KR880005669A - 다층 구리회로용 유전체 잉크 - Google Patents
다층 구리회로용 유전체 잉크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880005669A KR880005669A KR870011023A KR870011023A KR880005669A KR 880005669 A KR880005669 A KR 880005669A KR 870011023 A KR870011023 A KR 870011023A KR 870011023 A KR870011023 A KR 870011023A KR 880005669 A KR880005669 A KR 880005669A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide
- weight
- barium
- filler
- glass frit
- Prior art date
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 34
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 34
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 34
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 32
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 21
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 17
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 16
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 10
- PAZHXNAHMKBOFI-UHFFFAOYSA-N dimagnesium barium(2+) trioxido(trioxidosilyloxy)silane Chemical compound [Si]([O-])([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])[O-].[Mg+2].[Mg+2].[Ba+2] PAZHXNAHMKBOFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 8
- -1 magnesium aluminate Chemical class 0.000 claims 8
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000008012 organic excipient Substances 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 4
- ULZAROXQEVCUSG-UHFFFAOYSA-N dimagnesium borate Chemical compound B([O-])([O-])[O-].[Mg+2].[Mg+2] ULZAROXQEVCUSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/087—Chemical composition of glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/085—Particles bound with glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (45)
- 다층 집적회로 제조용 유전체 잉크에 있어서, a) 중량에 대하여 약 15 내지 약 25%의 산화 아연, 약 10 내지 약 25%의 산화 마그네슘, 산화 바륨과 산화 스톤튬으로 구성된 그룹중에서 선택된 약 3 내지 약 12%의 산화물, 약 5 내지 약 20%의 산화 알루미늄, 약 35 내지 약 50%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 3%의 오산화 인 및 0 내지 약 5%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 약 50내지 약 75중량%의 비유리화된 유리 프린트, b) 약 30중량%까지의 세라믹 충진재 및 c) 약 15 내지 약 30중량%의 유기 부형제로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전제 잉크.
- 제1항에 있어서, 상기 비유리 프리트에 함유된 산화 바륨은 중량에 대하여 0 내지 약 0.5%의 오산화 인과 0 내지 약 1%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제1항에 있어서, 상기 유리 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 23.5%의 산화 아연, 약 17 내지 약 23.5%의 산화마그네슘, 약 5 내지 약 10%의 산화바륨, 약 8 내지 약 11%의 산화 알루미늄 및 약 39 내지 약 43%의 이산화 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 23.5%의 산화 아연, 약 17 내지 약 23.5%의 산화 마그네슘, 약 3 내지 약 10%의 산화 스톤튬, 약 7 내지 약 11%의 산화 알루미늄, 약 38 내지 약 43%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 2%의 오산화 인 및 0 내지 약 2%의 지르코늄 실리케이트로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제1항에 있어서, 상기 잉크는 약 5 내지 약 15중량%의 충진재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제5항에 있어서, 상기 충진재는 알루미나, 바륨 디마그네슘 디실리케이트, 디마그네슘 보레이트, 지르코늄 실리케이트, 디마그네시아 실리케이트, 디마그네시아 디알루미나 페타실리케이트, 마그네슘 알루미네이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제6항에 있어서, 상기 충진재 물질은 알루미나와 바륨 디마그네슘 디실리케이트의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 부형제는 적당한 용매속의 유기 결합재 용액으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제8항에 있어서, 상기 유기 결합재는 폴리(이소부틸메타아크릴레이트)와 에틸 셀룰로우스로 구성되는 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 중량에 대하여 약 15 내지 약 25%의 산화 아연, 약 10 내지 약 25%의 산화 마그네슘, 산화 바륨과 산화 스톤튬으로 구성되는 그룹중에서 선택되는 약 3 내지 약 12%의 산화물, 약 5 내지 약 20%의 산화알루미늄, 약 35 내지 약 50%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 3%의 오산화 인 및 0 내지 약 5%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 비유리화 유리 프리트.
- 제10항에 있어서, 프리트에 함유된 산화 바륨은 중량에 대하여 0 내지 0.5% 의 오산화 인과 0 내지 1%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 비유리화 유리 프리트.
- 제10항에 있어서, 상기 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 23.5%의 산화아연, 약 17 내지 약 23,5%의 산화 마그네슘, 약 5 내지 약 10%의 산화 바륨, 약 8 내지 약 11%의 산화 알루미늄 및 약 39 내지 약 43%의 이산화 실리콘으로 구성된 것을 특징으로 하는 유리 프리트.
