KR910008741A - 절연체 조성물 - Google Patents

절연체 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR910008741A
KR910008741A KR1019900016672A KR900016672A KR910008741A KR 910008741 A KR910008741 A KR 910008741A KR 1019900016672 A KR1019900016672 A KR 1019900016672A KR 900016672 A KR900016672 A KR 900016672A KR 910008741 A KR910008741 A KR 910008741A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
layer
tape
casting
substrate
Prior art date
Application number
KR1019900016672A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930002942B1 (ko
Inventor
융-하후
Original Assignee
이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR910008741A publication Critical patent/KR910008741A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930002942B1 publication Critical patent/KR930002942B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/085—Particles bound with glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/087—Chemical composition of glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

절연체 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 소성부품의 절연쉬트 고체 함량에 따른 전자 현미경 주사도이다.

Claims (26)

  1. 미세하게 분리된 고체분산물을 구비하는 저 절연상수(K) 절연층 제조용의 조성물에 있어서, 그 고체 조성물이(a) 전체 고체에 대하여 중량비 20-50% 무연 비정질 붕소 규산염 유리로서 (1) B2O3와 SiO2의 중량비가 0.22-0.55이고, (2) 전체 유리에 대하여 중량비 0.5-1.5%의 Al2O3와 중량비 1.5-4.0%의 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 산화물의 조성물 또는 그 조성물 전체 고체에 대하여 0.3-1.0%의 Li2O를 함유하며, (b) 전체 고체에 대하여 중량비 30-80%의 코오디어라이트 유리를 포함하는 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 고체 조성물이 (c) 알루미나, 수성, 인산염 알루미늄, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 발연 실리카 및 그 조성물로 구성된 그룹에서 선택된, 전체 고체에 대하여 중량비 0.1-40%의 세라믹 필러를 포함하는 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서, 붕소 규산염 유리가(a) 전체 유리에 대하여 중량비 0.9-3.0%의 혼합된 Na2O 및 K2O를함유하는 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서, 붕소 규산염 유리가 (a) 중량 기준으로 72% SiO2, 25% B2O3, 1% K2O, .5% Li2O 및 0.5 5Na2O를 함유하는 조성물.
  5. 제 2 항에 있어서, 구성물이 석영을 함유하는 조성물.
  6. 테이프 캐스팅 조성물에 있어서, 휘발성 유기 용매의 폴리머 접합제/가소제 매트릭스 용액에 분산된 제 1 항의 조성을 함유하는 조성물.
  7. 테이프 캐스팅 조성물에 있어서, 휘발성 유기용매의 폴리머 접합제/가소제 매트릭스 용액에 분산된 제 2 항의 조성을 함유하는 조성물.
  8. 테이프 캐스팅 조성물에 있어서, 휘발성 유기용매의 폴리머 접합제/가소제 매트릭스 용액에 분산된 제 4 항의 조성을 함유하는 조성물.
  9. 제 6 항에 있어서, 접합제 성분이 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트 및 그 조성물의 폴리머로 구성된 그룹에서 선택된 테이프 캐스팅 조성물.
  10. 제 8 항에 있어서, 접합제 성분이 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트 및 그 조성물의 폴리머로 구성된 그룹에서 선택된 테이프 캐스팅 조성물.
  11. 가요성 기판에 제 6 항 조성물의 박판층을 캐스팅하고, 휘발성 용매를 제거하기 위해 캐스트층을 가열하며 기판에서 무용매 층을 제거함으로써 제조되는 테이프.
  12. 가요성 기판에 제 7 항 조성물의 박판층을 캐스팅하고, 휘발성 용매를 제거하기 위해 캐스트층을 가열하며 기판에서 무용매 층을 제거함으로써 제조되는 테이프.
  13. 가요성 기판에 제 9 항 조성물의 박판층을 캐스팅하고, 휘발성 용매를 제거하기 위해 캐스트층을 가열하며 기판에서 무용매 층을 제거함으로써 제조되는 테이프.
  14. 가요성 기판에 제10항 조성물의 박판층을 캐스팅하고, 휘발성 용매를 제거하기 위해 캐스트층을 가열하며 기판에서 무용매 층을 제거함으로써 제조되는 테이프.
  15. 제11항 테이프의 소성층을 구비하는 절연기판.
  16. 제12항 테이프의 소성층을 구비하는 절연기판.
  17. 제13항 테이프의 소성층을 구비하는 절연기판.
  18. 제14항 테이프의 소성층을 구비하는 절연기판.
  19. 제15항의 절연기판과 전기적 기능층을 구비하는 어셈블리지.
  20. 제16항의 절연기판과 전기적 기능층을 구비하는 어셈블리지.
  21. 제17항의 절연기판과 전기적 기능층을 구비하는 어셈블리지.
  22. 제18항의 절연기판과 전기적 기능층을 구비하는 어셈블리지.
  23. 제11항 테이프의 소성층에 의해 분리된 다수의 전기적 기능층을 구비하는 다층 어셈블리.
  24. 제12항 테이프의 소성층에 의해 분리된 다수의 전기적 기능층을 구비하는 다층 어셈블리.
  25. 제13항 테이프의 소성층에 의해 분리된 다수의 전기적 기능층을 구비하는 다층 어셈블리.
  26. 제14항 테이프의 소성층에 의해 분리된 다수의 전기적 기능층을 구비하는 다층 어셈블리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016672A 1989-10-19 1990-10-19 절연체 조성물 KR930002942B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/423,367 US5070046A (en) 1989-10-19 1989-10-19 Dielectric compositions
US423,367 1989-10-19
US423367 1989-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910008741A true KR910008741A (ko) 1991-05-31
KR930002942B1 KR930002942B1 (ko) 1993-04-15

Family

ID=23678639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900016672A KR930002942B1 (ko) 1989-10-19 1990-10-19 절연체 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5070046A (ko)
EP (1) EP0423752A3 (ko)
JP (1) JPH03257041A (ko)
KR (1) KR930002942B1 (ko)
CA (1) CA2027900A1 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2265617B (en) * 1988-12-27 1994-03-16 Corning Inc Glass-doped ceramic matrix composites
US5071793A (en) * 1990-08-23 1991-12-10 Aluminum Company Of America Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package
US5206190A (en) * 1990-09-04 1993-04-27 Aluminum Company Of America Dielectric composition containing cordierite and glass
US5242867A (en) * 1992-03-04 1993-09-07 Industrial Technology Research Institute Composition for making multilayer ceramic substrates and dielectric materials with low firing temperature
US5674634A (en) * 1994-12-05 1997-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib
US6017485A (en) * 1996-03-28 2000-01-25 Carborundum Corporation Process for making a low electrical resistivity, high purity aluminum nitride electrostatic chuck
JP3087656B2 (ja) * 1996-07-24 2000-09-11 株式会社村田製作所 低温焼結無機組成物
US5985724A (en) * 1996-10-01 1999-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming asymmetrical p-channel transistor having nitrided oxide patterned to selectively form a sidewall spacer
TW396350B (en) * 1996-12-04 2000-07-01 Nat Science Council Dielectric composition, slurry for use in the tape casting process, porcess for producing a ceramic product and process for preparing multilayer ceramic package
JP3419291B2 (ja) * 1997-03-04 2003-06-23 株式会社村田製作所 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板
US6483157B1 (en) 1997-06-20 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Asymmetrical transistor having a barrier-incorporated gate oxide and a graded implant only in the drain-side junction area
US5858893A (en) * 1997-08-12 1999-01-12 Motorola Inc. Ceramic composition with low dielectric constant and method of making same
US6265749B1 (en) 1997-10-14 2001-07-24 Advanced Micro Devices, Inc. Metal silicide transistor gate spaced from a semiconductor substrate by a ceramic gate dielectric having a high dielectric constant
WO1999052135A1 (en) 1998-04-02 1999-10-14 Applied Materials, Inc. Method for etching low k dielectrics
US6124620A (en) * 1998-05-14 2000-09-26 Advanced Micro Devices, Inc. Incorporating barrier atoms into a gate dielectric using gas cluster ion beam implantation
US5990493A (en) * 1998-05-14 1999-11-23 Advanced Micro Devices, Inc. Diamond etch stop rendered conductive by a gas cluster ion beam implant of titanium
US6072222A (en) * 1998-05-18 2000-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon implantation into selective areas of a refractory metal to reduce consumption of silicon-based junctions during salicide formation
US5907780A (en) * 1998-06-17 1999-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Incorporating silicon atoms into a metal oxide gate dielectric using gas cluster ion beam implantation
US6274442B1 (en) 1998-07-15 2001-08-14 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor having a nitrogen incorporated epitaxially grown gate dielectric and method of making same
US6194768B1 (en) 1998-10-23 2001-02-27 Advanced Micro Devices, Inc. High dielectric constant gate dielectric with an overlying tantalum gate conductor formed on a sidewall surface of a sacrificial structure
JP3818030B2 (ja) * 2000-07-21 2006-09-06 株式会社村田製作所 多層基板の製造方法
KR100444359B1 (ko) * 2001-12-21 2004-08-16 한국과학기술연구원 Ｌｔｃｃ용 저유전율 세라믹 조성물
KR100479688B1 (ko) * 2002-06-07 2005-03-30 한국과학기술연구원 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 저온소성 유전체 세라믹의 제조방법
JP2006216300A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Toray Ind Inc 絶縁ペーストおよびそれを用いた電子回路部品の製造方法
US20060223690A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Tsutomu Mutoh Photosensitive thick-film dielectric paste composition and method for making an insulating layer using same
DE102005044522B4 (de) * 2005-09-16 2010-02-11 Schott Ag Verfahren zum Aufbringen einer porösen Glasschicht, sowie Verbundmaterial und dessen Verwendung
US20080083450A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-10 United Technologies Corporation Thermal management of concentrator photovoltaic cells
CN101870577B (zh) * 2010-06-25 2013-01-02 沈阳大学 一种富镁相堇青石水基流延浆料的制备方法
JP5786878B2 (ja) * 2013-02-06 2015-09-30 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品および複合電子部品
WO2021065562A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ガラスおよびその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4413061A (en) * 1978-02-06 1983-11-01 International Business Machines Corporation Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
JPS59176932U (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 株式会社　石田衡器製作所 自動計量装置におけるホッパ
JPS60254638A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 Fujitsu Ltd 半導体装置実装用ガラス−セラミツク基板
JPS61155243A (ja) * 1984-12-28 1986-07-14 富士通株式会社 グリ−ンシ−ト組成物
US4655864A (en) * 1985-03-25 1987-04-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric compositions and method of forming a multilayer interconnection using same
JPS62113758A (ja) * 1985-10-25 1987-05-25 株式会社住友金属セラミックス 低温焼成セラミツクス
US4731347A (en) * 1986-03-21 1988-03-15 Solar Turbines Incorporated Glass frit composition
JPS62252341A (ja) * 1986-04-24 1987-11-04 Matsushita Electric Works Ltd ガラス焼結体
JP2507418B2 (ja) * 1986-05-02 1996-06-12 旭硝子株式会社 回路基板用組成物
JPS62278145A (ja) * 1986-05-26 1987-12-03 Matsushita Electric Works Ltd ガラスセラミツク焼結体
US4861646A (en) * 1987-08-13 1989-08-29 Ceramics Process Systems Corp. Co-fired metal-ceramic package
US4788046A (en) * 1987-08-13 1988-11-29 Ceramics Process Systems Corporation Method for producing materials for co-sintering
US4849380A (en) * 1988-01-28 1989-07-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition

Also Published As

Publication number Publication date
EP0423752A3 (en) 1992-05-06
KR930002942B1 (ko) 1993-04-15
JPH03257041A (ja) 1991-11-15
EP0423752A2 (en) 1991-04-24
US5070046A (en) 1991-12-03
CA2027900A1 (en) 1991-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910008741A (ko) 절연체 조성물
KR920004304A (ko) 다층세라믹 패케이지용 저유전성 무기조성물
KR910008742A (ko) 저유전 상수 및 저유전 손실을 갖는 결정성 조성물
JP2906282B2 (ja) ガラスセラミック・グリーンシートと多層基板、及び、その製造方法
CA1271026A (en) Dielectric compositions
EP0326093B1 (en) Dielectric composition
KR900005315B1 (ko) 다중충 세라믹 동회로판(Multilayer Ceramic Copper Circuit Board) 및 그 제조방법
EP0934910A3 (en) Borate glass based ceramic tape
JPS5927119B2 (ja) クロスオ−バ誘電性インク
KR910006165A (ko) 서미스터 조성물
KR900010823A (ko) 고유전율 세라믹 조성물 및 세라믹 커패시터 소자
KR960029271A (ko) 세라믹 컬러 조성물과 유리 시트 제조 방법
KR880005669A (ko) 다층 구리회로용 유전체 잉크
KR910011669A (ko) 소량의 산화납 및 산화철을 함유한 실투 유리 유전체 조성물
KR890004426A (ko) 불투명 유리프릿
US4985176A (en) Resistive paste
KR900005492A (ko) 열팽창 조절이 되는 절연체 조성물
CN1430585A (zh) 玻璃组合物及含有该组合物的玻璃形成材料
KR960039289A (ko) 절연페이스트 및 이를 이용한 후막 인쇄 다층 회로
KR870000394A (ko) 후막 저항기 제조용 조성물과 그 조성물을 사용하는 저항기 요소의 제조방법 및 그로인해 제조된 저항기.
KR960039031A (ko) 유전체 페이스트 및 이를 이용한 후막 커페시터
JP3021586B2 (ja) 低誘電率セラミック基板とグリーンシートの製造方法
JP2712031B2 (ja) 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品
KR920000670A (ko) 세라믹재 판형성재의 표면디자인 방법
JPH01234356A (ja) ムライト磁器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee