KR910020880A - 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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간지 아오끼
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야마무라 가쯔미
세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따르는 반도체 집적 회로에 대한 예1의 입력 부분의 구성을 도시하는 그라운드 평면도. 제2도는 제1도에 도시된 퓨즈 층에서의 정전기 저지 등급과 저항 값 사이의 관계를 도시하는 그래프.

Claims (15)

  1. 외부 단자에 전압 또는 전류의 적용을 토대로 용해될 수 있는 적어도 하나의 퓨즈 소자, 상기 퓨즈 소자가 용해 여부에 따라 적어도 둘의 다른 상태를 나타내는 조절 신호를 출력하는 내부 조절 입력부분, 및 상기 조절 신호를 토대로 조절될 수 있는 내부 회로의 동작 특성을 갖는 반도체 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 집적 회로가 수지로 봉입되는 반도체 집적 회로 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 퓨즈 소자가 배선 재료인 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로부터 형성되는 반도체 집적 회로 장치.
  4. 제3항에 있어서, 퓨즈 소자의 저항값이 10Ω 이상인 반도체 집적 회로 장치.
  5. 제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 퓨즈 소자가 전압의 적용 방향에 수직인 부분의 영역에서 용해되는 부분을 갖고 전기적인 전류가 감소되는 반도체 집적 회로 장치.
  6. 제5항에 있어서, 용해되는 부분이 리본 모양으로 형성된 퓨즈 소자의 좁은 부분인 반도체 집적 회로 장치.
  7. 제5항에 있어서, 용해되는 부분이 리본 모양으로 형성된 퓨즈 소자의 얇은 부분인 반도체 집적 회로 장치.
  8. 제5항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 퓨즈 소자가 상기 내부 회로의 마진에 형성되고, 용해되는 부분이 퓨즈 소자의 에찌 부근에 형성되는 반도체 집적 회로 장치.
  9. 제1항 내지 제8항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 내부 회로가 표준 발진 소스, 상기 표준 발진 소스에 의해 표준 신호 출력을 분주하는 적어도 하나의 분주 회로, 규정된 간격에서 상기 분주 회로에 상기 조절 신호를 보내는 제어 부분을 갖는 타이밍 회로인 반도체 집적 회로 장치.
  10. 외부 단자에 전압 또는 전기적인 전류의 적용을 토대로 용해될 수 있는 적어도 하나의 퓨즈 소자, 상기 퓨즈 소자가 용해 여부에 따라 적어도 둘의 다른 상태를 표시하는 조절 신호를 출력하는 내부 조절 입력부분, 및 상기 조절 신호를 토대로 조절될 수 있는 내부 회로의 동작 특성을 가지며, 거기에서 상기 퓨즈 소자가 알루미늄 또는 알루미늄 합금에서 제조된 배선층의 그것과 동일한 재료로부터 배선층과 동시에 형성되는 반도체 집적회로 장치를 제조하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 배선층이 반도체 집적 회로 장치의 최저 배선층인 반도체 집적 회로 장치를 제조하는 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 퓨즈 소자가 스탭된 부분에 형성되는 반도체 집적 회로 장치를 제조하는 방법.
  13. 고저항을 통해 제1소스 전위에 전기적으로 연결된 입력 단자, 전압 또는 전기적인 전류의 적용을 토대로 용해될 수 있고 상기 입력 단자 및 제2 소스 전위간에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 퓨즈 소자, 상기 퓨즈 소자가 용해 여부에 따라 적어도 둘의 다른 상태를 나타내는 조절 신호를 출력하는 내부 조절 입력 부분, 상기 조절 신호를 토대로 조절될 수 있는 내부 회로 동작 특성을 가지며, 거기에서 상기 내부 조절 입력 부분이 시험-신호 입력 수단, 및 상기 시험-신호 입력 수단으로부터 유입된 조절 신호 또는 시험 신호중 하나를 선택하고 상기 내부 회로에 선택된 신호를 유입하게 하는 신호 선택 수단을 갖는 반도체 집적 회로 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 내부 조절 입력 부분이 다수의 퓨즈 소자 및 퓨즈 소자와 연관된 다수의 신호 선택 수단을 갖고, 상기 시험-신호 입력 수단이 시험 신호로써 신호 선택 수단에 대응하는 병렬 출력을 공급하는 시프트 리지스터인 반도체 집적 회로 장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 내부 회로가 표준 발진 소스, 표준 발진 소스에 의해 기준 신호 출력을 분주하는 적어도 하나의 분주 회로, 및 규정된 간격에서 분주 회로에 조절 신호를 보내는 제어 부분을 갖는 타이밍 회로인 반도체 집적 회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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