JPH01122920A - 超電導体 - Google Patents
超電導体Info
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- JPH01122920A JPH01122920A JP62278559A JP27855987A JPH01122920A JP H01122920 A JPH01122920 A JP H01122920A JP 62278559 A JP62278559 A JP 62278559A JP 27855987 A JP27855987 A JP 27855987A JP H01122920 A JPH01122920 A JP H01122920A
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- Japan
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- film
- temperature superconductor
- ceramic
- si3n4
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック系高温超電導体材の表面保護膜材料
描成に関する。
描成に関する。
従来ＹＢａＣｕＯｌＹＢａＳｒＣｕＯ等のセラミック系
高温超電導体材の表面には、とりたてて表面保護膜を形
成して用いる事はなかった。
高温超電導体材の表面には、とりたてて表面保護膜を形
成して用いる事はなかった。
しかし、上記従来技術によると、セラミック系高温超電
導体材の高温での超電導現象保持が長期間係てないと云
う問題点があった。
導体材の高温での超電導現象保持が長期間係てないと云
う問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、セラミッ
ク系高温超電導体材の高温でのｒ１電導現象保護を長期
間に到らしめるための表面保護膜材料の構成を提供する
事を目的とする。
ク系高温超電導体材の高温でのｒ１電導現象保護を長期
間に到らしめるための表面保護膜材料の構成を提供する
事を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は超電導体に閃し
、ＹＢａＣｕＯ１ＹＩ３ａＳｒＣｕＯ等のセラミック系
高温超電導体材の、表面にはＳｉＯ、、Ｓ ｌ ｓ Ｎ
ａ 、Ａ（ｌｘ Ｏｓ等の表面保護膜を形成する手段を
とる。
、ＹＢａＣｕＯ１ＹＩ３ａＳｒＣｕＯ等のセラミック系
高温超電導体材の、表面にはＳｉＯ、、Ｓ ｌ ｓ Ｎ
ａ 、Ａ（ｌｘ Ｏｓ等の表面保護膜を形成する手段を
とる。
セラミック系高温超Ｍ導体材表面に酸素透過を起さない
保護膜を形成することにより、酸素ラジカルのセラミッ
ク材からの抜は出しによるＷｘ Ｍ ｆＡ現象の劣化を
防止する作用がある。
保護膜を形成することにより、酸素ラジカルのセラミッ
ク材からの抜は出しによるＷｘ Ｍ ｆＡ現象の劣化を
防止する作用がある。
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示す赳電導体の保
護膜構成である。
護膜構成である。
第１図では、セラミック超Ｗｉ導体粒子１の表面をプラ
ズマ酸素中で処理後、５ｉｓＮ４膜２をプラグｖＣＶＤ
、（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により形成したものである。
ズマ酸素中で処理後、５ｉｓＮ４膜２をプラグｖＣＶＤ
、（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により形成したものである。
第２図では、セラミック超電導成形体１１の表面にプラ
ズマＣＶＤ法により５ｉｎｓ膜及びＳｉ、Ｎ４膜１３を
２届に形成したものである。
ズマＣＶＤ法により５ｉｎｓ膜及びＳｉ、Ｎ４膜１３を
２届に形成したものである。
ｉ３図では、ＭｇＯ基板２１０表面に形成されたセラミ
ック超電導薄膜２２の表面にＣＶＤ法によりＡｇ、０．
膜２３を形成し、コンタクト部にメツキ等によりＣｕ配
線２４を形成したものである。
ック超電導薄膜２２の表面にＣＶＤ法によりＡｇ、０．
膜２３を形成し、コンタクト部にメツキ等によりＣｕ配
線２４を形成したものである。
尚、本発明はこれら保Ｎ膜を一層のみならず多層に形成
しても良く、又、これら保Ｎ膜の表面又は裏面にＣｕ、
ＡｇやＡｇ等の金属膜を形成しても良い事は云うまでも
ない。
しても良く、又、これら保Ｎ膜の表面又は裏面にＣｕ、
ＡｇやＡｇ等の金属膜を形成しても良い事は云うまでも
ない。
本発明によりセラミック系高温超電導体材の超電導現象
を、高温でも長期間保護できる効果がある。
を、高温でも長期間保護できる効果がある。
１１図乃至第３図は本発明の実施例を示すセラミック系
高温超電導体材の表面保護膜構成例を示す図である。 １・・・セラミック超電導体粒子 ２・・・５ｉｓＮ４膜 １１・・・セラミック超電導成形体 １２・・・Ｓ ｉ Ｏｓ膜 １３−５ｉ、Ｎａ膜 ２１・・・ＭｇＯ基板 ２２・・・セラミック超ＴｒＬ導薄膜 ２３・・・Ａｇ、Ｏ１膜 ２４・・・Ｃｕ配線 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
高温超電導体材の表面保護膜構成例を示す図である。 １・・・セラミック超電導体粒子 ２・・・５ｉｓＮ４膜 １１・・・セラミック超電導成形体 １２・・・Ｓ ｉ Ｏｓ膜 １３−５ｉ、Ｎａ膜 ２１・・・ＭｇＯ基板 ２２・・・セラミック超ＴｒＬ導薄膜 ２３・・・Ａｇ、Ｏ１膜 ２４・・・Ｃｕ配線 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- ＹＢａＣｕＯ、ＹＢａＳｒＣｕＯ等のセラミック系高
温超電導体材の表面にはＳｉＯ＿２、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、
Ａｌ＿２、Ｏ＿３等の表面保護膜が形成されて成る事を
特徴とする超電導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278559A JPH01122920A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278559A JPH01122920A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 超電導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122920A true JPH01122920A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17598950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62278559A Pending JPH01122920A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362483U (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-19 | ||
| CN110978228A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-10 | 西北农林科技大学 | 一种陶瓷灌溉膜制备模具及梯度陶瓷灌溉膜制备工艺 |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP62278559A patent/JPH01122920A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362483U (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-19 | ||
| JPH0650954Y2 (ja) * | 1989-10-20 | 1994-12-21 | 岡谷電機産業株式会社 | サージ吸収器 |
| CN110978228A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-10 | 西北农林科技大学 | 一种陶瓷灌溉膜制备模具及梯度陶瓷灌溉膜制备工艺 |
| CN110978228B (zh) * | 2019-11-12 | 2021-10-15 | 西北农林科技大学 | 一种陶瓷灌溉膜制备模具及梯度陶瓷灌溉膜制备工艺 |
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