도시한다. 즉, 이온빔(2501)은 하전입자의 흐름이므로, 이와같이 조사되면, 기판으로의 전류의 유입이 일어나 그 전류를 미소전류계(1906)에 의해 검출할 수 있다. 이 검출전류는 이온빔으로 제거 가공하는 경우 초격자의 각 층(GaAs 또는 GaAlAs)을 제거할때마다 변동한다. 또 최후에 GaAs기판에 도달하면 크게 변동한다. 이것에 의해 가공깊이를 모니터할 수 있다.
특히 몇층가지 제거되었는가를 알수 있다.
다음에 제21도와 같이 Si를 주입한 경우도 주입량이나 깊이에 따라서 미소 전류게로 흐르는 전류가 변화하므로 이들을 모니터할 수 있는 제24도와 같이 레이저 CVD에 의해 퇴적막을 형성하는 경우에 있어서도 절연물의 퇴적두께에 따라서 측벽의 GaAs/GaAlAs로 전하가 유출하는 경로 및 그 거리가 변화하므로 유출하는 전류가 변화하는 것으로 된다. 이상에 의해 퇴적부의 두께를 모니터할 수 있다.
또, 제19도의 장치에는 가변구경(1904)가 부착되어 있다. 이것은 몇개인가의 지름의 빔제한 구경을 진공도입단자를 사용해서 진공실의 바깥에서 전환되도록 한 것이다. 이것에 의해 조사하는 이온빔의 지름을 변화시킬 수 있다. 그 작용을 제26a,b도, 제27a,b도, 제28a,b도에 도시한다. 제26a도, 제27a도, 제28a도는 큰 구경지름을 사용했을때, 제26b도, 제27b도,제28b도는 작은구경 지름을 사용한 경우이다.
가변구경(2601)이 큰 지름의 구경(2602)를 사용할때 이온빔(2604)는 굵은 빔(2605)로써 구경을 통과하여 제2렌즈(2606)에 의해 집속되어서, 예를들면 직경이 0.2μm이상의 굵은 스포트(2607) 또는 (2610)으로 된다. 마찬가지로 제26b도, 제27b도에 있어서는 좁은 구경(2603)으로 전환했을때에 좁은 빔(2614)가 통과하여, 예를들면 직경이 0.1μm이하, 더욱 바람직하게는 0.05μm이하의 좁은 스포트(2609) 또는 (2611)이 얻어지는 것을 도시한다.
제28a,b도는 이들의 가변 빔지름의 사용방법의 1예를 도시한 것이다.
즉, 제1a,b도에 도시한 2차원, 3차원의 양자웰홈구조를 이온빔으로 가공하는 경우, 전면을 좁은 빔으로 가공하면 대단히 긴시간이 걸린다. 그래서 가공시간을 단축하기 위해 제28a도에 도시한 바와같이 먼저 시료(2608)의 가공홈의 중앙부(2612)를 굵은 스포트에 따라서 큰 빔전류로 가공한다. 이 경우 고속으로 가공된다. 단 빔지름이 굵으므로 가공정밀도는 좋지 않다. 그래서 다음에 좁은 스포트에 따라서 작은 빔전류에 의해 가공구멍의 측벽(2613), 바닥부(1615)를 바라는 치수까지 가공한다. 이 경우 가공속도는 늦지만 고정밀도의 가공을 한 수 있어 최종적으로 고정밀도의 가공구멍 단면형상(2616)이 얻어진다.
이와같은 가변구경을 전환하는 방법에 의해 좁은 빔만을 사용한 경우와 같은 정밀도이며, 또한 매우 고속으로 가공을 실행할 수 있다.
제29도에 따른 이온빔 장치를 도시한다. 이 경우에 있어서는 레이저 발진기(2901)에서 나오는 레이저빔(2902)가 음향 광학소자등의 광스위치(2903)에 의해 ON,OFF된후 창(2905)를 통과하여 오목면 반사경(2906)에 의해 반사 및 집속되어서 시료상에 스포트(2907)을 형성하고, 이것에 의해 이온빔 조사부에 레이저를 집광 조사할 수 있다.
