KR900701074A - 에피택셜 성장 - Google Patents
에피택셜 성장Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 사파이어 기판상의 다층막의 단면도이다.
제 2-6도는 각종 인자의 변화에 따른 성장된 막조성의 변화를 나타낸다.
Claims (30)
- 고체상태 소자의 제조방법에 있어서, 상기 방법은, 금속 및 산소를 포함한 화합물의 적어도 부분적인 에피택셜층을 형성하기위해 기판위에 금속함유재료로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 재료가 마그네슘, 스트론튬, 티타늄 및 지르코늄으로 구성되는 그룹으로부터 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 재료가 마르네슘을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 알루미나를 포함하는것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 반도체임을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 초전도체임을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 기판이 실질적으로 퍼로브스카이트구조인 공은 초전도체임을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 상기한 항중 어느한항에 있어서, 다른 적어도 일부의 에피택셜층이 상기 적어도 일부의 에피택셜층위에 성장됨을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 다른층이 세라믹 초전도체임을 특징으로하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 다른층이 이트륨, 바륨, 구리 및 산호의 화합물로 이루어지는것을 특징으로하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 고체상태 소자의 제조방법에 있어서, 상기 방법은, 알루미나 함유기판위에 마그네슘함유 타겟으로부터 재료를 스퍼터링하여 에피택셜마그네시아층을 형성하고, 다음 상기 마그네시아층위에 이트륨, 바륨, 구리 및 산소를 포함하는 화합물의 에피택셜층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 기판이 750℃내지 900℃사이의 온도로 가열되고, 상기 재료가 상기 마그네슘함유 타겟으로부터 스퍼터링 되는것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 산화분위기가 유지되는 반면에 재료가 상기 마그네슘함유 타겟으로부터 스퍼터링되는 것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 산화분위기가 산소를 포함하는 것을 특징으로하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 산화분위기가 아산화질소를 포함하는것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 14 항 또는 15항에 있어서, 산화분위기가 아르곤을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체상태 소자의 제조방법.
- 제 1 항 또는 16항에 있어서, 어느 한항의 방법에 의해 제조된 고체상태 소자.
- 결정기판위에 금속산화물을 포함하는 제2애피택셜층(11)위에 형성된 반도체 및 초전도체를 포함하는 군으로부터 선택되는 재료의 제1애피택셜층(12)으로 이루어지는것을 특징으로하는 고체 상태 소자.
- 제 18 항에 있어서, 상기 금속 산화물이 마그네시아임을 특징으로하는 고체 상태 소자.
- 제 19항에 있어서, 상기 결정기판이 알루미나임을 특징으로 하는 고체 상태 소자.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제1 애피택셜층이 이트륨, 바륨, 구리 및 산소를 포함하는 초전도체임을 특징으로 하는 고체 상태 소자.
- 제 20항에 있어서, 상기 제2애피택셜 층의 두께가 100나노미터 정도인것을 특징으로하는 고체 상태 소자.
- 제 20 항에 있어서, 알루미나 기판의 (1012)면과 근접한(100)면을 갖는 마그네시아층을 포함하는것을 특징으로하는 고체 상태 소자.
- 제 20 항에 있어서, 알루미나 기판(0110)면과 근접한 (110)면을 갖는 마그네시아층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 소자.
- 제 20 항에 있어서, 알루미나 기판의 (1120)면과 근접한 (111)면을 갖는 마그네시아층을 포함하는것을 특징으로하는 고체 상태 소자.
- 제 20 항에 있어서, 알루미나 기판의 (0001)면과 근접한 (111)면을 갖는 마그네시아층을 포함하는것을 특징으로하는 고체 상태 소자.
- 기판위에 초전도체의 애피택셜층을 성장시키고, 상기 애피택셜층위에 제2재료의 단층을 성장시키며, 상기 단층위에 상기 초전도체의 다른 에피택셜층을 성장시키는 것을 특징으로하는 고체 상태 소자의 장벽층 형성 방법.
- 제 27 항에 있어서, 상기 단층이 상기 다른 에피택셜층과 동시에 성장되는것을 특징으로하는 장벽층 형성 방법.
- 제 27 항 또는 28항에 있어서, 상기 제2재료의 다수의 단층과 이에 대응하는 상기 초전도체의 다른 에피택셜층이 상기 기판위에 연속적으로 성장 되는것을 특징으로하는 장벽층 형성 방법.
- 제 27 항 내지 29항의 방법에 의해 제조된 고체 상태 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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