JPH03257041A - 誘電体組成物 - Google Patents
誘電体組成物Info
- Publication number
- JPH03257041A JPH03257041A JP2279534A JP27953490A JPH03257041A JP H03257041 A JPH03257041 A JP H03257041A JP 2279534 A JP2279534 A JP 2279534A JP 27953490 A JP27953490 A JP 27953490A JP H03257041 A JPH03257041 A JP H03257041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- glass
- composition
- tape
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 abstract 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 15
- -1 poly(vinyl butyral) Polymers 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000007962 solid dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002519 antifouling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011876 fused mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHHHONWQHHHLTI-UHFFFAOYSA-N hexachloroethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C(Cl)(Cl)Cl VHHHONWQHHHLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/085—Particles bound with glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/087—Chemical composition of glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘電体組成物に関し、特に多層回路を形成する
のに有用なものである。
のに有用なものである。
発明の背景
多層厚膜回路は長年にわたり単位面積当りの回路の機能
性を増大するために使用されてきた。
性を増大するために使用されてきた。
その上、最近の回路技術の進歩は、この用途のための誘
電物に新しい要求を課した。従来、多層回路に使用する
誘導体物質の大部分は通常の厚膜誘電体組成物であった
。これは不活性の有機媒体に分散した誘電体固体と無機
結合剤の微細粒子で構成される。このような厚膜物質は
通常スクリーン印刷により適用されるが、他の手段によ
っても適用されることができる。この種の厚膜物質は極
めて重要であり、将来もそうであり続けることであろう
。
電物に新しい要求を課した。従来、多層回路に使用する
誘導体物質の大部分は通常の厚膜誘電体組成物であった
。これは不活性の有機媒体に分散した誘電体固体と無機
結合剤の微細粒子で構成される。このような厚膜物質は
通常スクリーン印刷により適用されるが、他の手段によ
っても適用されることができる。この種の厚膜物質は極
めて重要であり、将来もそうであり続けることであろう
。
厚膜物質を使用して多層回路を作製するには、各機能層
を印刷、乾燥および焼成してから次の層を適用すること
が必要である。従って多層すなわち20層の回路を含む
典型的状態において、60の別々の処理工程が各々の処
理層の品質を保証するために20回、検査することが必
要である。
を印刷、乾燥および焼成してから次の層を適用すること
が必要である。従って多層すなわち20層の回路を含む
典型的状態において、60の別々の処理工程が各々の処
理層の品質を保証するために20回、検査することが必
要である。
そのような複雑な工程は通常そのような複雑な工程に付
随している多数の段階と高い収量損失の二つの理由から
費用がかかる。
随している多数の段階と高い収量損失の二つの理由から
費用がかかる。
この問題の別の解決策はアルミナのようなセラミック誘
電体物質の薄板である誘電テープを使用することであっ
