KR910003699A - 산화광 결정을 열처리하는 방법 및 이를 수행하기 위한 열처리 장치 - Google Patents

산화광 결정을 열처리하는 방법 및 이를 수행하기 위한 열처리 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

산화광 결정을 열처리하는 방법 및 이를 수행하기 위한 열처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 산화광 결정의 부분 단면도,
제2도는 오존 대기에서 열처리 전 및 후 산화광 결정의 광투과 특성을 비교하여 도시한 그래프.
제3도는 본 발명에 의한 열처리 장치의 개략도.

Claims (16)

  1. 오존을 함유하는 대기에서 산화광 결정을 가열하는 것을 포함하는 산화광 결정을 열처리하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 열처리하기 위한 대기는 체적의 0.001내지 20%범위의 오존 농도를 갖는 산소 대기인 산화광 결정을 열처리 하는 방법
  3. 제1항에 있어서, 열처리하기 위한 가열 온도는 300℃내지 1000℃의 범위인 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 산화광 결정을 열처리하는 방법은 결정이 열처리 되기전 보호막을 갖는 산화광 결정을 코팅하는 것을 포함하는 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 산화광 결정은 광 도파관 장치의 기판을 형성하기 위하여 사용되는 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 산화광 결정은 광 도파관 장치의 광 도파관을 형성하기 위하여 사용되는 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 산화광 결정은 자기 석류석인 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 자기 석류석은 Bi치환 자기 석류석인 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 자기 석류석인 석류석이 열처리 되기전 보호막으로 코팅되는 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 보호막은 산화막이 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  11. 산화광 결정이 오존을 함유하는 대기에서 열처리되는 제1열처리 공정과 제1열처리 공정에 의해서 열처리되는 산화광 결정이 산소 대기에서 열처리되는 차후 제2열처리 공정을 포함하는 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 제2열처리 공정의 가열 온도는 300℃내지 550℃의 범위에 있는 산화광 결정을 열처리 하는 방법.
  13. 열처리되는 장치를 포함하는 열처리 용기; 열처리 용기내에 포함되는 장치를 가열하기 위한 가열수단; 오존을 함유하는 대기 기체를 열처리 용기에 공급하기 위한 대기 기체공급 수단 및; 열처리 용기의 벽을 냉각하기 위한 냉각 수단을 포함하는 열처리 장치.
  14. 제13항에 있어서, 가열 수단은 전기 자기파 가열 수단인 열처리 장치.
  15. 제13항에 있어서, 가열 수단은 유도 가열인 열처리 장치.
  16. 제13항에 있어서, 장치는 산화광 결정이 열처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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