KR900010823A - 고유전율 세라믹 조성물 및 세라믹 커패시터 소자 - Google Patents

고유전율 세라믹 조성물 및 세라믹 커패시터 소자 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

고유전율 세라믹 조성물 및 세라믹 커패시터 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 따른 제 1 구체적 실시예에서 유전 물질 주요성분의 예를 설명하는 3상 다이어그램, 제 2도는 본 발명에 따른 제 1 구체적 실시예에서 유전물질 주요성분의 다른 예를 설명하는 3상 다이어그램, 제3도는 본 발명에 따른 제 1 구체적 실시예에서 유전물질 주요성분의 또 다른 예를 설명하는 3상 다이어그램, 제4도는 본 발명에 따른 제2 구체적 실시예에서 유전물질 주요성분의 한 예를 설명하는 3상 다이아그램.

Claims (26)

  1. 주 성분으로 납을 베이스로 하는 페로브스키트화합물과; 상기 페로브스키트화합물에 첨가된 유리질성분을 함유하고 있으며, 상기에서, 유리질 성분은 약 10-80wt%의 B2O3, 약 10-60wt%의 SiO2, 약 2-20wt%의 Al2O3, 약 2-20wt%의 BaO 및 약 2-20wt%의 MgO의 구성으로 되어 있으며, 상기구성의 전체량이 100wt%가 되는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리질 성분은 50wt% 이하의 Pbo를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 페로브스키트화합물에 첨가되는 상기 유리질성분의 양은 약 0.005-1.0wt%인 것을 특징으로하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 페로브스키트화합물은 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 페로브스키트화합물은 최소한 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3와 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3중의 하나를 최소 50mol%까지 함유하며, 상기 Pb는 최소한 Ba, Sr 및 Ca중 한원소에 의해 부분적으로 치환되는 것을 특징으로하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, Pb그룹의 페로브스키트 화합물은 Pb의 일부가 최소한 Ba와 Sr 중 하나에 의해 약 1-35mol%로 치환되어 있으며, 이 Pb 부분은 상기 페로브스키트 화합물이 일반식 Xpb(Zn1/3Nb2/3)O3-Ypb(Mg1/3Nb2/3)O3-ZpbTiO3(3성분은 3상 다이어그램의 정점 X, Y, Z로 나타남)로 표현될 때, Pb부분은 a-b 선상을 제외한 선위의 점들을 포함하고 a-b선, b-c선, c-d선 및 d-a선에 의해 둘러싸인 영역에 한정되며, 각 a, b, c 및 d점은 a(x=0.50, y=0.00, z=0.50) b(x=1.00, y=0.00, z=0.00) c(x=0.2, y=0.8, z=0.00) 및 d(x=0.05, y=0.9, z=0.05)로 결정되는 방식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유리질 성분은 최대 약 20wt%의 Sro를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유리질 성분은 최대 약 20wt%의 Cao를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 주 성분으로서 납을 베이스로하는 페로브스키트화합물과; 상기 페로브스키트화합물에 첨가된 유리질성분을 함유하고 있으며, 상기에서, 유리질 성분은 약 10-80wt%의 B2O3, 약 10-60wt%의 SiO2, 약 2-20wt%의 Al2O3, 약 2-20wt%의 BaO 및 약 2-20wt%의 Mgo의 구성으로 되어 있으며, 상기 구성의 전체량이 100wt%가 되는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물을 지닌 커패시터 소자(element).
  10. 제9항에 있어서, 유리질 성분은 50wt% 이하의 Pbo를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  11. 제9항에 있어서, 페로브스키트화합물에 첨가되는 유리질 성분의 양은 약 0.005-1.0wt%인 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  12. 제9항에 있어서, 상기 페로브스키트 화합물은 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  13. 제9항에 있어서, 상기 유리질 성분은 최대 약 20wt%의 Sro를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  14. 제9항에 있어서, 상기 유리질 성분은 최대 약 20wt%의 Cao를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  15. 주 성분으로 티탄산바륨을 함유한 제 1구성 성분과, 주성분으로 납을 함유한 페로브스키트 화합물을 지니고 있는 제2구성 성분과; 실리콘과 붕소중 최소한 하나를 함유한 유리질 성분을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물.
  16. 제15항에 있어서, 상기 유리질 성분은 규산염 유리를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 제15항에 있어서, 상기 유리질 성분은 붕규산 유리를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  18. 제15항에 있어서, 상기 제 2의 구성 성분은 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3그룹의 페로브스키트 화합물을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  19. 유전체로서 고유전율의 세라믹 조성물을 갖는 커패시터 소자에 있어서, 상기 조성물은 주성분으로 티탄산 바륨을 함유한 제 1구성 성분과, 주 성분으로 납을 베이스로 한 페로브스키트 화합물을 함유한 제 2 구성 성분과, 실리콘과 붕소중 최소한 하나를 함유한 유리질 성분을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물을 갖는 커패시터 소자.
  20. 제19항에 있어서, 상기 유리질 성분은 규산염 유리를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  21. 제19항에 있어서, 상기 유리질 성분은 붕규산 유리를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  22. 제19항에 있어서, 상기 제 2구성 성분은 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3그룹의 페로브스키트 화합물을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  23. 주 성분으로 납을 베이스로 한 페로브스키트 화합물과; 최소한 Pbo, B2O3및 SiO2를 갖는 다수의 비정질상을 함유하고 있으며, 상기에서 비정질상은 삼중점에서 형성되는 것을 특징으로 하는 고유전율 세라믹 조성물을 갖는 커패시터 소자.
  24. 제23항에 있어서, 상기 페로브스키트 화합물은 약 10-80wt%의 B2O3,약 10-60wt%의 SiO2, 약 2-20wt%의 Al2O3, 약 2-20wt%의 BaO 및 약 2-20wt%의 Mgo를 함유한 유리질을 포함하고 있으며, 상기 비정질상은 최대 약 50wt%이 Pbo를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  25. 제23항에 있어서, 상기 페로브스키트 화합물은 최소한 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3와 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3중 하나를 최소 50mol%까지 함유하고 있으며, 상기 Pb는 최소한 Ba, Sr 및 Ca중 한 원소에 의해 부분적으로 치환되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
  26. 제1항에 있어서, Pb그룹의 상기 페로브스키트 화합물은 Pb의 일부가 최소한 Ba와 Sr 중의 하나에 의해 약 1-35mol%로 치환되어 있으며, 이 Pb 부분은 상기 페로브스키트 화합물이 일반식 Xpb(Zn1/3Nb2/3)O3-Ypb(Mg1/3Nb2/3)O3-ZpbTiO3(3성분은 3상 다이어그램의 정점 X, Y, Z로 나타남)로 표현될 때, Pb부분은 a-b 선상을 제외한 선위의 점들을 포함하고, a-b선, b-c선, c-d선 및 d-a선으로 둘러싸인 영역에 한정되며, 각 a, b, c 및 d점은 a(x=0.50, y=0.00, z=0.50) b(x=1.00, y=0.00, z=0.00) c(x=0.20, y=0.80, z=0.00) 및 d(x=0.05, y=0.90, z=0.05)로 결정되는 방식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 커패시터 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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