- 제10항에 있어서, 상기 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 23.5%의 산화 아연, 약 17 내지 약 23.5%의 산화 마그네슘, 약 3 내지 약 10%의 산화 스톤튬, 약 7 내지 약 11%의 산화 알루미늄, 약 38 내지 약 43%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 2%의 오산화 인 및 0 내지 약 2%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 비유리화 유리 프리트.
- 적어도 2개의 도체 패턴화층이 놓인 적당한 기판을 구비하고, 상기 패턴화층은 바이어스를 갖는 유전체층에 의해 분리되고, 상기 바이어스는 상기 도체층과 접속하기 위해 도체로 채워지는 다층 집적 회로 구조체에 있어서, 상기 유전체층은 a) 중량에 대하여 약 15 내지 25%의 산화 아연, 약 10 내지 약 25%의 산화 마그네슘, 산화 바륨과 산화 스톤튬으로 구성되는 그룹중에서 선택된 약 3 내지 약 12%의 산화물, 약 5 내지 20%의 산화 알루미늄, 약 35 내지 50%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 3%의 오산화 인 및 0 내지 5%의 지르코늄 실리케이트로 구성된 약 65 내지 100중량%의 비유리화 프리트와, b) 약 35중량%까지의 세라믹 충진재로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 집적회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 프리트를 함유한 산화 바륨은 중량에 대하여 0 내지 0.5%의 오산화 인과 0 내지 약 1%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 비유리화 유리 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 23.5%의 산화 아연, 약 17 내지 약 23.5%의 산화 마그네슘, 약 10%의 산화 바륨, 약 8 내지 약 11%의 산화 알루미늄 및 약 39 내지 약 43%의 이산화 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 상기 비유리화 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 25.5%의 산화 아연 약 17 내지 약 23.5% 산화 마그네슘, 약 3 내지 약 10%의 산화 스톤튬, 약 7 내지 약 11%의 산화 알루미늄, 약 38 내지 약 43%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 2%의 오산화 인 및 0 내지 약 2%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 유전체층은 약 5 내지 약 26중량%의 충진재를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제18항에 있어서, 상기 충전재는 알루미나, 바륨 디마그네슘 디실리케이트, 디마그네슘 보레이트 지르코늄 실리케이트, 디마그네시아 실리케이트, 디마그네시아 디알루미나 펜타실리케이트, 마그네슘 알루미네이트 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제19항에 있어서, 상기 충진재 물질은 알루미나와 바륨 디마그네슘 디실리 케이트와의 혼합물인 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 상기 기판은 알루미나 기판인 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 상기 기판은 상기 유리 프리트와 상기 충진재로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제14항에 있어서, 상기 도체는 구리인 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 집적회로 제조용 기판에 있어서, a) 중량에 대하여 약 15 내지 25%의 산화 아연, 약 10 내지 약 25%의 산화 마그네슘, 산화 바륨과 산화 알루미늄으로 구성된 그룹중에서 선택된 약 3 내지 약 12%의 산화물, 약 5 내지 약 20%의 산화 알루미늄 약 35 내지 약 50%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 3%의 오산화인 및 0 내지 약 5%의 지르코늄 실리케이트로 구성된 약 65 내지 약 100중량%의 비유리화 유리 프리트와, b) 약 35중량%까지의 세라믹 충진재로 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 기판.
- 제24항에 있어서, 유리 프리트에 함유된 상기 산화 바륨은 중량에 대하여 0 내지 약 0.5%의 오산화 인과 0 내지 약 1%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제25항에 있어서, 상기 유리 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 23.5%의 산화 아연, 약 17 내지 약 23.5%의 산화 마그네슘, 약 5 내지 약 10%의 산화 바륨, 약 8 내지 약 11%의 산화 알루미늄 및 약 39 내지 약 43%의 이산화 실리콘으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판.
- 제24항에 있어서, 상기 비유리화 유리 프리트는 중량에 대하여 약 17 내지 약 23.5%의 산화 아연, 약 17 내지 약 23.5%의 산화 마그네슘, 약 38 내지 약 43%의 이산화 실리콘, 0 내지 약 2%의 오산화 인 및 0 내지 2%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제24항에 있어서, 상기 충진재는 알루미나, 바륨 디마그네슘 디실리케이트, 디마그네슘 보레이트, 지르코늄 실리케이트, 디마그네시아 실리케이트, 디마그네시아 디알루미나 펜타실리케이트, 마그네슘 알루미네이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제28항에 있어서, 상기 충진재는 알루미나 및 바륨 디마그네슘 디실리케이트의 혼합물인 것을 특징으로 하는 기판.
- 다층 집적회로 제조용 유전체 잉크에 있어서, a) 중량에 대하여 약 15 내지 약 25%의 산화 아연 약 10 내지 약 25%의 산화 마그네슘, 약 3 내지 약 12%의 산화 바륨, 약 5 내지 약 20%의 산화 알루미늄, 약 35 내지 약 50%의 이산화 실리콘, 약 0.5 내지 약 3%의 오산화 인 및 약 1 내지 약 5%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 약 50 내지 약 75중량%의 유리 프리트, b) 30중량%의 세라믹 충진재 및 c) 약 15 내지 약 30중량%의 유기 부형제로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 집적회로 제조용 유전체 잉크.
- 제30항에 있어서, 상기 유리 프리트는 중량에 대하여 약 16 내지 약 22%의 산화 아연, 약 16 내지 약 22%의 산화 마그네슘, 약 5 내지 약 10%의 산화 바륨, 약 8 내지 약 11%의 산화 알루미늄, 약 39 내지 약 43%의 이산화 실리콘, 약 1 내지 약 2%의 오산화 인 및 약 2 내지 약 3%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제30항에 있어서, 상기 잉크는 약 5 내지 약 15중량 %의 충진재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제32항에 있어서, 상기 충진재는 알루미나, 바륨 디마그네슘 디실리케이트, 디마그네슘 보레이트, 지르코늄 실리케이트, 디마그네시아 실리캐이트, 디마그네시아 디알루미나 펜타실리케이트, 마그네슘 알루미네이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제33항에 있어서, 상기 충진재 물질은 알루미나와 바륨 디마그네슘 디실리케이트의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제30항에 있어서, 유기 부형제는 적당한 용매속의 유기 결합재 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 제35항에 있어서, 상기유기 결합재는 폴리(이소부틸메타아크릴 레이트)인 것을 특징으로 하는 유전체 잉크.
- 중량에 대하여 약 15 내지 약 25%의 산화 아연, 약 10 내지 약 25%의 산화 마그네슘, 약 3 내지 약 12%의 산화바륨, 약 5 내지 약 20%의 산화 알루미늄, 약 35 내지 약 50%의 이산화 실리콘, 약 0.5 내지 약 3%의 오산화 인 및 약 1 내지 약 5%의 지프코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 유리 프리트.
- 제37항에 있어서, 상기 프리트는 중량에 대하여 약 16 내지 약 22%의 산화 아연, 약 16 내지 약 22%의 산화 마그네슘, 약 5 내지 약 10%의 산화 바륨, 약 8 내지 약 11%의 산화 알루미늄, 약 39 내지 약 43%의 이산화 실리콘, 약 1 내지 약 2%의 오산화 인 및 약 2 내지 약 3%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 유리 프리트.
- 적어도 2개의 도체 패턴화층이 놓인 적당한 기판을 구비하고, 상기 패턴화층은 바이어스를 갖는 유전체층에 의해 분리되고 상기 바이어스 상기 도체층과 접속하기 위해 도체로 채워지는 다층 집적회로 구조체에 있어서, 상기 유전체층은 a) 중량에 대하여 약 15 내지 약 25%의 산화 아연, 약 10 내지 약 5 내지 약 20%의 산화 알루미늄, 약 35 내지 약 50%의 이산화 실리콘, 약 0.5 내지 약 3%의 오산화 인 및 약 1내지 약 5%의 지르코늄 실리케이트로 구성되는 약 65 내지 100중량%의 유리 프리트와, b) 약 35중량%까지의 세라믹 충진재를 구비하는 것을 특징으로 하는 다층 집적회로 구조체.
- 제39항에 있어서, 상기 유전체층은 약 5 내지 약 26%의 충진재를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제39항에 있어서, 상기 충진재는 알루미나, 바륨, 디마그네슘 디실리케이트, 디마그네슘 보레이트 지르코늄 실리케이트, 디마그네시아 실리케이트, 디마그네시아 디알루미나 펜타실리케이트, 마그네슘 알루미네이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제41항에 있어서, 상기 충전재 물질은 알루미나와 바륨 디마그네슘 디실리케이트의 혼합물인 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제39항에 있어서, 상기 기판은 알루미나 기판인 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제39항에 있어서, 상기 기판은 상기 유리 프리트와 상기 충진재로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로 구조체.