이 경우 다음과 같은 작용이 가능하다. 일반적으로 이온빔을 조사한 부분을 격자 결함이 생기므로 정상적인 광학적, 전기적 특성을 얻기 위해서는 결함부분을 회복시킬 필요가 있다. 고온로에서의 가열에 의한 어닐로써는 시간도 걸리고 소자의 각부로의 영향이 크다. 그래서 이와같이 필요한 장소에만 레이저를 조사해서 진공실내에서 인-사이튜(in-situ)의 어닐을 실행하면 큰 효과가 있다.
또, 이 레이저(2901)은 이온빔에 의해 만들어진 디바이스에 대해서 프로브(2908)을 디바이스상에 형성된 전극에 닿게 하는 것에 의해 레이저조사에 의해 흐르는 전류를 도선(2909)를 거쳐서 인출하여 측정기(2910)에서 측정하는 것에 의해 인라인(in-line)기능으로, 즉 가공장치의 내부에서 이온빔 가공을 실행하면서 또는 가공직후에 특성검사를 실행할 수 있다.
제29도에서 (2504)는 광 스위치용 콘트롤러, (2911)은 레이저용 전원을 표시한다.
제30도는 동일 진공실내에 SEM(Scanning: Electron Microscope)(3001)을 부착한 이온빔 장치의 예이다.
이온빔으로 가공, 주입 또는 CVD성막을 한후 시료 스테이지(3002)를 SEM의 위치(3003)까지 이동해서 인사이튜의 관찰을 밀행할 수가 있다. 또, SEM의 전자빔을 사용해서 전자빔 어닐에 의한 결함을 갖는 부분의 회복을 실행할 수도 있다.
제31도는 상기와 같이 SEM을 부착하는 대신에 전자와 이온을 동일한 이온원에서 인출하는 전자-이온 하이브리드원을 사용한 이온빔 장치의 경우이다. 이것은 이온원의 인출전압을 정으로 하는 가부로 하는 가에 의해서 이온원 바늘 선단의 액체금속이 표면장력과 정전기력의 균형에 의해 형성한 원추형 돌기의 선단에서 전자 또는 이온중 어느 것을 인출할 수 있도록 전환할 수 있는 것이다. 이때문에 가속전압용 전원(3101)은 접진단자와 고압출력단자를 전환스위치(3101a), (3101b)에 의해 이온원의 선단 히터전원(3105) 또는 접지 중 어느것에 접속해서 정의 가속전압 또는 부의 가속전압중 어느것을 얻을 수 있도록 전환되는 것으로 하였다. 인출전극용 전원(3102), 제1렌즈 전원(3103), 제2렌즈전원(3104)등에 대해서는 정 부양극의 출력전원을 사용하는 것으로 하여 각각의 전극으로의 출력을 전환스위치(3102a), (3103a), (3104a)에 의해 정 또는 부로 할 수 있도록 하였다.
이것에 의해 이온빔으로 가공(주입 또는 CVD)을 실행한 후 그대로 전압을 전환해서 전자빔을 인출하여 SEM상에 의해 관찰을 실행할 수가 있다. 가공 또는 주입도중에 차례로 관찰하는 것도 가능하게 된다.
또, 제31도에서는 시료에서 나온 오제전자를 에너지 분석기(3106)에 의해서 검출할 수 있도록 되어 있어 오제전자 분광분석장치(3107)에 의해 인사이튜의 분석(마이크로 오제분광)이 가능하게 되도록 하고 있다. 또 상기 전자빔을 사용해서 시료를 국부적으로 가영하여 이온빔의 조사에 의한 결함의 회복을 위해 전자빔 어닐을 실행할 수도 있다.
