JPS6295712A - 薄膜磁気ヘツドの磁極形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの磁極形成方法Info
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- JPS6295712A JPS6295712A JP23587585A JP23587585A JPS6295712A JP S6295712 A JPS6295712 A JP S6295712A JP 23587585 A JP23587585 A JP 23587585A JP 23587585 A JP23587585 A JP 23587585A JP S6295712 A JPS6295712 A JP S6295712A
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- Japan
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- magnetic
- layer
- magnetic pole
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- pattern
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、めっき法を用いた薄膜磁気ヘッドの磁極形成
方法の改善に関する。
方法の改善に関する。
〈従来の技術〉
はじめに薄膜磁気ヘッドの構造について第２図を用いて
簡単に説明する。
簡単に説明する。
第２図において、１は基板であり、この基板１上にパー
マロイや非晶質ｃｏ−Ｚｒなどの高透磁率層にて上下磁
極２が形成されている。この上下ｖＡ極の間には磁極励
磁用コイル３がＣｕまたはＡＵ等の電気良導体にて形成
されている。４はコイルの絶縁と上下磁極間を隔離する
層、５は磁極先端の記録ギャップを形成する層、６はｌ
膜形成部の腐蝕２機械的破損を防止する保護層である。
マロイや非晶質ｃｏ−Ｚｒなどの高透磁率層にて上下磁
極２が形成されている。この上下ｖＡ極の間には磁極励
磁用コイル３がＣｕまたはＡＵ等の電気良導体にて形成
されている。４はコイルの絶縁と上下磁極間を隔離する
層、５は磁極先端の記録ギャップを形成する層、６はｌ
膜形成部の腐蝕２機械的破損を防止する保護層である。
上記構成において、上下磁極２の先端部形状は記録幅を
決定するため、高記録密度化に伴いバタニニングの微細
化、高精度化が要求される。また、磁極部２の磁気特性
が記録特性に大きく影響するので磁極部２の磁気特性の
向上が要求される。
決定するため、高記録密度化に伴いバタニニングの微細
化、高精度化が要求される。また、磁極部２の磁気特性
が記録特性に大きく影響するので磁極部２の磁気特性の
向上が要求される。
第１（ａ）〜（ｆ）は従来の薄膜磁気ヘッドの磁積形成
工程を示すものである。工程に従って説明する。
工程を示すものである。工程に従って説明する。
工程（ａ） 基板１にパーマロイ等の金属磁性層で、
めっき下地層としての電気的活性層１０（以下、下地層
という）を形成する。
めっき下地層としての電気的活性層１０（以下、下地層
という）を形成する。
工程（ｂ） 下地層１０の上にフォトレジストでフレ
ーム状の磁極パターン１１を形成する。
ーム状の磁極パターン１１を形成する。
工程（Ｃ） １１極としてのパーマロイ（磁性層）１
２を電気めっきにて外部磁界中で形成する。
２を電気めっきにて外部磁界中で形成する。
（矢印は外部磁界の方向を示す）
工程（ｄ） 保護レジスト１３にて磁極形成部のみ覆
う。
う。
工程（ｅ） 化学エツチングにて保護レジスト１３に
て覆った磁極形成部以外の磁性層１２および下地１１０
を削除する。
て覆った磁極形成部以外の磁性層１２および下地１１０
を削除する。
工程（ｆ） 保護レジスト１３を除去する。
なお、磁界中めっきの目的はパーマロイ層に磁界方向が
容易軸となる誘導磁気異方性を発生させるためである。
容易軸となる誘導磁気異方性を発生させるためである。
しかしながら、磁界中めっきの際に７オトレジストフレ
ームのフレーム幅に比例した大きさの反磁界が発生し、
外部磁界を妨げるため、フレーム幅が狭い程誘導磁気異
方性が発生しやすい。
ームのフレーム幅に比例した大きさの反磁界が発生し、
外部磁界を妨げるため、フレーム幅が狭い程誘導磁気異
方性が発生しやすい。
上記方法により形成した磁極は磁気ヘッドとして使用時
の励磁方向が磁化困難軸となるので高周波でも高い透磁
率を示す。また、パターン精度が７オトレジストフレー
ムの内側のパターン精度と同じになり、磁気ヘッドの磁
極として必要な膜厚３〜４μｍでも一般の化学エツチン
グでは得られない高いパターン精度が実現出来る。
の励磁方向が磁化困難軸となるので高周波でも高い透磁
率を示す。また、パターン精度が７オトレジストフレー
ムの内側のパターン精度と同じになり、磁気ヘッドの磁
極として必要な膜厚３〜４μｍでも一般の化学エツチン
グでは得られない高いパターン精度が実現出来る。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記従来のフレームめっき法においては
次のような問題がある。
次のような問題がある。
（１） 化学エツチングの際フォトレジストフレーム
１１の下の下地層１０がエツチングされるため、エツチ
ング量が多すぎると第４図のイ部に示すように磁極部１
２までエツチングされてしまい、オーバエツチングとな
る。
１１の下の下地層１０がエツチングされるため、エツチ
ング量が多すぎると第４図のイ部に示すように磁極部１
２までエツチングされてしまい、オーバエツチングとな
る。
（２） 半面エツチング量が少なすぎるとフォトレジ
ストフレーム１１の外側のパーマロイ層１２が残漬とし
て残るため、第５図の口部に示すようにアンダーエツチ
ングとなる。
ストフレーム１１の外側のパーマロイ層１２が残漬とし
て残るため、第５図の口部に示すようにアンダーエツチ
ングとなる。
〈問題点を解決するための手段〉
上記問題点を解決するための本発明の構成は、基板上に
下地層を形成し、前記下地層上に内部輪郭が所望の形状
に形成されたフレーム状パターンを電気的不活性層にて
形成し、前記電気的）活性層上に磁界中めっき法にて所
望の方向に磁気異方性を有する磁極（磁性層）を形成し
、前記フレーム状パターン外側の前記磁極を化学エツチ
ングにて除去し、所定の形状と磁気異方性を有する磁極
を形成する方法において、磁界中めっき後に、前記フレ
ーム状パターンおよびフレーム状パターンの下の前記下
地層を除去し、その除去部分を含む前記磁極全体を耐化
学エツチング性の高い材料で覆い、前記フレーム状パタ
ーンの外側の前記磁極を化学エツチングにて除去したこ
とを特徴とするものである。
下地層を形成し、前記下地層上に内部輪郭が所望の形状
に形成されたフレーム状パターンを電気的不活性層にて
形成し、前記電気的）活性層上に磁界中めっき法にて所
望の方向に磁気異方性を有する磁極（磁性層）を形成し
、前記フレーム状パターン外側の前記磁極を化学エツチ
ングにて除去し、所定の形状と磁気異方性を有する磁極
を形成する方法において、磁界中めっき後に、前記フレ
ーム状パターンおよびフレーム状パターンの下の前記下
地層を除去し、その除去部分を含む前記磁極全体を耐化
学エツチング性の高い材料で覆い、前記フレーム状パタ
ーンの外側の前記磁極を化学エツチングにて除去したこ
とを特徴とするものである。
〈実施例〉
第１図（１〜（ｍ＞は本発明の薄膜ヘッドの磁極形成方
法の一実施例を示す工程図である。
法の一実施例を示す工程図である。
工程に従って説明する。
工程（Ｑ） 基板１にパーマロイ等の金属磁性層で、
めっき下地層１０を形成する。
めっき下地層１０を形成する。
工程（１１） 下地層１ｏの上に７オトレジストでフ
レーム状の磁極パターン１１を形成する。
レーム状の磁極パターン１１を形成する。
工程（ｉ） 磁極としてのパーマロイ（磁性１）１２
を電気めっきにて外部磁界中で形成する。
を電気めっきにて外部磁界中で形成する。
（矢印は外部磁界の方向を示す）
工程（ｊ） フォトレジストフレームおよびフォトレ
ジストフレーム下の下地層１ｏを除去する。
ジストフレーム下の下地層１ｏを除去する。
工程（ｋ＞ 保護レジスト１３にてフォトレジストフ
レーム１１および下地１１１０を除去した部分と磁極形
成部１４を覆う。
レーム１１および下地１１１０を除去した部分と磁極形
成部１４を覆う。
工程（１） 化学エツチングにてパーマロイ（磁性層）
および下地層１ｏを削除し、磁極形成部１４のみを残す
。
および下地層１ｏを削除し、磁極形成部１４のみを残す
。
工程（ｍ＞ 保護レジスト１３を除去する。
上記方法によれば工程（ｉ）の化学エッチングの際保護
レジスト１３が下地層１０まで完全に覆っているので従
来例のようなアンダエッチングやオーバエツチングを生
じることがない。
レジスト１３が下地層１０まで完全に覆っているので従
来例のようなアンダエッチングやオーバエツチングを生
じることがない。
なお、下地層１０の除去方法は例えばスパッタエツチン
グが好ましい。この場合、磁極形成部１４もエツチング
されるが下地層の膜圧が０．１〜０．３μｍに対し磁極
形成部１４の厚さは２〜４μｍと略１０倍程度は厚いの
で機能上問題となることはない。
グが好ましい。この場合、磁極形成部１４もエツチング
されるが下地層の膜圧が０．１〜０．３μｍに対し磁極
形成部１４の厚さは２〜４μｍと略１０倍程度は厚いの
で機能上問題となることはない。
下地層１０の除去方法は化学エツチングを用いてもよい
がこの方法ではサイドエツチングが生じるためパターン
精度が若干悪くなる。
がこの方法ではサイドエツチングが生じるためパターン
精度が若干悪くなる。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よれば、下地層を除去したのち保護レジストを形成する
ようにしたので、化学エツチングにより磁極形成部が浸
蝕されることがない。その結果エツチング量の管理が不
要となり、パターン精度が向上し、ディスク上のトラッ
ク密度を向上させることが可能となる。
よれば、下地層を除去したのち保護レジストを形成する
ようにしたので、化学エツチングにより磁極形成部が浸
蝕されることがない。その結果エツチング量の管理が不
要となり、パターン精度が向上し、ディスク上のトラッ
ク密度を向上させることが可能となる。
第１図（９）〜（ｍ）は本発明の一実廠例を示す薄膜磁
気ヘッドの磁極形成方法の工程を示す説明図、第２図は
薄膜磁気ヘッドの説明図、第３図は従来例の薄膜磁気ヘ
ッドの磁極形成方法の工程を示す説明図、第４図は従来
の方法においてオーバエツチングが生じた状態を示す図
、第５図は従来の方法においてアンダーエツチングが生
じた状態を示す図である。 １・・・基板、１０・・・下地層（電気的活性層）、１
１・・・フォトレジストフレーム、１２．１４・・・磁
極（１ｉ性層）、１３・・・保護レジスト。
気ヘッドの磁極形成方法の工程を示す説明図、第２図は
薄膜磁気ヘッドの説明図、第３図は従来例の薄膜磁気ヘ
ッドの磁極形成方法の工程を示す説明図、第４図は従来
の方法においてオーバエツチングが生じた状態を示す図
、第５図は従来の方法においてアンダーエツチングが生
じた状態を示す図である。 １・・・基板、１０・・・下地層（電気的活性層）、１
１・・・フォトレジストフレーム、１２．１４・・・磁
極（１ｉ性層）、１３・・・保護レジスト。
Claims (1)
- 基板上に電気的活性層を形成し、前記電気的活性層上に
内部輪郭が所望の形状に形成されたフレーム状パターン
を電気的不活性層にて形成し、前記電気的活性層上に磁
界中めつき法にて所望の方向に磁気異方性を有する磁極
（磁性層）を形成し、前記フレーム状パターン外側の前
記磁極を化学エッチングにて除去し、所定の形状と磁気
異方性を有する磁極を形成する方法において、磁界中め
つき後に、前記フレーム状パターンおよびフレーム状パ
ターンの下の前記電気的活性層を除去し、その除去部分
を含む前記磁極全体を耐化学エッチング性の高い材料で
覆い、前記フレーム状パターンの外側の前記磁極を化学
エッチングにて除去したことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの磁極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23587585A JPS6295712A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 薄膜磁気ヘツドの磁極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23587585A JPS6295712A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 薄膜磁気ヘツドの磁極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295712A true JPS6295712A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=16992536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23587585A Pending JPS6295712A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 薄膜磁気ヘツドの磁極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8230582B2 (en) | 2004-06-30 | 2012-07-31 | HGST Netherlands B.V. | Methods of making magnetic write heads with use of a resist channel shrinking solution having corrosion inhibitors |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP23587585A patent/JPS6295712A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8230582B2 (en) | 2004-06-30 | 2012-07-31 | HGST Netherlands B.V. | Methods of making magnetic write heads with use of a resist channel shrinking solution having corrosion inhibitors |
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