- 제39항에 있어서, 상기 도체는 구리인 것을 특징으로 하는 회로 구조체.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US91430286A | 1986-10-02 | 1986-10-02 | |
US07/087,584 US4808673A (en) | 1986-10-02 | 1987-08-20 | Dielectric inks for multilayer copper circuits |
US914302 | 1992-07-17 | ||
US87584 | 2002-02-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880005669A true KR880005669A (ko) | 1988-06-29 |
Family
ID=26777147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR870011023A KR880005669A (ko) | 1986-10-02 | 1987-10-02 | 다층 구리회로용 유전체 잉크 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4808673A (ko) |
EP (1) | EP0262974A3 (ko) |
KR (1) | KR880005669A (ko) |
CA (1) | CA1284801C (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4997795A (en) * | 1986-10-02 | 1991-03-05 | General Electric Company | Dielectric compositions of devitrified glass containing small amounts of lead oxide and iron oxide |
DE3806057A1 (de) * | 1987-03-02 | 1988-09-15 | Rca Corp | Dielektrische farbe fuer eine integrierte mehrschichtschaltung |
US5196381A (en) * | 1990-01-16 | 1993-03-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metaphosphate glass composition |
US5124282A (en) * | 1990-11-21 | 1992-06-23 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Glasses and overglaze inks made therefrom |
CA2059873A1 (en) * | 1991-02-08 | 1992-08-09 | Michael J. Haun | Partially crystallizable glass compositions |
US5210057A (en) * | 1991-02-08 | 1993-05-11 | Haun Michael J | Partially crystallizable glass compositions |
CA2059874A1 (en) * | 1991-02-08 | 1992-08-09 | Michael J. Haun | Partially crystallizable glass compositions |
US5216207A (en) * | 1991-02-27 | 1993-06-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Low temperature co-fired multilayer ceramic circuit boards with silver conductors |
JPH05270886A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-10-19 | Wr Grace & Co Connecticut | 清浄燃焼性セラミツク生地テープ鋳込み系 |
US5397830A (en) * | 1994-01-24 | 1995-03-14 | Ferro Corporation | Dielectric materials |
US5714246A (en) * | 1994-05-13 | 1998-02-03 | Ferro Corporation | Conductive silver low temperature cofired metallic green tape |
US5937512A (en) * | 1996-01-11 | 1999-08-17 | Micron Communications, Inc. | Method of forming a circuit board |
US6184163B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | Dielectric composition for plasma display panel |
US7030048B2 (en) | 2003-08-05 | 2006-04-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film dielectric compositions for use on aluminum nitride substrates |
US10113073B2 (en) * | 2015-04-07 | 2018-10-30 | GM Global Technology Operations LLC | Dielectric thick film ink |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3022179A (en) * | 1959-09-23 | 1962-02-20 | Gen Electric | Ceramic material and method of making the same |
DE1596940A1 (de) * | 1965-09-09 | 1971-04-01 | Owens Illinois Inc | Verfahren zur Herstellung von Glaskoerpern mit mindestens einer semikristallinen Oberflaechenschicht |
US3501322A (en) * | 1967-08-16 | 1970-03-17 | Corning Glass Works | Glazed ceramic substrate for electronic microcircuits |
JPS5324966B2 (ko) * | 1972-12-25 | 1978-07-24 | ||
US4061584A (en) * | 1974-12-13 | 1977-12-06 | General Electric Company | High dielectric constant ink for thick film capacitors |
US4049872A (en) * | 1976-07-12 | 1977-09-20 | Rca Corporation | Glass frit composition for sealing window glass |
FR2451899A1 (fr) * | 1979-03-23 | 1980-10-17 | Labo Electronique Physique | Composition dielectrique, encre serigraphiable comportant une telle composition, et produits obtenus |
US4355115A (en) * | 1979-11-05 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Borosilicate glass frit with MgO and BaO |
