KR950024353A - 불휘발성 메모리회로 - Google Patents

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KR950024353A
KR950024353A KR1019950001509A KR19950001509A KR950024353A KR 950024353 A KR950024353 A KR 950024353A KR 1019950001509 A KR1019950001509 A KR 1019950001509A KR 19950001509 A KR19950001509 A KR 19950001509A KR 950024353 A KR950024353 A KR 950024353A
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아키히로 야마자키
도루 오카와
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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    • G11C16/32—Timing circuits

Abstract

본 발명은, 독출시에 가하는 스트레스를 회로적으로 완화하여 불휘발성 메모리의 리드보유특성(데이터 유지성)의 향상을 도모한다.
전기적으로 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 셀로 이루어진 메모리 셀 어레이(11)와, 상기 메모리 셀 어레이에 대해 외부신호에 따라서 행디코더(12), 열디코더(13)를 매개로 어드레스를 지정하고, 액세스동작을 행하는 메모리 주변회로와, 어드레스의 변화에 응하여 일정기간 메모리 셀의 선택을 허가하는 신호를 발생하는 신호(ATD1)를 발생하면서 이 신호(ATD1)성립기간 내에 메모리 셀로부터의 독출 데이터를 래치하는 래치회로(22)를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.

Description

불휘발성 메모리회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 불휘발성 메모리회로의 독출계의 회로도.

Claims (3)

  1. 전기적 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 셀로 이루어진 메모리 셀 어레이(11)와, 이 메모리 셀 어레이에 대해서 외부신호에 따른 행디코더(12), 열디코더(13)를 매개로어드레스를 지정하고 액세스동작을 행하는 메모리 주변회로, 액세스의 변화에 응하여 일정 기간 메모리셀의 선택을 허가하는 신호를 발생하는 신호발생수단(21)및, 상기 신호의 성립기간내에 메모리 셀로부터의 독출 데이터를 래치하는 래치수단(22)을 구비하고, 상기 신호의 성립기간 이외에서는 모든 메모리 셀을 비 선택으로 하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 신호의 성립기간 이외에서는 행디코더(12) 열디코더(13)에서의 선택동작을 금지해 모든 메모리 셀을 비선택으로 하는것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상기 래치수단(11)의 달성을 위한 상기 신호발생수단(11)의 신호보다도 상승이 늦고, 하강이 빠른 래치신호를 발생하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001509A 1994-01-27 1995-01-27 불휘발성 메모리회로 KR0159452B1 (ko)

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