KR910020957A - 산화물 초전도체를 이용한 초전도 접합 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

산화물 초전도체를 이용한 초전도 접합 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 방법으로 제작되는 초전도 접합의 개념적 단면도.

Claims (13)

  1. 기판상에 제1의 산화물 초전도체 박막층과, 비초전도체 박막층과, 제2의 산화물 초전도체 박막층의 이 차례로 적충하므로서 초전도 접합을 형성하는 방법에 있어서, 상기한 비초전도체 박막층이 MgO의 박막층에 의해서 구성되고, 그 MgO의 박막층을 형성할때에 기판을 200 내지 400℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, MgO의 박막층의 두께를 1 내지 10㎚로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 및 제2의 산화물 초전도체 박막층 및 비초전도체 박막층을 물리 증착법으로 형성하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, MgO의 박막층과 제2의 초전도체 박막을 진공 증착법으로 형성하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 제1의 산화물 초전도체 박막층이 a축 배향막 또는 c축 배향막인 방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 제및 제2의 산화물 초전도체 박막층이 Y-Ba-Cu-O계 복합 산화물, Bi-Sr-Ca-Cu-Or계 복합 산화물 및 Tl-Ba-Ca-Cu-O계 복합 산화물에 의해 구성되는 군중에서 선택되는 일종인 방법.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 기판이 MgO의 단결정 기판인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 성막면이 MgO의 (100)면인 방법.
  9. 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, MgO의 박막층을 제1의 산화물 초전도체 박막층상에 성막하기전에, 제1의 산화물 초전도체 박막층과 비초전도체 박막층을 갖는 기판을 600 내지 650℃의 범위의 온도로 가열하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기한 가열을 산소 분위기하에서 행하는 방법.
  11. 기판상에 제1의 산화물 초전도체 박막층과, 비초전도체 박막층과, 제2의 산화물 초전도체 박막층을 이 순서로 적층하므로서 초전도 접합을 형성하는 방법에 있어서, 비초전도체 박막층을 제2의 산화물 초전도체 박막층상에 성막하기 전에, 제1의 산화물 초전도체 박막층과 비초전도체 박막층을 갖는 기판을 600 내지 650℃의 범위의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기한 가열을 산소 분위기하에서 행하는 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기한 비초전도체 박막층이 SrTiO3의 박막층인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910008909A 1990-05-30 1991-05-30 산화물 초전도체를 이용한 초전도 접합형성방법 KR100235799B1 (ko)

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