제32도는 고집속 이온빔의 실(3201)과 MBE(분자빔 에피택시)의 실(3203)을 시료 교환기구부실(3202)를 거쳐서 결합한 장치의 예이다. 초공진공도의 MBE실(3203)내에 시료(3208)이 홀더(3209)에 아랫방향으로 부착되어 히터를 감은 셀(3204), (3205), (3206), (3207)에서 분출하는 분자선(예를들면 Ga, As, Al, Si 등)이 순차적으로 또는 동시에 시료(3208)에 증착된다. 각 셀에는 셔터(3204a), (3205a), (3206a), (3207a)가 붙어있어 각 재료의 분자선의 ON,OFF를 실행한다. 이와같이 해서 1차원 초격자의 형성된다. 이 시료 홀더(3209)가 시료 교환기구부실(3202)에서 상하 반선 및 위치(3210)에서의 시료 스테이지(1223)으로의 시료의 설치를 실행한다. 그리고 스테이지(1223)을 전자-이온 하이브리드 빔부의 위치(3211)로 이동시킨다. 이 경우 3개의 실(3203), (3202), (3201)은 각각 진공도가 다르므로, 인접하는 실 사이에 게이트 밸브(3212),(3213)이 있고 시료의 교환이 동시에 이것의 개폐와 각 실의 배기를 실행한다. 전자-이온 하이브리드 빔부는 제31도와 마찬가지로써 이온빔에 의한 가공, 주입, CVD, 전자빔에 의한 SEM관찰, 어닐을 실행하고, 또 오제전자분광에 의해 막의 분석을 실행할 수 있다.
이 장치에서는 성막과 분석을 진공장치내에서 실행할 수 있으므로 다른 장치에서 실행하는 경우와 같이 대기로 인출할때의 오염, 산화등의 문제가 없이 맑고 깨끗한 표면 그대로의 가공, 주입, CVD, 분석어닐을 실행할 수 있다는 큰 특징이 있다.
상기 각 도면에 있어서 같은 부호는 같은 부분을 표시하고 있다.
이상의 실시예에서 명백한 바와 같이 본 발명에 의해 종래기술의 결점을 제거하여 2차원, 3차원의 양자웰구조를 간편하고 고정밀도로 제작하는 수단이 제공되었다.
또, 목적에 따라 주기, 간격, 선폭, 깊이를 임의로 변화시킬 수 있고, 또한 웰의 간격을 마이크론 이하의 치수로 고정밀도로 형성할 수 있는 수단이 제공되었다.
본 발명에 의해 HEMT, ULSI(Ultra Large Scale Integrated Circuit)등의 디바이스의 다차원 초격자가 도모되어 그 특성의 대폭적인 향상을 도모할 수 있다.

Claims (39)

  1. 웰층(103,105,107)과 포텐셜 장벽층(102,104,106)이 교대로 적층되어 있는 1차원 초격자 구조를 마련하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법에 있어서, (a) 집속된 이온빔(113)을 발생하는 공정, (b) 상기 1차원 초격자 구조의 초격자층에 상기 이온빔(113)을 조사하고, 또한 상기 이온빔을 상기 초격자층의 방향으로 직선형상으로 주사하여 상기 주사된 이온빔의 조사에 의해 적어도 2개의 평행한 홈(108,109,110,111,114,115,116,117)을 형성하는 공정에 의해 포텐셜 장벽층(108,109,110,111,114,115,116,117)을 마련하는 공정을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 이온빔(113)은 0.1μm이하의 직경으로 접속되어 있는 초격자 구조의 소자의 제조방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 이온빔(113)은 상기 초격자층에 수직으로 조사되는 초격자 구조의 소자의 제조방법.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 적어도 2개의 평행한 홈(108,109,110,111)내에 에너지빔유도 CVD에 의해 바라는 물질을 퇴적하여 퇴적부(2403,2404,2405)를 형성하는 공정을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조방법.
  5. 웰층(103,105,107)과 포텐셜장벽층(102,104,106)이 교대로 적층되어 있는 1차원 초격자 구조를 마련하는 공정을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조방법에 있어서, (a) 집속된 이온빔을 발생하는 공정, (b) 상기 1차원초격자구조의 초격자층에 상기 이온빔을 조사하고, 상기 이온빔을 상기 초격자층의 방향으로 직선형상으로 주사하여, 상기 주사된 이온빔의 조사에 의해 적어도 2개의 평행한 홈(108,109,110,111′)와 상기 평행한 홈에 직교하는 적어도 2개의 홈을 형성하는 공정에 의해 포텐셜장벽층을 마련하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 상기 적어도 2개의 평행한 홈(108,109,110,111′) 및 상기 평행한 홈에 직교하는 적어도 2개의 홈(114,115,116,117)내에 절연물을 퇴적하는 공정을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조방법.