た。このテープの製造法は導電体物質の交互印刷層を介
在させた多数の未焼成性テープ(通常アルミナ)の積層
を含んでいる。しかしながら、極めて高温(例えば16
00℃のオーダー)がアルミナの焼結に必要である。
電体物質の薄板である誘電テープを使用することであっ
た。このテープの製造法は導電体物質の交互印刷層を介
在させた多数の未焼成性テープ(通常アルミナ)の積層
を含んでいる。しかしながら、極めて高温(例えば16
00℃のオーダー)がアルミナの焼結に必要である。
従ってタングステンとモリブデンのような極めて高融点
の導電体物質のみを使用することができる。不幸にして
、モリブデンとタングステンは導電性が悪いため、極め
て高速で、高度に複雑な回路用として満足のいかないも
のである。
の導電体物質のみを使用することができる。不幸にして
、モリブデンとタングステンは導電性が悪いため、極め
て高速で、高度に複雑な回路用として満足のいかないも
のである。
最近、低温共焼成(LTCF)技術が多層回路の製造法
として導入された。この技術によってアルミナをベース
とするテープ技術の利点と厚膜技術の材料上の利点が得
られる。LTC’Fシステムは1000℃以下の焼成温
度を有し高導電性金属、例えば銀、金、白金、ニッケル
及び銅のような金属の使用を可能にする。
として導入された。この技術によってアルミナをベース
とするテープ技術の利点と厚膜技術の材料上の利点が得
られる。LTC’Fシステムは1000℃以下の焼成温
度を有し高導電性金属、例えば銀、金、白金、ニッケル
及び銅のような金属の使用を可能にする。
然しなから、これらのテープはいくつかの欠点を有して
いる。大抵の誘電テープシステムは、パーツが一回以上
焼成されると導電体パターンが過度に移動するという問
題がある。一般に、多層構造は積層され、焼成され、つ
いで表面の金属化を行ない、そのパーツは再び焼成され
る。
いる。大抵の誘電テープシステムは、パーツが一回以上
焼成されると導電体パターンが過度に移動するという問
題がある。一般に、多層構造は積層され、焼成され、つ
いで表面の金属化を行ない、そのパーツは再び焼成され
る。
この第2焼成の段階の間、セラミック物質の流動性は、
導電体パターンのずれや歪みを与える可能性がある。こ
れは満たすべき寸法に対する硬さ許容度の達成を妨げる
。その上、多くのテープシステムは6〜8の誘電率(K
)を有する結果多層相互接続システムの伝播遅延が許容
できない位高くなる。いくつかのテープシステムは高度
の誘電体損をうける。そしていくつかのテープシステム
は、コンポーネントまたは他の基体のTCEにマツチし
ない熱膨脹係数(TCE)を有している。
導電体パターンのずれや歪みを与える可能性がある。こ
れは満たすべき寸法に対する硬さ許容度の達成を妨げる
。その上、多くのテープシステムは6〜8の誘電率(K
)を有する結果多層相互接続システムの伝播遅延が許容
できない位高くなる。いくつかのテープシステムは高度
の誘電体損をうける。そしていくつかのテープシステム
は、コンポーネントまたは他の基体のTCEにマツチし
ない熱膨脹係数(TCE)を有している。
前述したことから、(1)多重焼成段階の間でも寸法安
定性を維持し; (2) 5以下の低誘電率を有し;(
3)低誘電体損を有し;(4)そしてTCEがコンポー
ネントまたは他の基体にマツチしうるような可変TCE
を有する低温共焼成可能なテープ誘電体が本質的に必要
であることがわかる。
定性を維持し; (2) 5以下の低誘電率を有し;(
3)低誘電体損を有し;(4)そしてTCEがコンポー
ネントまたは他の基体にマツチしうるような可変TCE
を有する低温共焼成可能なテープ誘電体が本質的に必要
であることがわかる。
発明の要約
第1の態様として、本発明は
(a) 20〜50重量%(全固体基準)の鉛不含の非
晶質硼珪酸ガラス、ここで (1) B2O3対SiO2の重量比が0.22〜0.
55であり、(2) 0.5〜1.5重量%(全ガラス
基準)のAQ、03および1.5〜4.0重量%(全ガ
ラス基準)のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこ
れらの混合物の酸化物からなる混合物および0.3〜1
.0重量%(全固体基準)がLi2Oであるものおよび
(b) 30〜80重量%(全固体基準)のコージライ
ト(cordieri te)ガラスからなる微細に分
割された固体の分散物を含有する低に誘導体層を製造す
るための組成物に関する。
晶質硼珪酸ガラス、ここで (1) B2O3対SiO2の重量比が0.22〜0.
