KR910010703A - 수직형 반도체 집적구조에 삽입된 n^+확산영역의 브레이크 다운 방지장치 - Google Patents
수직형 반도체 집적구조에 삽입된 n^+확산영역의 브레이크 다운 방지장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910010703A KR910010703A KR1019900017932A KR900017932A KR910010703A KR 910010703 A KR910010703 A KR 910010703A KR 1019900017932 A KR1019900017932 A KR 1019900017932A KR 900017932 A KR900017932 A KR 900017932A KR 910010703 A KR910010703 A KR 910010703A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- type
- region
- diffusion region
- prevention device
- breakdown prevention
- Prior art date
Links
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 집적 구조내에 삽입된 브레이크다운 방지장치의 제1실시예.
제2도는 제1도 실시예의 회로도.
Claims (4)
- 수직형 반도체 집적구조에 삽입된 N+형 확상영역의 브레이크 다운을 방지하기 위한 장치에 있어서, 접지에 연결된 적어도 하나의 P형 절연포켓(3)이 형성된 N+형 기판(1)을 구비하고, 그 절연포멧(3)에서 상기 N+형 확산 영역(6)을 수용하는 P형 영역(5)이 삽입되어 있는 N형 영역(4)을 포함하며, 상기 N+형 확산영역(6)이 상기 P형 영역(5)에 대해 전기적으로 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 N+형 확산영역의 브레이크다운 방지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 N형 영역(4)과 상기 N+형 확산영역(6)을 수용하는 P형 영역(5)은 서로 연결되어 P+형 절연포켓(3)과 함께 접지로 연결되는 것을 특징으로 하는 N+형 확산영역의 브레이크다운 방지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 N형 영역(4)과 상기 N+형 확산영역(6)을 수용하는 P형 영역(5)은 서로 대해 그리고 P+형 절연포켓에 대해전기적으로분리되는 것을 특징으로 하는 N+형 확산 영역의 브레이크다운 방지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 절연포켓(3)은 N+형 반도체기판(1) 위에 중첩된 N+형 에피택셜층 안에서 형성되는 것을 특징으로 하는 N+형 확산영역의 브레이크다운 방지장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT22289A/89 | 1989-11-07 | ||
| IT02228989A IT1236667B (it) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | Dispositivo di protezione contro la rottura di una regione diffusa di tipo n+ inserita in una struttura integrata di potenza a semiconduttore di tipo verticale |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910010703A true KR910010703A (ko) | 1991-06-29 |
Family
ID=11194230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900017932A KR910010703A (ko) | 1989-11-07 | 1990-11-07 | 수직형 반도체 집적구조에 삽입된 n^+확산영역의 브레이크 다운 방지장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5245211A (ko) |
| EP (1) | EP0427319A3 (ko) |
| JP (1) | JPH03206664A (ko) |
| KR (1) | KR910010703A (ko) |
| IT (1) | IT1236667B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0544048B1 (en) * | 1991-11-25 | 1997-06-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Integrated bridge device optimising conduction power losses |
| DE102004009981B4 (de) * | 2004-03-01 | 2005-12-29 | Infineon Technologies Ag | ESD-Schutzschaltkreis mit Kollektorstrom-gesteuerter Zündung für eine monolithisch integrierte Schaltung |
| JP2020009790A (ja) * | 2016-11-09 | 2020-01-16 | シャープ株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3999215A (en) * | 1972-05-31 | 1976-12-21 | U.S. Philips Corporation | Integrated semiconductor device comprising multi-layer circuit element and short-circuit means |
| JPS5718354A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| US4521799A (en) * | 1982-12-27 | 1985-06-04 | Motorola, Inc. | Crossunder within an active device |
| IT1218128B (it) * | 1987-03-05 | 1990-04-12 | Sgs Microelettronica Spa | Struttura integrata per rete di trasferimento di segnali,particolarmente per circuito di pilotaggio per transistori mos di potenza |
| JPS63305545A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| IT1232930B (it) * | 1987-10-30 | 1992-03-10 | Sgs Microelettronica Spa | Struttura integrata a componenti attivi e passivi inclusi in sacche di isolamento operante a tensione maggiore della tensione di rottura tra ciascun componente e la sacca che lo contiene |
| JPH01261856A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1989
- 1989-11-07 IT IT02228989A patent/IT1236667B/it active IP Right Grant
-
1990
- 1990-10-30 EP EP19900202877 patent/EP0427319A3/en not_active Withdrawn
- 1990-10-30 US US07/605,448 patent/US5245211A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-07 JP JP2300009A patent/JPH03206664A/ja active Pending
- 1990-11-07 KR KR1019900017932A patent/KR910010703A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0427319A2 (en) | 1991-05-15 |
| EP0427319A3 (en) | 1991-10-02 |
| US5245211A (en) | 1993-09-14 |
| JPH03206664A (ja) | 1991-09-10 |
| IT1236667B (it) | 1993-03-25 |
| IT8922289A0 (it) | 1989-11-07 |
| IT8922289A1 (it) | 1991-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR840006872A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
| KR860002153A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR840003923A (ko) | 반도체 메모리 | |
| KR850000804A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR970054364A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR920007199A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR920005297A (ko) | 반도체집적회로 장치 | |
| GB1450561A (en) | Capacitance circuits | |
| KR870006670A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
| JPS55113358A (en) | Semiconductor device | |
| KR910010728A (ko) | 복합형 직접회로소자 | |
| KR910007129A (ko) | 입력보호회로를 구비한 반도체장치 | |
| KR850001642A (ko) | 증폭기 회로 | |
| KR880011937A (ko) | 과전압 보호용 집적회로 | |
| KR910010703A (ko) | 수직형 반도체 집적구조에 삽입된 n^+확산영역의 브레이크 다운 방지장치 | |
| KR890016626A (ko) | 반도체장치 | |
| KR900013658A (ko) | Bi-CMOS반도체장치 | |
| KR910008861A (ko) | 집적회로소자 | |
| KR840008213A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR960043304A (ko) | 정전기에 의한 파괴로부터 반도체 소자를 보호하는 보호 다이오드 | |
| KR890008979A (ko) | 모놀리식 과전압 보호용 어셈블리 | |
| KR860001488A (ko) | 바이폴러 트랜지스터와 iil이 있는 반도체 장치 | |
| JPS5243382A (en) | Mos type diode | |
| KR890008993A (ko) | 반도체 소자 | |
| KR910013587A (ko) | 애벌란취 항복형 접합을 갖는 반도체 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |