KR920000980A - 태양전지의 기재로서 주상구조의 실리콘블록을 캐스팅하는 방법 및 그 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

태양전지의 기재로서 주상구조의 실리콘블록을 캐스팅하는 방법 및 그 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

첨부도면은 본 발명의 방법을 실시하는데 적합한 장치의 1실시예를 나타낸다.

Claims (10)

1. 도입고형실리콘을 용융스테이션에서 열을 공급시켜 점진적으로 용융시키고 계속적으로 또는 단계적으로 그 스테이션에서 이탈시켜 몰드로 공급하고 그 몰드에서 고형화 시키도록 하는 태양전지의 기재로서 다결정성 실리콘블록을 캐스팅하는 방법에 있어서, 그 캐스팅스텝의 초기단계에서 고형화실리콘과 용융실리콘사이의 저면영역에서 몰드횡단면에 걸쳐 형성되고, 그 몰드의 저면영역을 포위하는 가열영역에 의해 안정화시키는 정출정면(crystallization front)을 발생시키며, 그 용융스테이션에서 용융실리콘을 공급하는 캐스팅스텝(casting step)의 또 다른 과정에서 그 몰드와 가열영역사이에서의 상대운동에 의해 그 가열영역내에서 유지되는 그 정출정면을 그 상승하는 충전레벨로 조절하며, 그 용융스테이션의 열공급에 의해 제어시켜 공급한 용융물량을 매칭(matching)함으로써 그 정출정면상에 중첩시킨 용융실리콘의 용융레벨을 그 가열영역의 에너지공급으로 제어시킴을 특징으로 하는 상기 캐스팅하는 방법.
2. 제1항 있어서, 상기 정출정면은 거의 평편한 레벨에서 안정화시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 정출정면상에 충첩된 용융실리콘의 용융높이 20~50㎜의 범위에서 유지함을 특징으로 하는 상기 방법.
4. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기몰드의 충전레벨은 중량증가에 의해 감시함을 특징으로 하는 상기 방법.
5. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 가열영역의 높이는 그 몰드 직경의 0.1~0.5배에 해당함을 특징으로 하는 상기 방법.
6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 고화(Solidification)는 4㎜/분까지의 속도로 실시함을 특징으로 하는 상기 방법.
7. 용융시키는 실리콘의 연속적 또는 주기적인 공급과 용융시릴콘의 연속적인 이탈을 하도록하며 그 용융실리콘을 수용하는데 적합한 몰드를 사용하여 충전할 수 있는 적어도 하나의 정출스테이션(Crystalization station)을 접속하고, 몰드를 포위하는 가열영역을 구성하고 그 몰드의 높이가 그 외경의 0.1~0.5배에 해당하는 몰드를 가열시키는 수단과, 그 가열영역과 그 몰드 사이에서 수직상대운동을 하도록 한 수단을 포함하는 가열할 수 있는 용융스테이션을 포함하며 청구범위 제1항 내지 제6항의 방법을 실시하는 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 가열영역은 그 몰드를 수직으로 포위하며 유도시켜 가열할 수 있는 재질로 구성되는 벽(wall)과, 그 벽을 포위하는 수직운동이 가능한 유도가열코일에 의해 형성되고 그 벽의 높이는 몰드의 외경의 0.1~0.5배에 해당하도록 구성함을 특징으로 하는 상기 장치.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 그 장치는 필요할 경우 가열할 수 있는 플레이트를 구성하여 그 용융 스테리이션과 정출스테이션 사이에 그 플레이트를 간삽하고 용융실리콘의 통로오리피스를 구성함을 특징으로 하는 상기 장치.
10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한항에 있어서, 그 장치는 용융실리콘의 취입(intake)에 의해 발생한 몰드의 중량증가를 검출하는 중량센서(weight sensor)과, 용융스테이션과 가열영역의 가열 및 몰드와 가열영역사이의 상대운동에 대한 제어 파라미터를 중량신호(weight signal)로 부터 유도하는 제어장치를 구성함을 특징으로 하는 상기 장치.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.