KR910015967A - 희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법. - Google Patents

희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법. Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 판독/기록용 박막 자기헤드의 정면도로서, 하부 자극단부 및 틈새재료의 나머지부분을 밀링작업하기 전의 도면, 제2도는 제 1도의 선 2-2를 따라서 취해진 박막 자기 헤드의 측단면도,제3도는 제1도의 3-3을 따라서 취해진 박막 자기 헤드의 단면도.

Claims (57)

  1. 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 비자성 기판 상에 제 1자기층을 형성하는 단계와, 상기 제 1자기층상에 틈새 재료층을 형성하는 단계와, 상기 틈새재료 상에 일정한 구조의 구멍을 가지는 층을 증착시키는 단계와, 상기 구멍의 내부 및 상기 틈새재료 위에 제 2자기층을 형성하는 단계와 상기 구멍의 내부 및 상기 제 2 자기층상에 희생 마스크층를 증착시키는 단계와, 상기 구멍을 가지는 상기 층을 제거시켜서 상기 틈새 재료의 일부 및 상기 제 1 자기층의 일부를 노출시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정으로 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크층을 증착시키는 단계로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 재료 제거공정이 이온 밀링공정으로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 재료 제거공정이 반응이온 밀링공정으로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 재료 제거공정이 스피터 에칭공정으로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 틈새재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  14. 청구범위 제1항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  15. 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 비자성 기판 상에 제 1자층을 증착시키는 단계와, 상기 제 1자기층상에 틈새 재료층을 형성하는 단계와, 상기 틈새 재료층 상에 제 2자기층을 증착시키는 단계와, 상기 제 2자기층과 자체 정렬되도록 상기 제2자기층 상에 희생 마스크층을 증착시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크을 증착시키는 단계들로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제 2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  20. 제 15항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  21. 제 15항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 반응 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  22. 제 15항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 스피터 에칭 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  23. 제 15항에 있어서, 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  24. 제 15항에 있어서, 상기 제 2자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  25. 제 15항에 있어서, 상기 틈새 재료층이 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  26. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크 재료층이 약 1㎛ 내지 약7㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  27. 제 15항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 약5㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  28. 청구 범위 제 15항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  29. 주 몸체지역 및 자극단부 지역들 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 기판 상에 상기 주 몸체지역 및 자극단부 지역의 일부를 형성하는 제1자기층을 증착시키는 단계와, 상기 자극단부 지역 내에서 상기 제 1 자기층 상에 틈새 재료층을 증착시키는 단계와,상기 주 몸체지역 내에서 상기 제 1자기층 상에, 다수의 도체를 내부에 포함하는 바자성 절연층을 증착시키는 단계와, 일정한 구조의 구멍을 가지는 층을 증착시키는 단계와, 사기 구멍 내부에 있는 상기 틈새 재료층 및 상기 비자성 절연층 상에 제 2 자기층을 증착시키는 단계와, 상기 비자성 절연층에서 상기 구멍을 가지는 층을 제거시키는 단계와, 희생 마스크층을 증착시키는 단계와 상기 틈새재료층에서 상기 구멍을 가지는 층을 제거시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 노출된 재료를 제거하기 위한 재료 제거공정에 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  30. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  31. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  32. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  33. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크층을 증착시키는 단계들로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제 2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  34. 제 29항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거 공정에 노출시키는 단계가 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  35. 제 29항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거 공정에 노출시키는 단계가 반응 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜드듀서 제조방법.
  36. 제 29항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거 공정에 노출시키는 단계가 스피터 에칭 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  37. 제 29항에 있어서, 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  38. 제 29항에 있어서, 상기 제 2자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  39. 제 29항에 있어서, 상기 틈새 재료층이 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  40. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크 재료층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  41. 제 29항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜드듀서 제조방법.
  42. 청구 범위 제 29항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  43. 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 자성 기판 상에 상기 틈새 재료층을 층착사키는 단계와, 상기 틈새 재료층 상에 2자기층을 증착시키는 상기 제 2자기층과 자체 정렬되도록 상기 제 2 자기층 상에 희생 마스크층을 증착시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  44. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  45. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  46. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  47. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크층을 증착시키는 단계들로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제 2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  48. 제 43항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  49. 제 43항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 반응 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  50. 제 43항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 스퍼터 에칭 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  51. 제 43항에 있어서 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  52. 제 43항에 있어서 상기 제 2자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  53. 제 43항에 있어서 상기 틈새 재료층이 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  54. 제 43항에 있어서 상기 희생 마스크 재료층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  55. 제 43항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 5㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사시의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  56. 청구범위 제 43항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  57. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910002420A 1990-02-15 1991-02-13 희생 마스크층을 사용하여 자기 정렬되는 자극 폴을 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조 방법 KR100264700B1 (ko)

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