KR910017670A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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KR910017670A
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KR
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layer region
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integrated circuit
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KR1019910004535A
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시게루 아츠미
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 반도체 집적회로의 1실시예에 따른 MOS형 LST에서의 입력보호회로의 동가회로를 나타낸 회로도, 제 2도 ⒜는 제 1도중에서 입력보호저항의 평면패턴의 일례를 나타낸 도면, 제 2도 ⒝는 제 2도 ⒜중에서 B-B선에 따른 단면도.

Claims (7)

  1. 입력보호저항(10) 및 입력보호 소자로 구성되는 입력보호회로를 갖춘 반도체 집적회로에 있어서, 상기 입력 보호 저항이 반도체기판(20)과는 반대도전형의 제1확산층영역(21)내에, 이 제 1확산층영역(21)과 동일도전형이면서 제 1확산층영역보다도 높은 불순물농도를 갖춘 제 2확산층영역(22)이 그 제 1확산층영역(21)보다도 알게 형성된 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체기판(20)은 N형기판이고, 상기 제 1확산층영역(21)은 불순물으로 농도가 비교적 적은 붕소가 확산되어 있으며, 상기 제 2확산층영역(22)은 불순물로서 농도가 비교적 높은 붕소가 확산되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반도체기판(20)은 P형기판이고, 상기 제 1확산층영역(21)은 불순물로서 인이 확산되어 있으며, 상기 제 2확산층영역(22)은 불순물로서 비소가 확산되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  4. 제 1항 내지 제 2항중 어느 한 항에 있어서, 상기 입력보호저항(10)은 입력패드(11)로부터 내부회로 첫단의 MOS트랜지스터(12)의 게이트에 이르는 신호경로에 삽입되어 있고, 상기 입력보호소자는 상기 입력보호저항(10)으로부터 상기 내부회로 첫단의 MOS트랜지스터(12)의 게이트에 이르는 신호경로와 접지전위의사이에 접속되어 있는 트랜지스터나 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 입력보호소자는 게이트·소스가 상호 접속된 N채널 MOS트랜지스터(13)인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 입력보호소자는 드레인영역 또는 소스영역으로 사용되는 복수의 N+확산층영역(62, 63)이 서로 평행하게 배치되어 형성됨과 더불어, 한쪽의 영역으로 사용되는 N+확산층영역(62)이 상기 입력보호저항(10)에 접속되고, 다른쪽의 영역으로 사용되는 N+확산층영역(63)이 기준전위에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 입력보호소자는 드레인영역 또는 소스영역으로 사용되는 복수의 N+확산층영역(62, 63)이 서로 평행하게 배치되어 형성됨과 더불어, 한쪽의 영역으로 사용되는 N+확산층영역(62)이 상기 입력보호저항(10)에 접속되고, 다른쪽의 영역으로 사용되는 N+확산층영역이 전원전위에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004535A 1990-03-22 1991-03-22 반도체 집적회로 KR910017670A (ko)

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