US4355114A (en) * | 1979-11-05 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Partially devitrified porcelain containing BaO.2MgO.2SiO2 and 2MgO.B2 O3 crystalline phases obtained from alkali metal free divalent metal oxide borosilicate glass |
US4256796A (en) * | 1979-11-05 | 1981-03-17 | Rca Corporation | Partially devitrified porcelain composition and articles prepared with same |
US4369254A (en) * | 1980-10-17 | 1983-01-18 | Rca Corporation | Crossover dielectric inks |
US4377642A (en) * | 1980-10-17 | 1983-03-22 | Rca Corporation | Overglaze inks |
US4376725A (en) * | 1980-10-17 | 1983-03-15 | Rca Corporation | Conductor inks |
US4400214A (en) * | 1981-06-05 | 1983-08-23 | Matsushita Electric Industrial, Co., Ltd. | Conductive paste |
US4415624A (en) * | 1981-07-06 | 1983-11-15 | Rca Corporation | Air-fireable thick film inks |
US4385127A (en) * | 1981-11-23 | 1983-05-24 | Corning Glass Works | Glass-ceramic coatings for use on metal substrates |
JPS58125638A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | Toshiba Corp | 半導体被覆用ガラス組成物 |
JPS59174544A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
US4536535A (en) * | 1983-06-07 | 1985-08-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Castable ceramic compositions |
US4521329A (en) * | 1983-06-20 | 1985-06-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions |
US4540604A (en) * | 1983-08-25 | 1985-09-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
US4514321A (en) * | 1983-08-25 | 1985-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
JPS6183647A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-28 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス組成物 |
US4654095A (en) * | 1985-03-25 | 1987-03-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
US4623482A (en) * | 1985-10-25 | 1986-11-18 | Cts Corporation | Copper conductive paint for porcelainized metal substrates |
US4619836A (en) * | 1985-12-31 | 1986-10-28 | Rca Corporation | Method of fabricating thick film electrical components |
JP2517710B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1996-07-24 | 株式会社 オハラ | ガラスセラミツク製品の製造方法 |
-
1987
- 1987-08-20 US US07/087,584 patent/US4808673A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-01 EP EP87308726A patent/EP0262974A3/en not_active Ceased
- 1987-10-02 KR KR870011023A patent/KR880005669A/ko not_active Application Discontinuation
- 1987-10-02 CA CA000548439A patent/CA1284801C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0262974A3 (en) | 1989-04-26 |
EP0262974A2 (en) | 1988-04-06 |
US4808673A (en) | 1989-02-28 |
CA1284801C (en) | 1991-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR880005669A (ko) | 다층 구리회로용 유전체 잉크 | |
KR890003906A (ko) | 후막 구리 도체 잉크 | |
US3673092A (en) | Multilayer dielectric compositions comprising lead-barium borosilicate glass and ceramic powder | |
US4879261A (en) | Low Dielectric constant compositions | |
KR880009403A (ko) | 내부 구리 도체를 갖고 있는 세라믹 다층 구조물 및 이의 제조 방법 | |
US4880567A (en) | Thick film copper conductor inks | |
KR900005315B1 (ko) | 다중충 세라믹 동회로판(Multilayer Ceramic Copper Circuit Board) 및 그 제조방법 | |
KR910008741A (ko) | 절연체 조성물 | |
US6835682B2 (en) | High thermal expansion glass and tape composition | |
EP0164841A1 (en) | Ceramic composition for dielectrics | |
KR920004304A (ko) | 다층세라믹 패케이지용 저유전성 무기조성물 | |
KR910009577A (ko) | 결정질 유리 및 이들의 후막 조성물 | |
KR850003882A (ko) | 유전체 세라믹 조성물 | |
KR910011669A (ko) | 소량의 산화납 및 산화철을 함유한 실투 유리 유전체 조성물 | |
US3778285A (en) | High k dielectric printing pastes | |
US4935844A (en) | Low dielectric constant compositions | |
KR870000847A (ko) | 후막도체조성물 | |
KR880005670A (ko) | 후막구리 도체 잉크 | |
KR960039289A (ko) | 절연페이스트 및 이를 이용한 후막 인쇄 다층 회로 | |
KR850000906A (ko) | 유전체 유리 및 후막회로 | |
KR950008583B1 (ko) | 부분 결정성 유리 조성물 | |
US5070047A (en) | Dielectric compositions | |
KR900005492A (ko) | 열팽창 조절이 되는 절연체 조성물 | |
JPS6210552B2 (ko) | ||
JPH05116985A (ja) | セラミツク基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |