KR910001447A - 고체 입자가 분산되어있는 여과염료층을 갖는 광선하에서 조작가능한 사진재료 - Google Patents

고체 입자가 분산되어있는 여과염료층을 갖는 광선하에서 조작가능한 사진재료 Download PDF

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KR910001447A
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브루스 앤더슨 리차드
엘렌 팩터 론다
애딘 안토니
리차드 디일 도날드
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존 디. 휴서
이스트만 코닥 컴퍼니
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    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

고체 입자가 분산되어있는 여과염료층을 갖는 광선하에서 조작가능한 사진재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 사진재료의 지지체위에 제1방사선 광원에 의해 방출된 방사선 스펙트럼 구역의 최소한 일부분에 대해 감광성을 갖고 제2방사선 광원에 의해 방출된 방사선 스펙트럼 구역의 일부분에 대해 감광성을 갖는 방사선 감광층이 놓여있고; 제1방사선 광원과 방사선 감광층 사이에 제1방사선 광원에의해 방출된 파장구역에서 흡수하고 방사선 감광층이 감광성을 갖는 최소한 하나의 여과염료로 이루어진 층이 제1방사선 광원에 노출됨으로인해 현상될 수 있는 잠상이 방사선 감광층내에서 형성되는 것을 막기에 충분한 양만큼 존재하고, 상기 여과염료가 다음 일반식(Ⅱ)의 염료를 제외한
    식중, R1및R3는 각각 독립적으로 알킬 그룹 또는 아릴 그룹을 나타내고, R2및 R4는 각각 독립적으로 알킬그룹, 아릴그룹 또는 R이 알킬 또는 아릴인 COOR, m은 0-3, 이 분자는 유리산 형태로있는 최소한 두 개의 카복실 그룹을 함유하며 용해되지 않는 그룹을 더 함유한다.
    다음 일반식(Ⅰ)을 갖는 실제로 pH6이하에서는 불용성이고 pH8이상에서는 대부분 수용성인 고체 입자의 분산물인 것을 특징으로 하는
    (Ⅰ) [D-(A)y]-Xn
    식중, D는 y가 0이면 방향족 고리로 이루어지는 발색성 방사선 흡수 부분 A는 직접 또는 간접적으로 D에 붙는 방향족 고리 x는 D의 방향족 고리상에 또는 A위에 이온화될 수 있는 양성자를 가지는 치환체 y는 0-4, n은 1-7 제1방사선 광원하에 조작하고 제2방사선 광원에 이미지와이즈 노출시키기위한 사진 재료.
  2. 제1항에 있어서, 방사선-감광층이 350-900nm 사이의 방사선에 대해 감광선을 가지고, 제1광원이 350-700nm 사이의 방사선을 약간 방출하며 제2광원이 700mn-900nm사이의 방사선을 약간 방출하는 사진 재료.
  3. 제2항에 있어서, 여과염료가 다음 일반식(Ⅲ)화합물의 고체 입자 분산물과
    (Ⅲ) D1-L1=A1
    다음 일반식(Ⅳ) 화합물의 고체입자 분산물로 구성된 사진재료
    (Ⅳ) D2-L2=L3-L4=A2
    식중, D1- 및 D2-는 각각 독립적으로
    및,으로 구성된 그룹으로부터 선택된 그룹, A1,A2및A3는 각각 독립적으로 케토메틸렌 잔사 R1및R2는 각각 독립적으로 치환 또는 치환되지않은 알킬, 또는 치환 또는 치환되지않은 아릴, 또는 N원자가 붙어있는 페닐 고리와 융합환을 만드는데 필요한 탄소원자를 나타낼 수도 있다. R3는 수소, 치환되었거나 또는 치환되지않은 알킬, 또는 치환되었거나 또는 치환되지않은 아릴, R4는 치환되었거나 또는 치환되지않은 알킬, R4는 치환되었거나 또는 치환되지않은 알킬 또는 치환되었거나 또는 치환되지않은 아릴, Z는 치환되었거나 또는 치환되지않은 5- 또는 6-원 복소환식 핵을 완전하게 만드는데 필요한 원자, L1,L2,L3,L4,L5,L6및 L7은 각각 독립적으로 치환되었거나 또는 치환되지않은 메틸 그룹, 일반식(Ⅲ)화합물의 최소한 하나의 A1,A2,A3,Z및R4가 -X1으로 치환되고, 일반식(Ⅳ)화합물의 A1,A2,A3,Z및 R4중 최소한 하나가 -X2로 치환되는 p는 0 또는 1