  7. 웰층(103,105,107)과 포텐셜 장벽층(102,104,106)이 교대로 적층되어 있는 1차원 초격자구조를 갖는 초격자구조의 소자의 제조장치에 있어서, 집속된 이온빔(113)을 발생하는 이온빔 발생수단(1200∼1211,1217,1904)와 상기 1차원 초격자 구조의 초격자층에 상기 이온빔(113)을 조사하고, 상기 이온빔(113)을 상기 초격자층의 방향으로 직선 형상으로 주사하여 상기 주사된 이온빔의 조사에 의해 적어도 2개의 평행한 홈(108∼111,114∼117)을 형성하는 것에 의해 포텐셜 장벽층(108∼111,114∼117)을 마련하는 평행한 홈을 형성하는 수단을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 이온빔 발생수단은 2단의 렌즈를 포함하는 집속 광학계(1204∼1208,1214∼1216,1219)를 갖는 초격자구조의 소자의 제조장치.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 2단의 렌즈 사이에 상기 평행한 홈에 형성하는 수단으로써 상기 이온빔을 X 및 Y방향으로 편향시키는 여로조의 편향 전국(1212,1213)을 구비하고, 상기 편향전극에 대해서 편향 제어전원(1218)을 구비한 초격자 구조의 소자의 제조장치.
  10. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 이온빔 바생수단으로써 특정한 이온 종류를 분리하는 수단(1901∼1903)을 구비한 초격자구조의 소자의 제조장치.
  11. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 에너지빔 유도 CVD에 의해 상기 포텐셜 장벽층로써 형성된 홈에 바라는 물질을 퇴적하기 위한 수단(2402,3102,3103)을 구비한 초격자 구조의 소자의 제조장치.
  12. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 평행한 홈에 형성하는 수단으로써 이온빔 유도 에칭에 의해 상기 포텐셜 장벽층으로써 홈을 형성하기 위한 반응성가스 도입수단(1907)을 구비한 초격자구조의 소자의 제조장치.
  13. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 이온빔 조사에 의해 생기는 결합을 에너지빔 어닐에 의해 회복시키기 위한 에너지빔 조사수단(2901∼2905,2911,3001,1203,3102∼3104)을 구비한 초격자 구조의 소자의 제조 장치.
  14. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 에너지빔을 조사하였을때 상기 초격자 구조에서 발생하는 하전입자를 검출해서 상기 포텐셜 장벽층을 포함하는 초격자 구조를 관찰하는 관찰수단(1221,1220,3001)을 구비한 초격자 구조의 조사의 제조장치.
  15. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 에너지빔을 조사하였을때 상기 초격자 구조에서 발생하는 하전입자를 검출해서 상기 포텐셜 장벽층을 포함하는 초격자 구조를 분석하는 분석수단(3106,3107)을 구비한 초격자 구조의 소자의 제조장치.
  16. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 상기 평행한 홈을 형성하는 수단에 의해서 형성되는 포텐셜 장벽층의 깊이를 검출하기 인한 검출수단(1401∼1403,1405,1905∼1907)을 구비한 초격자 구조의 소자의 제조장치.
  17. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 에너지빔을 조사하였을때 상기 초격자 구조를 흐르는 전류의 출력을 검출해서 초격자 구조의 고자의 특성을 검사하기 위한 수단(2908,2909,2910)을 구비한 초격자 구조의 소자의 제조장치.
  18. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 웰층(103,105,107)과 포텐셜 장벽층(102,104,106)이 교대로 적층되어 있는 1차원 초격자 구조를 형성하는 또다른 수단(3203∼3209)와 상기 1차원 초격자 구조를 형성하는 상기 또다른 구단의 시료실과 시료의 표면상에 상기 집속된 이온빔이 주사되는 또다른 시료실을 게이트 밸브(3212,3213)을 거쳐서 접속하는 전속수단(3202,3212,3213)을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조 장치.
  19. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 1차원 초격자구조는 기판상에 마련되고, 상기 2개의 평행한 홈은 상기 기판으로 연상하도록 상기 주사된 이온빔의 조사에 의해 형성되는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  20. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 집속된 이온빔의 이온은 Ga, In, Si, Sn, Bi, Pb, Ni, Al, Au, Cu, AuSiBe, AlSi, PdNiSiBeB, CuP, SnFbAS, AuSb 및 AuSi로 구성되는 군에서 선택되는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  21. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 집속된 이온빔은 0.5μm이하의 스포트직경을 갖는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  22. 특허청구의 범위 제1항에 있어서. 또 상기 1차원 초격자구조에 반응성가스를 도입하는 공정을 포함하고, 상기 홈을 형성하는 공정은 상기 초격자구조와 결합되도록 상기 이온빔의 에너지에 의해 상기 반응성가스가 해리되는 이온빔유도 에칭을 사용하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  23. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 이온빔의 조사에 기인하는 결함을 회복시키도록 에너지빔을 조사하는 것에 의해 상기 홈을 어닐하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  24. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 이온빔의 이온빔 전류를 검출하는 공정가 검출된 이온빔 전류에 따라서 상기 홈의 길이를 제어하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  25. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 합금 이온원에서 발생되는 합금이온의 조성물에서 상기 이온빔을 선택하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  26. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 에너지빔에 의해 상기 초격자구조를 조사하였을때 상기 초격자구조에서 발생된 하전입자를 검출하는 것에 의해 상기 초격자구조를 관찰 또는 분석하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  27. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 에너지빔에 의해 상기 초격자구조를 조사하였때 상기 초격자구조를 통해서 흐르는 전류를 검출하는 것에 의해 상기 초격자구조의 상기 소자의 특성을 검사하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  28. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 홈을 형성하는 공정은 상기 집속된 이온빔을 넓은 스포트에서 좁은 스포트로 전환하는 것에 의해 각각 실행된 고속처리 서브공정과 고정밀도 처리 서브공정을 갖는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  29. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 바라는 물질은 절연물인 초격자구조의 소자의 제조방법.
  30. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 절연물은 이온빔유도 CVD에 의해 퇴적되는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  31. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 이온빔은 0.1μm이하의 직경으로 집속되는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  32. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 이온빔은 상기 초격자구조에 수직방향으로 조사되는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  33. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 상기 1차원 초격자구조에 반응성가스를 도입하는 공정을 포함하고, 상기 홈을 형성하는 공정은 상기 초격자구조와 결합되도록 상기 이온빔의 에너지에 의해 상기 반응성가스가 해리되는 이온빔유도 에칭을 사용하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  34. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 상기 이온빔의 조사에 기인하는 결함을 회복시키도록 에너지빔을 조사하는 것에 의해 상기 홈을 어닐하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  35. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 상기 이온빔의 이온빔 전류를 검출하는 공정과 검출된 이온빔 전류에 따라서 상기 홈의 깊이를 제어하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  36. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 합금이온원에서 발생되는 합금이온의 조성물에서 상기 이온빔을 선택하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  37. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 에너지빔에 의해 상기 초격자구조를 조사하였을때 상기 초격자구조에서 발생된 하전입자를 검출하는 것에 의해 상기 초격자구조를 관찰 또는 분석하는 공정을 포함하는 초격자 구조의 소자의 제조방법.
  38. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 에너지빔에 의해 상기 초격자구조를 조사하였을때 상기 초격자구조를 통해서 흐르는 전류를 검출하는 것에 의해 상기 초격자구조의 상기 소자의 특성을 검사하는 공정을 포함하는 초격자구조의 소자의 제조방법.
  39. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 홈을 형성하는 공정은 상기 집속된 이온빔을 넓은 스포트에서 좁은 스포트로 전환하는 것에 의해 각각 고속처리 서브공정과 고정밀도처리 서브공정을 갖는 초격자구조의 소자의 제조방법.
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