KR910005316A - 반도체 불휘발성 메모리장치 - Google Patents

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KR910005316A
KR910005316A KR1019900012656A KR900012656A KR910005316A KR 910005316 A KR910005316 A KR 910005316A KR 1019900012656 A KR1019900012656 A KR 1019900012656A KR 900012656 A KR900012656 A KR 900012656A KR 910005316 A KR910005316 A KR 910005316A
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고이찌 세끼
다께시 와다
다다시 무또
가즈또 이자와
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미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 불휘발성 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 종합적인 EEPROM의 블럭도,
제7도는 본 발명의 실시예에 따른 EEPROM의 주변회로와 메모리 어레이 유닛의 회로구성의 블럭도.

Claims (11)

  1. 매트릭스 형태로 배열되고, 1개의 위드선(W)와 1개의 데이타선(D)에 의해 선택되며, 그의 게이트가 상기 워드선에 접속되고, 그의 드레인이 상기 데이타선에 접속되는 전기적으로 소거 가능한 불휘발성 메모리 소자를 다수개 갖는 메모리 어레이, 상기 메모리 소자에 기억된 정보를 리드하는 제1의 회로와 상기 메모리장치의 리드동작동안 상기 메모리어레이의 모든 상기 메모리소자의 게이트를 접지시키는 제2의 회로를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제2의 회로는 외부 신호에 따라 상기 게이트를 접지시키는 반도체 메모리장치.
  3. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 외부 신호는 디플렛션 테스트를 지정하는 신호인 반도체 메모리장치.
  4. 매트릭스 형태로 배열되고, 위드선(W)중 1개와 1개의 데이타선(D)에 의해 선택되며, 그의 게이트가 상기 위드선에 접속되고, 그의 드레인이 상기 데이타선에 접속되는 전기적으로 소거 가능한 불휘발성 메모리 소자를 다수개 갖고 또한 워드선을 다수개 갖는 메모리 어레이, 상기 메모리소자에 기억된 정보를 리드하는 센스회로와 제1의 모드에서 어드레스신호에 따라 1개의 워드선을 지정하며, 제2의 모드에서 상기 어드레스 신호와 무과나게 모든 워드선을 접지시키고 상기 센스회로가 상기 제1및 제2의 모드 모두에서 동작할 수 있는 어드레스 디코더를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  5. 특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 제1의 모드에서 메모리장치는 라이트모드나 리드모드중 하나에 있고, 상기 제2의 모드에서 메모리 장치는 소거모드나 디플렛션 테스트모드중 하나에 있는 반도체 메모리장치.
  6. 매트릭스 형태로 배열되고, 1개의 위드선(W)와 1개의 데이타선(D)에 의해 선택되며, 게이트를 가진 전기적으로 소거 가능한 불휘발성 메모리소자를 다수개 갖는 메모리 어레이, 동일한 소정의 전압으로 모든 상기 메모리 소자의 게이트를 유지시키는동안, 상기 메모리소자에 기억된 정보를 리드하는 수단을 포함하는 메모리장치.
  7. 특허 청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 소정의 전압은 비선택 상태에서 상기 메모리소자에 걸리는 전압인 반도체 메모리장치.
  8. 특허 청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 소정의 전압은 OV인 반도체 메모리 장치.
  9. 소정의 정보처리기능을 가진 CPU, 매트릭스 형태로 배열되고, 1개의 워드선과 1개의 데이타선에 의해 선택되며, 게이트를 가진 전기적으로 소거 가능한 불휘발성 메모리 소자를 다수개 갖는 메모리 어레이, 동일한 소정의 전압으로 모든 상기 메모리 소자의 게이트를 유지시키는 동안, 상기 메모리소자에 기억된 정보를 리드하는 수단을 포함하는 불휘발성 메모리장치와 상기 CPU에 상기 불휘발성 메모리장치를 접속하는 시스템버스를 포함하는 마이크로 컴퓨터.
  10. 특허 청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 소정의 전압은 비선택 상태에서 상기 메모리 소자에 걸리는 전압인 마이크로 컴퓨터.
  11. 특허 청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 소정의 전압은 OV인 마이크로 컴퓨터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012656A 1989-08-18 1990-08-17 반도체 불휘발성 메모리장치 KR910005316A (ko)

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JP21132189 1989-08-18

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