  4. 제1항에 있어서, 방사선-감광층이 350-700nm사이의 방사선에 대해 감광성을 가지고, 제1광원이 560-700nm 사이의 방사선을 약간 방출하며 제2광원이 400nm-520nm 사이의 방사선을 약간 방출하는 사진재료.
  5. 제4항에 있어서, 여과염료가 다음 일반식으로 표현하는 사진 재료
    식중, A4는 케토메틸렌 잔사, L8,L9,L10및L11은 각기 독립적으로 치환되었거나 치환되지않은 메틸그룹, R6-는 치환되었거나 치환되지않은 알킬, Z′는 치환되었거나 또는 치환되지않은 5- 또는 6-원 복소환식 핵을 완전하게 만드는데 필요한 원자, A4,Z′및R6중 최소한 하나는 -X4로 치환되고 -X4는 R7이 치환되었거나 치환되지않은 알킬 또는 치환되었거나 또는 치환되지않은 아릴인 -CO2H 또는 -NHSO2R7
  6. 제1항에 있어서, 방사선-감광층이 350-700nm 사이의 방사선에 대해 감광성을 가지고, 제1광원이 450-570nm사이의 방사선을 약간 방출하며 제2광원이 600nm-700nm사이의 방사선을 약간 방출하는 사진재료.
  7. 제6항에 있어서, 여과염료가 일반식(Ⅵ)의 화합물과 일반식(Ⅶ)화합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 사진 재료.
    (Ⅵ) A6-L12=L13-L14=A6
    식중, A5,A6및 A7은 각각 독립적으로 케토메틸렌 잔사, L12,L13,L14및L15는 각각 독립적으로 치환되었거나 또는 치환되지않은 메틴그룹, R6및 R9는 각각 독립적으로 치환되었거나 치환되지않은 -알킬 또는 -아릴, 또는 N원자가 붙는 페닐고리와 함께 융합원을 만드는데 필요한 탄소원자를 나타낼수도 있으며, R10은 수소, 치환되었거나 또는 치환되지않은 -알킬 또는 -아릴, A5와A6중 최소한 하나는 -X5로 치환되고 A7와A9중 최소한 하나는 -X7로 치환되며, -X5와 -X7은 각각 독립적으로 R11이 치환되었거나 치환되지않은 알킬 또는 치환되었거나 또는 치환되지않은 아릴인 -CO2H 또는 -NHSO2R11q는 1 또는 3
  8. 제1항에 있어서, 방사선-감광층이 350-600nm사이의 방사선에 대해 감광성을 가지고, 제1광원이 400-510nm 사이의 방사선을 약간 방출하며 제2광원이 510nm-600nm 사이의 방사선을 약간 방출하는 사진재료.
  9. 제8항에 있어서, 여과염료가 일반식(Ⅷ)의 화합물과 일반식(Ⅸ)화합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 사진 재료.
    식중, A8,A9는 각각 독립적으로 케토메틸렌 잔사, R12는 치환되었거나 또는 치환되지않은 알킬, R13및R14는 각각 독립적으로 치환되었거나 치환되지않은 -알킬 또는 -아릴, 또는 N원자가 붙는 페닐 고리와 함께 융합환을 만드는데 필요한 탄소원자를 나타낼수도 있으며, R15는 수소, 치환되었거나 또는 치환되지않은 -알킬 또는 -아릴, L16,L16및 L18은 각각 독립적으로 치환되었거나 또는 치환되지않은 메틸그룹, Z″는 치환되었거나 또는 치환되지않은 5원- 또는 6원- 복소환식 핵을 완전하게 만드는데 필요한 원자, A8,Z″와R12중 최소한 하나는 -X8로 치환되고 A9와 R14중 최소한 하나는 -X9로 치환되며,-X8와 -X9은 각각 독립적으로 R16이 치환되었거나 치환되지않은 알킬 또는 치환되었거나 또는 치환되지않은 아릴인 -CO2H 또는 -NHSO2R16.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890009217A 1988-06-30 1989-06-30 고체 입자가 분산되어있는 여과염료층을 갖는 광선하에서 조작가능한 사진재료 KR910001447A (ko)

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