55であり、(2) 0.5〜1.5重量%(全ガラス
基準)のAQ、03および1.5〜4.0重量%(全ガ
ラス基準)のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこ
れらの混合物の酸化物からなる混合物および0.3〜1
.0重量%(全固体基準)がLi2Oであるものおよび
(b) 30〜80重量%(全固体基準)のコージライ
ト(cordieri te)ガラスからなる微細に分
割された固体の分散物を含有する低に誘導体層を製造す
るための組成物に関する。
第2の態様として、本発明は、揮発性の非水性溶媒にお
けるバインダー/可塑剤マトリックスの溶液中に分散し
た上述の誘電体組成物を含有するテープ成型用組成物に
関する。
けるバインダー/可塑剤マトリックスの溶液中に分散し
た上述の誘電体組成物を含有するテープ成型用組成物に
関する。
第3の態様として本発明は、可撓性基体、例えばスチー
ルベルトまたは重合体フィルムの上に上述の分散物の薄
層を形成させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去する
ことによって未焼成テープを形成する方法に関する。
ルベルトまたは重合体フィルムの上に上述の分散物の薄
層を形成させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去する
ことによって未焼成テープを形成する方法に関する。
発明の詳述
A、ガラス
本発明に使用しうるガラス組成物は、0.5〜1.5重
量%のアルミナ、1.5〜4.0重量%のアルカリ金属
酸化物および/またはアルカリ土類金属酸化物を含有す
る非晶質硼珪酸塩である。ガラスの硼珪酸塩成分は、ガ
ラスの94.5〜98.31i量%の範囲内になければ
ならない。若し94.5重量%未満の硼珪酸塩が使用さ
れるならば、ガラスはあまりに導電性が良くなり誘電正
接(DF)が高くなりすぎる。一方、若し、硼珪酸塩含
量が98.3重量%より高いとガラスの焼結温度は実際
の焼成温度を越えることになる。B20.対SiO□の
重量比は、0.22〜0.55、好ましくは0.25〜
0.40の範囲内にするべきである。ガラスが850〜
950℃で焼結する粘稠相となりうろことが好ましい。
量%のアルミナ、1.5〜4.0重量%のアルカリ金属
酸化物および/またはアルカリ土類金属酸化物を含有す
る非晶質硼珪酸塩である。ガラスの硼珪酸塩成分は、ガ
ラスの94.5〜98.31i量%の範囲内になければ
ならない。若し94.5重量%未満の硼珪酸塩が使用さ
れるならば、ガラスはあまりに導電性が良くなり誘電正
接(DF)が高くなりすぎる。一方、若し、硼珪酸塩含
量が98.3重量%より高いとガラスの焼結温度は実際
の焼成温度を越えることになる。B20.対SiO□の
重量比は、0.22〜0.55、好ましくは0.25〜
0.40の範囲内にするべきである。ガラスが850〜
950℃で焼結する粘稠相となりうろことが好ましい。
特に好ましいガラス組成物は、72重量%5in2.2
5重量%B、03.1重量%Al2203.1重量%に
20.0.5重量%Na2Oおよび0.5重量%Li2
Oの組成を有している。
5重量%B、03.1重量%Al2203.1重量%に
20.0.5重量%Na2Oおよび0.5重量%Li2
Oの組成を有している。
1.5〜4.0重量%のアルカリ金属および/またはア
ルカリ土類金属またはそれらの混合物の酸化物で0.3
〜1.0重量%のLi1Oを有していることが必要であ
る。このような金属酸化物の少なくとも1.5重量%は
、焼成の間ガラスの適当な低粘性を得るために必要であ
る。然しなから、4.0重量%より多く使用するならば
、焼結組成物の導電性は高くなりすぎる。ガラス中のア
ルカリイオンの量を最小にするには、ガラスは0.3〜
1.0重量%のLi2Oを含有することが好ましく、そ
の結果最低量のアルカリ性イオンすなわちアルカリ金属
およびアルカリ土類金属イオンによって最低の有用な焼
結粘度を得ることができる。さらに、他のアルカリ金属
酸化物(Na20゜K2O)の量は3.0重量%以下に
保たれるべきである。
ルカリ土類金属またはそれらの混合物の酸化物で0.3
〜1.0重量%のLi1Oを有していることが必要であ
る。このような金属酸化物の少なくとも1.5重量%は
、焼成の間ガラスの適当な低粘性を得るために必要であ
る。然しなから、4.0重量%より多く使用するならば
、焼結組成物の導電性は高くなりすぎる。ガラス中のア
ルカリイオンの量を最小にするには、ガラスは0.3〜
1.0重量%のLi2Oを含有することが好ましく、そ
の結果最低量のアルカリ性イオンすなわちアルカリ金属
およびアルカリ土類金属イオンによって最低の有用な焼
結粘度を得ることができる。さらに、他のアルカリ金属
酸化物(Na20゜K2O)の量は3.0重量%以下に
保たれるべきである。
セラミック充填剤を使用する場合、焼成時のガラス中へ
のセラミック充填剤の溶解を低減するためにガラス中に
は少量のアルミナが必要とされる。少なくとも0.5重
量%のアルミナがこの目的のために必要である。
のセラミック充填剤の溶解を低減するためにガラス中に
は少量のアルミナが必要とされる。少なくとも0.5重
量%のアルミナがこの目的のために必要である。
然しなから、1.5重量%より多く使用するならば、ガ
ラスの粘性が過度となり湿潤性、焼結性に悪い影響を与
える。さらに、上述のガラスは、誘電率に悪影響を与え
るビスマス、鉛または他の大きな分極性イオンを本質的
に含むべきではない。
ラスの粘性が過度となり湿潤性、焼結性に悪い影響を与
える。さらに、上述のガラスは、誘電率に悪影響を与え
るビスマス、鉛または他の大きな分極性イオンを本質的
に含むべきではない。
ガラスは、20〜50重量%(全固体基準)、好ましく
は30〜40重量%の量で存在すべきである。
は30〜40重量%の量で存在すべきである。
焼成層の強度は、ガラス濃度が増加するにつれて減少す
る。ガラスが約50重量%より多くなると構造は非常に
もろくなり関連導電体層の物性もまた低下する傾向とな
る。一方、若しガラスの量が20重量%より少なければ
、焼成構造は十分にち密にならないで、多孔性になる。
る。ガラスが約50重量%より多くなると構造は非常に
もろくなり関連導電体層の物性もまた低下する傾向とな
る。一方、若しガラスの量が20重量%より少なければ
、焼成構造は十分にち密にならないで、多孔性になる。
ガラスは微細粒子として存在すべきである。
粒子の大きさは、臨界的ではないが一般に25ミクロン
より小さい。好ましい粒子サイズは、分布曲線の50%
点で4〜6ミクロンである。
より小さい。好ましい粒子サイズは、分布曲線の50%
点で4〜6ミクロンである。
ガラスは、慣用のガラス製造技術によって所望の成分を
所望の割合に混合しそして混合物を加熱して融解物を形
成することにより製造することができる。当該分野で良
く知られているように加熱はピーク温度までかつ融解物
が完全に液状で均質になる位の時間実施される。本発明
では、この時間は約1〜1.5時間である。ついで融解
物は急冷する。次に、得られたフリットを所望の粒子サ
イズに粉砕する。
所望の割合に混合しそして混合物を加熱して融解物を形
成することにより製造することができる。当該分野で良
く知られているように加熱はピーク温度までかつ融解物
が完全に液状で均質になる位の時間実施される。本発明
では、この時間は約1〜1.5時間である。ついで融解
物は急冷する。次に、得られたフリットを所望の粒子サ
イズに粉砕する。
粉砕機から微粉砕フリットスラリーを取出した後、過剰
の溶媒をデカンテーションにより除去し、7リツト粉末
を室温で風乾する。ついで乾燥した粉末を最大所望の粒
子の大きさの開口部を持つふるいに通して大きな粒子を
除去する。
の溶媒をデカンテーションにより除去し、7リツト粉末
を室温で風乾する。ついで乾燥した粉末を最大所望の粒
子の大きさの開口部を持つふるいに通して大きな粒子を
除去する。
B、 コージライト(cordierite)寸法安定
性を得るためには、組成物の第2成分が焼成後結晶性で
ある物質であることが必要である。結晶化の過程でミク
ロンサイズの微結晶の全面的に広がった剛直な網目構造
が形成され、これは物質の全体の流動性を徹底的に低下
させる。然しなから、事象の適当な順序は焼成工程の間
に起らねばならない。ガラス類の組合せ物は、全有機物
結合剤が燃焼しつくす間に溶融相に残り、次いでガラス
は焼結しそして最終的に結晶化しなければならない。若
し結晶化が始めに起ると、生成したパーツはパーツ強度
を低下させる空隙を有することになる。若し焼結が始め
に起ると、結合剤はテープに捕捉されて誘電率に悪影響
を与える。さらに、結晶化ガラスは上述の硼珪酸塩ガラ
スとは反応してはいけない。−緒に溶融はするが反応し
ないガラスを見出すことは容易ではない。
