JPH11134618A - Ｍｒ複合ヘッドの製造方法およびこれによるｍｒ複合ヘ ッド - Google Patents
Ｍｒ複合ヘッドの製造方法およびこれによるｍｒ複合ヘ ッドInfo
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- JPH11134618A JPH11134618A JP29563897A JP29563897A JPH11134618A JP H11134618 A JPH11134618 A JP H11134618A JP 29563897 A JP29563897 A JP 29563897A JP 29563897 A JP29563897 A JP 29563897A JP H11134618 A JPH11134618 A JP H11134618A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 形成工程での上磁極幅の管理精度を向上さ
せ、かつ、ＡＢＳでの上磁極幅を１μｍ以下に形成し、
再付着層を起因とするＡＢＳでの腐食発生を防止しでき
るＭＲ複合ヘッドおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 磁極層５の形成において、イオンミリン
グ法により磁極層５の側壁をエッチングすることによ
り、側壁に形成された再付着層６を除去する。これによ
り、上磁極幅１７の精度を向上させ、かつ、再付着層の
起因する磁極の腐食発生を抑制する。また、上磁極１２
を側壁方向からイオンミリング法でエッチングすること
により、上磁極幅１７を所望の幅に制御し、フォトリソ
グラフィ技術で困難とされる１μｍ以下での上磁極幅の
形成が可能になる。
せ、かつ、ＡＢＳでの上磁極幅を１μｍ以下に形成し、
再付着層を起因とするＡＢＳでの腐食発生を防止しでき
るＭＲ複合ヘッドおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 磁極層５の形成において、イオンミリン
グ法により磁極層５の側壁をエッチングすることによ
り、側壁に形成された再付着層６を除去する。これによ
り、上磁極幅１７の精度を向上させ、かつ、再付着層の
起因する磁極の腐食発生を抑制する。また、上磁極１２
を側壁方向からイオンミリング法でエッチングすること
により、上磁極幅１７を所望の幅に制御し、フォトリソ
グラフィ技術で困難とされる１μｍ以下での上磁極幅の
形成が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録再生装置
に用いられるＭＲ複合ヘッドの製造方法に関し、特に、
ＭＲ複合ヘッドを構成する磁極のイオンミリング法によ
る形成方法に関する。
に用いられるＭＲ複合ヘッドの製造方法に関し、特に、
ＭＲ複合ヘッドを構成する磁極のイオンミリング法によ
る形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、情報を読み出すためのＭＲ素子
（磁気抵抗効果素子）からなるＭＲヘッド（磁気抵抗効
果型ヘッド）と情報を書き込むためのインダクティブヘ
ッドとを一体化したＭＲ複合ヘッド（磁気抵抗効果型複
合ヘッド）は、コイル、磁極等の形成において、例え
ば、特開昭５０−９５１４７号公報には、レジストパタ
ーンで形状を規定し、各形成材料を電気めっき法により
順次積層し形成する技術が開示されている。
（磁気抵抗効果素子）からなるＭＲヘッド（磁気抵抗効
果型ヘッド）と情報を書き込むためのインダクティブヘ
ッドとを一体化したＭＲ複合ヘッド（磁気抵抗効果型複
合ヘッド）は、コイル、磁極等の形成において、例え
ば、特開昭５０−９５１４７号公報には、レジストパタ
ーンで形状を規定し、各形成材料を電気めっき法により
順次積層し形成する技術が開示されている。
【０００３】図３は、従来方法によるＭＲ複合ヘッドの
ＡＢＳ（Air Bearing Surface:空気軸受面）側から見た
磁極の形状を形成工程順に示す図であり、以下その内容
について説明する。
ＡＢＳ（Air Bearing Surface:空気軸受面）側から見た
磁極の形状を形成工程順に示す図であり、以下その内容
について説明する。
【０００４】図３（ａ）〜同図（ｆ）を参照すると、ま
ず、図３（ａ）に示すように、スパッタリング法により
基板２１の上にめっき下地膜２２を形成し、その上に所
望の磁極パターンの端部を囲むフレーム状のレジストパ
ターンであるレジストフレームパターン２３を形成す
る。このとき、レジストフレームパターン２３を２つレ
ジストパターン間隔３３で形成する。
ず、図３（ａ）に示すように、スパッタリング法により
基板２１の上にめっき下地膜２２を形成し、その上に所
望の磁極パターンの端部を囲むフレーム状のレジストパ
ターンであるレジストフレームパターン２３を形成す
る。このとき、レジストフレームパターン２３を２つレ
ジストパターン間隔３３で形成する。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト
フレームパターン２３が形成されている部分以外のめっ
き下地膜２２の上に電気めっき法により磁極層２５を形
成する。そして、図３（ｃ）に示すように、所望の磁極
となる磁極層２５のみを完全に覆うカバー状のレジスト
パターンであるレジストカバーパターン２４を形成し、
その後、周囲の不要となる磁極層２５を化学エッチング
法等により除去し、さらに、レジストカバーパターン２
４を有機溶剤等により除去する。次に、図３（ｄ）に示
すように、磁極層２５の近傍のめっき下地膜２２をイオ
ンミリング法により除去する。
フレームパターン２３が形成されている部分以外のめっ
き下地膜２２の上に電気めっき法により磁極層２５を形
成する。そして、図３（ｃ）に示すように、所望の磁極
となる磁極層２５のみを完全に覆うカバー状のレジスト
パターンであるレジストカバーパターン２４を形成し、
その後、周囲の不要となる磁極層２５を化学エッチング
法等により除去し、さらに、レジストカバーパターン２
４を有機溶剤等により除去する。次に、図３（ｄ）に示
すように、磁極層２５の近傍のめっき下地膜２２をイオ
ンミリング法により除去する。
【０００６】その結果、図３（ｅ）に示すように、磁極
層２５およびめっき下地膜２２の側壁に再付着層２６が
形成される。ここで、再付着層２６を含む磁極層幅３４
は、図３（ａ）において形成したレジストパターン間隔
３３と比較し、再付着層２６の膜厚の分だけ大きくな
り、図中、磁極層幅３５から再付着層を含む磁極層幅３
４に広がる。
層２５およびめっき下地膜２２の側壁に再付着層２６が
形成される。ここで、再付着層２６を含む磁極層幅３４
は、図３（ａ）において形成したレジストパターン間隔
３３と比較し、再付着層２６の膜厚の分だけ大きくな
り、図中、磁極層幅３５から再付着層を含む磁極層幅３
４に広がる。
【０００７】上述した形成工程を経て作製されたＭＲ複
合ヘッドの磁気ディスク媒体との対向面、すなわちＡＢ
Ｓにおける形状は、図３（ｆ）の図中、下方から順に下
シールド２７，ＭＲ素子２８，下磁極兼上シールドのめ
っき下地膜２９，下磁極兼上シールド３０，上磁極のめ
っき下地膜３１，上磁極３２が形成されているが、下磁
極兼上シールドのめっき下地膜２９，下磁極兼上シール
ド３０の側壁と、上磁極のめっき下地膜３１，上磁極３
２の側壁には、いずれも再付着層２６が形成されてい
る。
合ヘッドの磁気ディスク媒体との対向面、すなわちＡＢ
Ｓにおける形状は、図３（ｆ）の図中、下方から順に下
シールド２７，ＭＲ素子２８，下磁極兼上シールドのめ
っき下地膜２９，下磁極兼上シールド３０，上磁極のめ
っき下地膜３１，上磁極３２が形成されているが、下磁
極兼上シールドのめっき下地膜２９，下磁極兼上シール
ド３０の側壁と、上磁極のめっき下地膜３１，上磁極３
２の側壁には、いずれも再付着層２６が形成されてい
る。
【０００８】従って、上磁極３２の上磁極幅３６は、再
付着層を含む上磁極幅３７で示される。また、この場合
の再付着層２６の膜厚は、めっき下地膜の膜厚やＭＲ複
合ヘッドのＡＢＳ近傍の形状等により異なるが、通常、
０．０５〜０．２μｍ程度になる。
付着層を含む上磁極幅３７で示される。また、この場合
の再付着層２６の膜厚は、めっき下地膜の膜厚やＭＲ複
合ヘッドのＡＢＳ近傍の形状等により異なるが、通常、
０．０５〜０．２μｍ程度になる。
【０００９】この再付着層２６は、上磁極層幅３６が広
い場合には無視できるが、上磁極層幅３６が１μｍ以下
になると影響は大きくなり無視できない。また、再付着
層２６は、光学顕微鏡ではその存在を確認することは困
難であるが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１万倍以
上の倍率で確認できる。
い場合には無視できるが、上磁極層幅３６が１μｍ以下
になると影響は大きくなり無視できない。また、再付着
層２６は、光学顕微鏡ではその存在を確認することは困
難であるが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１万倍以
上の倍率で確認できる。
【００１０】また、この製造方法により形成されるＭＲ
複合ヘッドの上磁極幅３６は、１μｍ以下での形成が困
難である。この理由は、上磁極３２の形状を規定するレ
ジストパターンの膜厚を上磁極３２の膜厚よりも高く形
成する必要があり、さらには、コイル等（図示せず）の
段差部を乗り越えるため、ＡＢＳの近傍で通常１０〜１
５μｍになるからである。そして、１０〜１５μｍのレ
ジスト膜厚において、レジストパターン間隔を１μｍ以
下で形成することは、１０〜１５対１以下の高アスペク
ト比による形成となり、現状のフォトリソグラフィ技術
では安定した形成が困難である。
複合ヘッドの上磁極幅３６は、１μｍ以下での形成が困
難である。この理由は、上磁極３２の形状を規定するレ
ジストパターンの膜厚を上磁極３２の膜厚よりも高く形
成する必要があり、さらには、コイル等（図示せず）の
段差部を乗り越えるため、ＡＢＳの近傍で通常１０〜１
５μｍになるからである。そして、１０〜１５μｍのレ
ジスト膜厚において、レジストパターン間隔を１μｍ以
下で形成することは、１０〜１５対１以下の高アスペク
ト比による形成となり、現状のフォトリソグラフィ技術
では安定した形成が困難である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＲ複
合ヘッドの製造方法では、上磁極の両脇に再付着層が存
在するため、ＡＢＳより測定する上磁極幅を正確に測長
することが困難となる。従って、この上磁極幅と磁気デ
ィスク媒体に信号を記録した際の記録幅（以下、実行ラ
イトトラック幅）との相関がばらつき、上磁極幅が１μ
ｍ以下の場合、製造上でのＡＢＳにおける上磁極幅の管
理精度が低下し、生産性が低下するという問題がある。
上磁極幅と実行ライトトラック幅との相関関係を正確に
把握することは、ＭＲ複合ヘッドの製造工程において上
磁極幅を規格・管理する上で重要である。
合ヘッドの製造方法では、上磁極の両脇に再付着層が存
在するため、ＡＢＳより測定する上磁極幅を正確に測長
することが困難となる。従って、この上磁極幅と磁気デ
ィスク媒体に信号を記録した際の記録幅（以下、実行ラ
イトトラック幅）との相関がばらつき、上磁極幅が１μ
ｍ以下の場合、製造上でのＡＢＳにおける上磁極幅の管
理精度が低下し、生産性が低下するという問題がある。
上磁極幅と実行ライトトラック幅との相関関係を正確に
把握することは、ＭＲ複合ヘッドの製造工程において上
磁極幅を規格・管理する上で重要である。
【００１２】また、従来のＭＲ複合ヘッドの製造方法で
は、レジストパターン間隔により磁極幅が規定されるた
め、ＡＢＳでの上磁極幅を１μｍ以下で形成するために
は、これを形成するためのレジストパターン間隔を同様
の寸法に形成する必要があるが、現状のフォトリソグラ
フィ技術ではＡＢＳ付近での上磁極部にて１μｍ以下の
レジストパターン間隔を形成することは困難である。
は、レジストパターン間隔により磁極幅が規定されるた
め、ＡＢＳでの上磁極幅を１μｍ以下で形成するために
は、これを形成するためのレジストパターン間隔を同様
の寸法に形成する必要があるが、現状のフォトリソグラ
フィ技術ではＡＢＳ付近での上磁極部にて１μｍ以下の
レジストパターン間隔を形成することは困難である。
【００１３】さらに、従来のＭＲ複合ヘッドの製造方法
では、下磁極兼上シールドおよび上磁極の側壁に形成さ
れた再付着層は、コイル，各磁極のめっき下地膜を構成
するＴｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ等複数の金属が積層
して形成されるため、局所電池を形成して腐食を発生す
る可能性があり、ＡＢＳに露出している再付着層を起点
にして磁極が腐食し、ＭＲ複合ヘッドの記録・再生能力
を著しく損なう恐れがある。
では、下磁極兼上シールドおよび上磁極の側壁に形成さ
れた再付着層は、コイル，各磁極のめっき下地膜を構成
するＴｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ等複数の金属が積層
して形成されるため、局所電池を形成して腐食を発生す
る可能性があり、ＡＢＳに露出している再付着層を起点
にして磁極が腐食し、ＭＲ複合ヘッドの記録・再生能力
を著しく損なう恐れがある。
【００１４】本発明の目的は、ＭＲ複合ヘッドの製造工
程において、上磁極幅の管理精度を向上させるととも
に、ＡＢＳでの上磁極幅を１μｍ以下に形成し、かつ、
下磁極兼上シールドおよび上磁極の側壁に形成される再
付着層に起因する腐食発生を抑制できるＭＲ複合ヘッド
の製造方法およびこれによるＭＲ複合ヘッドを提供する
ことにある。
程において、上磁極幅の管理精度を向上させるととも
に、ＡＢＳでの上磁極幅を１μｍ以下に形成し、かつ、
下磁極兼上シールドおよび上磁極の側壁に形成される再
付着層に起因する腐食発生を抑制できるＭＲ複合ヘッド
の製造方法およびこれによるＭＲ複合ヘッドを提供する
ことにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲ複合ヘッド
の製造方法は、基板上に形成されたＭＲ（磁気抵抗効
果）素子と、磁気ギャップを介した上下２つの磁極とこ
の磁極間に絶縁層を介して形成されたコイルを含む薄膜
電磁変換素子とを一体化して搭載したＭＲ複合ヘッドの
製造方法において、前記上磁極の形成が、（１）スパッ
タリング法により基板上に磁性膜を成膜する工程、
（２）その上にレジストパターンで磁極パターンを形成
する工程、（３）基板上のレジストパターン以外の部分
に電気めっき法により磁極層を成膜する工程、（４）磁
極層のうち磁極となる部分のみ除いてレジストパターン
で覆う工程、（５）化学エッチング法により不要な磁極
層を除去し、かつ有機溶剤により全てのレジストカバー
パターンを除去する工程、（６）イオンミリング法によ
り磁極層近傍のめっき下地膜を除去する工程、（７）イ
オンミリング法により磁極層の側壁に形成された再付着
層を除去する工程、を含むことを特徴とする。
の製造方法は、基板上に形成されたＭＲ（磁気抵抗効
果）素子と、磁気ギャップを介した上下２つの磁極とこ
の磁極間に絶縁層を介して形成されたコイルを含む薄膜
電磁変換素子とを一体化して搭載したＭＲ複合ヘッドの
製造方法において、前記上磁極の形成が、（１）スパッ
タリング法により基板上に磁性膜を成膜する工程、
（２）その上にレジストパターンで磁極パターンを形成
する工程、（３）基板上のレジストパターン以外の部分
に電気めっき法により磁極層を成膜する工程、（４）磁
極層のうち磁極となる部分のみ除いてレジストパターン
で覆う工程、（５）化学エッチング法により不要な磁極
層を除去し、かつ有機溶剤により全てのレジストカバー
パターンを除去する工程、（６）イオンミリング法によ
り磁極層近傍のめっき下地膜を除去する工程、（７）イ
オンミリング法により磁極層の側壁に形成された再付着
層を除去する工程、を含むことを特徴とする。
【００１６】また、再付着層の除去工程においてイオン
ミリングのイオンビームの基板面に対する入射角度をθ
とするとき、４５°＜θ＜９０°であることを特徴し、
磁気ディスク媒体と対向する面における上磁極幅を１μ
ｍ以下に形成することを特徴とする。そして、このＭＲ
複合ヘッドの製造方法を用いて作製したことを特徴とす
る。
ミリングのイオンビームの基板面に対する入射角度をθ
とするとき、４５°＜θ＜９０°であることを特徴し、
磁気ディスク媒体と対向する面における上磁極幅を１μ
ｍ以下に形成することを特徴とする。そして、このＭＲ
複合ヘッドの製造方法を用いて作製したことを特徴とす
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１８】図１は、本発明によるＭＲ複合ヘッドのＡ
ＢＳ側から見た磁極の形状を形成工程順に示す図であ
る。また、図２は、上磁極側壁における再付着量とイオ
ンミリング入射角との関係を示す図である。
ＢＳ側から見た磁極の形状を形成工程順に示す図であ
る。また、図２は、上磁極側壁における再付着量とイオ
ンミリング入射角との関係を示す図である。
【００１９】図１および図２を参照すると、まず、図１
（ａ）に示すように、スパッタリング法により基板１の
上に磁極と同一材料のめっき下地膜２を形成し、その上
に所望の磁極パターンの端部を囲むフレーム状のレジス
トフレームパターン３を形成する。このとき、所望の磁
極パターンが、ＭＲ複合ヘッドのＡＢＳでの上磁極幅の
ような、公差が小さく、かつ１μｍ以下の寸法を要求す
る部分では、レジストパターン間隔１３を所望の磁極パ
ターンの幅よりも大きく形成する。
（ａ）に示すように、スパッタリング法により基板１の
上に磁極と同一材料のめっき下地膜２を形成し、その上
に所望の磁極パターンの端部を囲むフレーム状のレジス
トフレームパターン３を形成する。このとき、所望の磁
極パターンが、ＭＲ複合ヘッドのＡＢＳでの上磁極幅の
ような、公差が小さく、かつ１μｍ以下の寸法を要求す
る部分では、レジストパターン間隔１３を所望の磁極パ
ターンの幅よりも大きく形成する。
【００２０】この場合のレジストパターン間隔１３は、
所望する磁極層幅により近く、かつレジストパターン間
隔１３の公差が前記磁極層幅の公差を許容できる範囲で
形成することが望ましい。
所望する磁極層幅により近く、かつレジストパターン間
隔１３の公差が前記磁極層幅の公差を許容できる範囲で
形成することが望ましい。
【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
フレームパターン３が形成されている部分以外のめっき
下地膜２の上に、電気めっき法により磁極層５を形成す
る。そして、図１（ｃ）に示すように、磁極層５のみを
完全に覆うレジストカバーパターン４を形成し、その
後、周囲の不要となる磁極層５を化学エッチング法等に
より除去し、さらに、このレジストカバーパターン４を
有機溶剤等により除去する。続いて、図１（ｄ）に示す
ように、磁極層５の近傍のめっき下地膜２をイオンミリ
ング法により除去する。
フレームパターン３が形成されている部分以外のめっき
下地膜２の上に、電気めっき法により磁極層５を形成す
る。そして、図１（ｃ）に示すように、磁極層５のみを
完全に覆うレジストカバーパターン４を形成し、その
後、周囲の不要となる磁極層５を化学エッチング法等に
より除去し、さらに、このレジストカバーパターン４を
有機溶剤等により除去する。続いて、図１（ｄ）に示す
ように、磁極層５の近傍のめっき下地膜２をイオンミリ
ング法により除去する。
【００２２】その結果、図１（ｅ）に示すように、磁極
層５およびめっき下地膜２の側壁に再付着層６が形成さ
れる。ここで、再付着層を含む磁極層幅１４は、図１
（ａ）において形成したレジストパターン間隔１３と比
較し、再付着層６の膜厚の分だけ大きくなり、図中、磁
極層幅１５から再付着層を含む磁極層幅１４に広がる。
層５およびめっき下地膜２の側壁に再付着層６が形成さ
れる。ここで、再付着層を含む磁極層幅１４は、図１
（ａ）において形成したレジストパターン間隔１３と比
較し、再付着層６の膜厚の分だけ大きくなり、図中、磁
極層幅１５から再付着層を含む磁極層幅１４に広がる。
【００２３】次に、図１（ｆ）に示すように、イオンミ
リング法にて磁極層およびめっき下地膜の側壁に形成さ
れた再付着層を除去する。このとき、ＭＲ複合ヘッドの
ＡＢＳでの上磁極幅のような、公差が小さく、かつ１μ
ｍ以下の寸法を要求する部分で、図１（ａ）に示すレジ
ストパターン間隔１３を、所望する磁極幅よりも大きく
レジストフレームパターン３を形成している場合には、
その磁極幅が得られるまで、さらにイオンミリング法で
磁極層５の側壁をエッチングする。
リング法にて磁極層およびめっき下地膜の側壁に形成さ
れた再付着層を除去する。このとき、ＭＲ複合ヘッドの
ＡＢＳでの上磁極幅のような、公差が小さく、かつ１μ
ｍ以下の寸法を要求する部分で、図１（ａ）に示すレジ
ストパターン間隔１３を、所望する磁極幅よりも大きく
レジストフレームパターン３を形成している場合には、
その磁極幅が得られるまで、さらにイオンミリング法で
磁極層５の側壁をエッチングする。
【００２４】ここで、図１（ｆ）にて使用するイオンミ
リングによるイオンビームの入射角θは、基板１の面に
対し４５゜＜θ＜９０゜の範囲である。その理由は、図
２に示すように、上磁極の側壁における再付着量とイオ
ンミリング入射角との関係は、電子ビームの入射角が０
゜〜４５゜の範囲の場合に再付着層が形成され、また、
入射角が４５゜より大きい場合でのみ、再付着層はエッ
チングされる。そして、入射角が９０゜以上になると、
基板１上にイオンビームが到達しなくなる。
リングによるイオンビームの入射角θは、基板１の面に
対し４５゜＜θ＜９０゜の範囲である。その理由は、図
２に示すように、上磁極の側壁における再付着量とイオ
ンミリング入射角との関係は、電子ビームの入射角が０
゜〜４５゜の範囲の場合に再付着層が形成され、また、
入射角が４５゜より大きい場合でのみ、再付着層はエッ
チングされる。そして、入射角が９０゜以上になると、
基板１上にイオンビームが到達しなくなる。
【００２５】この結果、図１（ｇ）に示すように、磁極
層５およびめっき下地膜２の側壁から再付着層６が除去
され、再付着層が除去された上磁極幅１６となる。そし
て、図１（ａ）に示す形成工程におけるレジストパター
ン間隔１３よりも小さい、例えば、１μｍ以下の磁極幅
をもつ磁極パターンの形成が可能となる。
層５およびめっき下地膜２の側壁から再付着層６が除去
され、再付着層が除去された上磁極幅１６となる。そし
て、図１（ａ）に示す形成工程におけるレジストパター
ン間隔１３よりも小さい、例えば、１μｍ以下の磁極幅
をもつ磁極パターンの形成が可能となる。
【００２６】上述した形成工程を経て作製されたＭＲ複
合ヘッドのＡＢＳにおける形状は、図１（ｈ）の図中、
下方から順に下シールド７，ＭＲ素子８，下磁極兼上シ
ールドのめっき下地膜９，下磁極兼上シールド１０，上
磁極のめっき下地膜１１，上磁極１２が形成されている
が、下磁極兼上シールドのめっき下地膜９，下磁極兼上
シールド１０の側壁、および上磁極のめっき下地膜３
１，上磁極３２の側壁には、いずれも再付着層が存在し
ない。そして、上磁極幅１７が１μｍ以下の上磁極１２
を実現できる。
合ヘッドのＡＢＳにおける形状は、図１（ｈ）の図中、
下方から順に下シールド７，ＭＲ素子８，下磁極兼上シ
ールドのめっき下地膜９，下磁極兼上シールド１０，上
磁極のめっき下地膜１１，上磁極１２が形成されている
が、下磁極兼上シールドのめっき下地膜９，下磁極兼上
シールド１０の側壁、および上磁極のめっき下地膜３
１，上磁極３２の側壁には、いずれも再付着層が存在し
ない。そして、上磁極幅１７が１μｍ以下の上磁極１２
を実現できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、上磁極
の形成後にイオンミリング法にて上磁極側壁をエッチン
グすることにより、上磁極幅を高精度に（１μｍ以下
に）設定でき、形成工程における上磁極幅の管理精度が
高まるとともに、ＭＲ複合ヘッドの製造歩留まりが向上
する。
の形成後にイオンミリング法にて上磁極側壁をエッチン
グすることにより、上磁極幅を高精度に（１μｍ以下
に）設定でき、形成工程における上磁極幅の管理精度が
高まるとともに、ＭＲ複合ヘッドの製造歩留まりが向上
する。
【００２８】また、下磁極兼上シールドおよび上磁極の
側壁に形成された再付着層は、コイル，各磁極のめっき
下地膜を構成するＴｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ等複数
の金属が積層して形成されるため、局所電池を形成して
腐食を発生する可能性があるが、再付着層を除去するこ
とにより、腐食の発生を抑制しＭＲ複合ヘッドの耐久性
に効果がある。
側壁に形成された再付着層は、コイル，各磁極のめっき
下地膜を構成するＴｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ等複数
の金属が積層して形成されるため、局所電池を形成して
腐食を発生する可能性があるが、再付着層を除去するこ
とにより、腐食の発生を抑制しＭＲ複合ヘッドの耐久性
に効果がある。
【図１】本発明によるＭＲ複合ヘッドのＡＢＳ側から見
た磁極の形状を形成工程順に示す図である。
た磁極の形状を形成工程順に示す図である。
【図２】上磁極側壁での再付着層とイオンミリング入射
角との関係を示す図である。
角との関係を示す図である。
【図３】従来方法によるＭＲ複合ヘッドのＡＢＳ側から
見た磁極の形状を形成工程順に示す図である。
見た磁極の形状を形成工程順に示す図である。
１，２１ 基板 ２，２２ めっき下地膜 ３，２３ レジストフレームパターン ４，２４ レジストカバーパターン ５，２５ 磁極層 ６，２６ 再付着層 ７，２７ 下シールド ８，２８ ＭＲ素子 ９，２９ 下磁極兼上シールドのめっき下地膜 １０，３０ 下磁極兼上シールド １１，３１ 上磁極のめっき下地膜 １２，３２ 上磁極 １３，３３ レジストパターン間隔 １４，３４ 再付着層を含む磁極層幅 １５，３５ 磁極層幅 １６ 再付着層が除去された上磁極幅 １７，３６ 上磁極幅 ３７ 再付着層を含む上磁極幅
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成されたＭＲ（磁気抵抗効
果）素子と、磁気ギャップを介した上下２つの磁極とこ
の磁極間に絶縁層を介して形成されたコイルを含む薄膜
電磁変換素子とを一体化して搭載したＭＲ複合ヘッドの
製造方法において、前記上磁極の形成が次の工程を含む
ことを特徴とするＭＲ複合ヘッドの製造方法。 （１）スパッタリング法により基板上に磁性膜を成膜す
る工程 （２）その上にレジストパターンで磁極パターンを形成
する工程 （３）基板上のレジストパターン以外の部分に電気めっ
き法により磁極層を成膜する工程 （４）磁極層のうち磁極となる部分のみ除いてレジスト
パターンで覆う工程 （５）化学エッチング法により不要な磁極層を除去し、
かつ有機溶剤により全てのレジストカバーパターンを除
去する工程 （６）イオンミリング法により磁極層近傍のめっき下地
膜を除去する工程 （７）イオンミリング法により磁極層の側壁に形成され
た再付着層を除去する工程 - 【請求項２】 再付着層の除去工程においてイオンミリ
ングのイオンビームの基板面に対する入射角度をθとす
るとき、４５°＜θ＜９０°であることを特徴とする請
求項１に記載のＭＲ複合ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のＭＲ複合ヘッドの製造方
法において、磁気ディスク媒体と対向する面における上
磁極幅を１μｍ以下に形成することを特徴とするＭＲ複
合ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のＭＲ複合ヘッドの製造方
法を用いて作製したことを特徴とするＭＲ複合ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29563897A JPH11134618A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Ｍｒ複合ヘッドの製造方法およびこれによるｍｒ複合ヘ ッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29563897A JPH11134618A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Ｍｒ複合ヘッドの製造方法およびこれによるｍｒ複合ヘ ッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134618A true JPH11134618A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17823252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29563897A Pending JPH11134618A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Ｍｒ複合ヘッドの製造方法およびこれによるｍｒ複合ヘ ッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11134618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7526856B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-05-05 | Hitachi Global Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating a magnetic head using a ferrofluid mask |
-
1997
- 1997-10-28 JP JP29563897A patent/JPH11134618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7526856B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-05-05 | Hitachi Global Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating a magnetic head using a ferrofluid mask |
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