KR910005501A - 테이퍼형 반도체 도파관 및 그의 제조방법 - Google Patents

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그레고리 씨. 래니리
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Abstract

내용 없음.

Description

테이퍼형 반도체 도파관 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 4 도는 본 발명의 원리에 따라 테이퍼형 반도체 도파관을 제조하는 연속공정 단계를 보인 단면도.

Claims (20)

  1. 도파관 디바이스를 형성하는 다층 반도체 헤테로 구조체-이 구조체는 서로 교대로 끼워넣은 도파층과 스톱-에치층을 포함하고 있다-를 에칭하는 방법에 있어서, 상기 방법이 : 선정되어 노출된 도파층 일부의 표면에 제 1 의 물질 선택 화학 에칭제를 충분한 시간 접촉시켜 대응하는 선정된 스톱-에치층 일부를 노출시키는 첫번째 단계와, 선정되어 노출된 스톱-에치층 일부의 표면에 제 2 의 물질 선택 화학 에칭제를 충분한 시간 접촉시켜 대응하는 선정된 도파층 일부를 노출시키는 두번째 단계와 첫번째 단계에 뒤따른 두번째 단계를 순차적으로 반복하는 단계를 구비하여 주어진 반복과정에서의 선정되어 노출된 층부분이 앞의 반복과정에서 선정되어 노출된 층부분 보다 길며 적어도 이 부분을 포함하는 식으로 되어, 계단 모양의 테이퍼형 도파관 측면 형상이 형성되어지는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 다층 반도체 헤테로 구조체가 III과 V족 그리고 II와 VI족에서 선정한 성분으로 구성되는 반도체 물질로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 도파층은 인디움갈륨비소인으로 구성되고 스톱-에치층은 인디움인으로 구성되며, 여기서 첫번째 물질 선택 에칭제는 H2SO4: H2O2: H2O로 구성되고 두번째 물질 선택 에칭제는 HCl로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 두번째 물질 선택 에칭제가 Hcl : H3PO4로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 각 도파층이 상기 다층 반도체 헤테로 구조체의 선정된 축을 따라 충분히 멀리 확장되어 상기 도파층이 선형, 포물선형 및 지수형 측면형상으로 구성된 군에서 선정한 계단 모양의 측면 형상을 나타내는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 도파층은 인디움갈륨비소인으로 구성되고 스톱-에치층은 인디움인으로 구성되며, 여기서 첫번째 물질 선택 에칭제는 AB 에칭 용액으로 구성되고 두번째 물질 선택 에칭제는 Hcl로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 두번째 물질 선택 에칭제가 Hcl : H3PO4로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  8. 제 2 항에 있어서, 도파층은 인디움갈륨비소인으로 구성되고 스톱-에치층은 인디움인으로 구성되며, 여기서 첫번째 물질 에칭제는 KOH : K3Fe(CN)6: H2O로 구성되고 두번째 물질 선택 에칭제는 Hcl로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조체 에칭방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 두번째 물질 선택 에칭제가 Hcl : H3PO4로 구성되는 다층 반도체 헤테로 구조적 에칭 방법.
  10. 전파축과 상기 전파축에 수직으로 규정한 기준 평면을 갖는 테이퍼형 도파관에 있어서, 테이퍼형 도파관은 제 1 의 반도체 물질을 포함하고 있는 복수의 도파층과 제 2 의 반도체 물질을 포함하고 있는 복수의 스톱-에치층으로 구성되며, 상기 스톱-에치층을 상기 도파층과 교대로 배치되며, 각 도파층은 상기 전파축을 따라 상기 바로위에 인접한 도파층보다 상기 기준평면에서 더 확장되도록 배치되어 있는 테이퍼형 도파관.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 도파층과 스톱-에치층의 외부표면을 실질적으로 에워싼 피복 영역을 더 포함하며, 상기 피복 영역은 제3의 반도체 물질로 구성되며, 상기 제1의 반도체 물질이 상기 제3의 반도체 물질의 굴절율 보다 큰 굴절율을 갖는 테이퍼형 도파관.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2, 제 3 의 반도체 물질을 III-V족 성분과 II-VI족 성분으로 구성된 군에서 선정하는 테이퍼형 도파관.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 의 반도체 물질은 인디움갈륨비소인을 포함하고, 상기 제 2 및 제 3 의 반도체 물질은 인디움인을 포함하는 테이퍼형 도파관.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 각 도파층은 상기 복수의 도파층이 선형, 포물선형 및 지수형의 측면형상으로 구성된 군에서 선정한 계단 모양의 측면 형상을 나타내기 위해 전파축을 따라 충분히 멀리 확장되는 테이퍼형 도파관.
  15. 전파축과 상기 전파축에 수직으로 규정한 기준 평면을 갖는 테이퍼형 도파관에 있어서, 테이퍼형 도파관은 제 1 의 반도체 물질을 포함하는 복수의 도파층과 제 2 의 반도체 물질을 포함하는 복수의 스톱-에치층으로 구성되며, 상기 스톱-에치층은 상기 도파층과 교대로 배치되며, 각 도파층은 상기 전파축을 따라 상기 바로위에 인접한 도파층보다 상기 기준 평면에서 더 확장 배치되어 있으며, 피복 영역이 상기 복수의 도파층과 스톱-에칭층의 외부 표면을 실질적으로 감싸고 있으며, 상기 피복 영역은 제 3 의 반도체 물질로 구성되며, 상기 제 1 의 반도체 물질은 상기 제 3 의 반도체 물질의 굴절율 보다 큰 굴절율을 갖고 있으며, 상기 피복 영역은 더욱이 상기 테이퍼형 도파관을 따라 전파되는 광파 신호의 미리 정한 특성을 제어하는 수단을 포함하는 테이퍼형 도파관.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제어수단은 적어도 상기 제 3 의 반도체 물질의 상기 굴절율 보다 큰 굴절율을 갖는 제 4 의 반도체 물질을 포함하는 제 1 의 비임 제어층으로 구성되며, 상기 제 1 의 비임 제어층은 상기 복수의 도파층과 평행하게 배치된 테이퍼형 도파관.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 부터 제 4 까지의 반도체 물질이 III-V족 성분과 II-VI족 성분으로 구성된 군에서 선정되는 테이퍼형 도파관.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 제 3 의 반도체 물질의 상기 굴절율 보다 큰 굴절율을 갖는 제 5 의 반도체 물질을 포함하는 제 2 의 비임 제어층으로 추가 구성되며, 상기 제 2 의 비임 제어층은 상기 복수의 도파층과 평행이고 상기 제 1 의 비임 제어층으로부터 상기 복수의 도파층의 반대편에 배치된 테이퍼형 도파관.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 제 1 부터 제 5 의 반도체 물질을 III-V족 성분과 II-VI족 성분으로 구성되는 군에서 선정하는 테이퍼형 도파관.
  20. 제 17 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 복수의 각 도파층은 상기 복수의 도파층이 선형, 포물선형 및 지수형의 측면 형상으로 구성된 군에서 선정한 계단 모양의 측면 형상을 나타내기 위해 전파축을 따라 충분히 멀리 확장되는 테이퍼형 도파관.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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