KR930003450A - 고온 초전도 조셉슨 접합의 제조방법 - Google Patents

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KR930003450A
KR930003450A KR1019910013253A KR910013253A KR930003450A KR 930003450 A KR930003450 A KR 930003450A KR 1019910013253 A KR1019910013253 A KR 1019910013253A KR 910013253 A KR910013253 A KR 910013253A KR 930003450 A KR930003450 A KR 930003450A
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superconducting
josephson junction
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KR1019910013253A
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Inventor
송이헌
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황선두
삼성전기 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/10Junction-based devices

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  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

고온 초전도 조셉슨 접합의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 공정들을 개략적으로 도시한 단면도로서, 제1-(a)도는 기판위에 NgO완충층을 증착한 단면도이고,
제1-(b)도는 마이크로 브리지 형태로 패턴화된 MgO박막의 단면도이고,
제1-(c)도는 패턴화된 MgO박막위에 Y-Ba-Cu-O박막을 증착한 단면도이고,
제1-(d)도는 산소분위기에서 열처리한 후 형성된 고온 초전도 박막의 단면도이다.
제2도는 제1도의 공정에 의해 제조된 조셉슨 접합을 도시하는 모식도이다.

Claims (3)

  1. 일정한기판상에 완충층을 증작한 후, 상기 완충층을 초전도막이 형성될 부분만을 남기고 마이크로 브리지 형태가 되도록 패턴화하고, 상기 패턴화된 완충층 박막 위에 Y-Ba-Cu-O박막을 증착한 후, 상기 완충층 위의 막을 산소분위기 하에서 열처리하여 초전도 상으로 제조하는 것을 특징으로 하는 초전도 조셉슨 접합의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 완충층은 초전도 박막을 증착시켜 열처리 시킨 후, 상기 기판상에 증착된 것을 초전도 특성을 갖지 않고 반면에 상기 완충층위에 증착된 것은 초전도 특성을 갖지 않고 반면에 상기 완충층위에 중착된 것은 초전도 특성을 갖도록 하는 물질인 것을 특징으로 하는 초전도 조셉슨 접합의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판을 실리콘 또는 알루미나이고, 상기 완충층은 MgO박막인 것을 특징으로 하는 초전도 조셉슨 접합의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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