KR910020922A - 전력 및 저잡음 갈륨 비소화물 fet - Google Patents

전력 및 저잡음 갈륨 비소화물 fet Download PDF

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KR910020922A
KR910020922A KR1019910007044A KR910007044A KR910020922A KR 910020922 A KR910020922 A KR 910020922A KR 1019910007044 A KR1019910007044 A KR 1019910007044A KR 910007044 A KR910007044 A KR 910007044A KR 910020922 A KR910020922 A KR 910020922A
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에이. 트루잇트 조오지
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엔. 라이스 머레트
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract

내용 없음

Description

전력 및 저잡음 갈륨 비소화물 FET
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 FET 디바이스의 평면도, 제2도는 제1도의 라인 2-2를 따라 절취하여 본 단면도.

Claims (9)

  1. (a)표면에 활성 영역을 갖는 기판, (b)상기 활성 영역상에 배치된 게이트 패드, (c)상기 게이트 패드에 연결되고, 그 일부 몇개가 반대 방향으로 상기 게이트 패드로부터 연장하는 다수의 게이트 핑거, (d)상기 활성 영역상에 배치되고 상기 활성 영역과 저항 접촉을 이루며, 최소한 일부 몇개가 접촉부의 인접쌍 사이에 배치되고, 상기 접촉부들중의 하나가 소오스 접촉부이며 상기 접촉부들중의 다른 하나가 드레인 접촉부인 다수의 삽입 소오스 접촉부 및 드레인 접촉부, 및 (e) 상기 소오스 접촉부와 상기 드레인 접촉부중에서 한쪽의 선정된 접촉부들과 함께 연결되고, 상기 소오스 접촉부와 드레인 접촉부중에서 한쪽의 선정된 접촉부들에 인접한 상기 소오스 접촉부와 상기 드레인 접촉부중에서 다른쪽에 걸쳐 연장하는 에어 브릿지를 포함하는 것을 특징으로 하는 FET.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 패드가 쇼트키 다이오드에 상기 활성 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 FET.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트 패드가 상기 기판으로부터 연장하는 순더대로 티타늄층, 백금층, 금층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 FET.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판이 그룹 Ⅲ-Ⅴ 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 FET.
  5. 제1, 제2 또는 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판이 갈륨 비소화물인 것을 특징으로 하는 FET.
  6. 제2, 제3, 제4 또는 제5항중 어느 한항에 있어서, 소오스 전촉부 및 드레인 접촉부가 푼-게르마늄 합금인 것을 특징으로 하는 FET.
  7. 제1, 제2, 제5 또는 제6항중의 어느 한항에 있어서, 상기 소오스 영역에 연결된 소오스 패드, 상기기판을 통해 연장하고 상기 소오스 패드로 연장하는 비아, 상기 비아내에 배치되고 상기 소오스 패드와 접촉하며 상기 소오스 패드에서 떨어져 있는 상기 비아의 단부로부터 연장하는 전기 전도체, 및 상기 드레인 영역에 연결된 드레인 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 FET.
  8. 제7항에 있어서, 상기 드레인 패드 및 상기 드레인 접촉부가 U자형을 형성하고, 상기 "U"자형의 개방 단부에 걸쳐 연결된 전기 전도성 스트랩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 FET.
  9. (a) 표면에 활성 영역을 갖는 기판, (b) 상기 활성 영역에 배치되고 상기 활성 영역과 저항 접촉을 이루는 다수의 삽입 소오스 접촉부 및 드레인 접촉부, (c) 상기 다수의 삽입 소오스 접촉부 및 드레인 접촉부와 동일하게 연장하는 상기 활성 영역상에 배치된 게이트 패드, 및 (d) 상기 게이트 패드에 연결되고 일부 몇 개가 반대 방향으로 상기 게이트 패드로부터 연장하며, 최소한 그 일부 몇개가 접촉부의 인접쌍 사이에 배치되고, 각각의 상기 접촉부쌍의 한 접촉부가 소오스 접촉부이고 상기 접촉부쌍의 다른 접촉부가 드레인 접촉부인 다수의 게이트 핑거를 포함하는 것을 특징으로 하는 FET.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910007044A 1990-05-02 1991-05-01 전력 및 저잡음 갈륨 비소화물 fet KR910020922A (ko)

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