性を得るためには、組成物の第2成分が焼成後結晶性で
ある物質であることが必要である。結晶化の過程でミク
ロンサイズの微結晶の全面的に広がった剛直な網目構造
が形成され、これは物質の全体の流動性を徹底的に低下
させる。然しなから、事象の適当な順序は焼成工程の間
に起らねばならない。ガラス類の組合せ物は、全有機物
結合剤が燃焼しつくす間に溶融相に残り、次いでガラス
は焼結しそして最終的に結晶化しなければならない。若
し結晶化が始めに起ると、生成したパーツはパーツ強度
を低下させる空隙を有することになる。若し焼結が始め
に起ると、結合剤はテープに捕捉されて誘電率に悪影響
を与える。さらに、結晶化ガラスは上述の硼珪酸塩ガラ
スとは反応してはいけない。−緒に溶融はするが反応し
ないガラスを見出すことは容易ではない。
驚くべきことにコージライトガラスが上記の基準をすべ
て満足することが分った。コージライト2Mg0・2A
Q203・5Si02は低温で無定形であるが、高温に
さらすと結晶性になるガラスである。これは焼成温度で
は上記の硼珪酸塩ガラスとは反応しない。硼珪酸塩ガラ
スとコージライトガラスとの組み合わせたものは有機物
が燃焼しつくす間、溶融相に留まり、ついで焼結し結晶
化する。
て満足することが分った。コージライト2Mg0・2A
Q203・5Si02は低温で無定形であるが、高温に
さらすと結晶性になるガラスである。これは焼成温度で
は上記の硼珪酸塩ガラスとは反応しない。硼珪酸塩ガラ
スとコージライトガラスとの組み合わせたものは有機物
が燃焼しつくす間、溶融相に留まり、ついで焼結し結晶
化する。
コージライトは、全無機固体重量基準で30〜80重量
%、そして好ましくは45〜55重量%の量で存在すべ
きである。コージライトが約30重量%より少ない量で
使用されると、多重焼成を通じて寸法安定性を達成する
に十分な結晶性が出てこない。もしコージライトが約8
0重量%より多く使用されると、焼成物質の密度は極め
て低くなり、シートは多孔性となる。さらにコージライ
トの量が非常に高いと、TCE(熱膨脹率)は極めて低
くなる。
%、そして好ましくは45〜55重量%の量で存在すべ
きである。コージライトが約30重量%より少ない量で
使用されると、多重焼成を通じて寸法安定性を達成する
に十分な結晶性が出てこない。もしコージライトが約8
0重量%より多く使用されると、焼成物質の密度は極め
て低くなり、シートは多孔性となる。さらにコージライ
トの量が非常に高いと、TCE(熱膨脹率)は極めて低
くなる。
コージライトは微細粒子で存在すべきである。
どの粒子も大きさが15ミクロンを越えるべきではなく
、好ましくは10ミクロンを越えてはならない。粒子サ
イズ分布曲線上の50%点は1ミクロンより小さくては
いけないし、好ましくは2〜5ミクロンの範囲にあるの
がよい。
、好ましくは10ミクロンを越えてはならない。粒子サ
イズ分布曲線上の50%点は1ミクロンより小さくては
いけないし、好ましくは2〜5ミクロンの範囲にあるの
がよい。
C1セラミック充填剤
セラミック充填剤は、ICEを調節するために本発明の
組成物に加えることができる。これは誘電体物質のTC
Eを成分または他の基体のTCEと合わせるために″加
えられる。本発明の組成物に使用しうるセラミック充填
剤は、アルミナ、石英、リン酸アルミニウム、窒化アル
ミニウム、窒化硼素、溶融シリカおよびこれらの混合物
からなる群から選ぶことができる。好ましいセラミック
充填剤は石英である。
組成物に加えることができる。これは誘電体物質のTC
Eを成分または他の基体のTCEと合わせるために″加
えられる。本発明の組成物に使用しうるセラミック充填
剤は、アルミナ、石英、リン酸アルミニウム、窒化アル
ミニウム、窒化硼素、溶融シリカおよびこれらの混合物
からなる群から選ぶことができる。好ましいセラミック
充填剤は石英である。
セラミック充填剤は、全無機固体重量基準で40重量%
までの量で存在してもよい。好ましくは、10〜25重
量%の量で存在するのがよい。セラミック充填剤′は微
細粒子で存在させるべきである。どの粒子も大きさで1
5ミクロンを越えるべきではなく、好ましくは10ミク
ロンも越えてはならない。粒子サイズ分布曲線上の50
%の点は1ミクロンより小さくてはいけないし、好まし
くは2〜5ミクロンの範囲にあるのがよい。
までの量で存在してもよい。好ましくは、10〜25重
量%の量で存在するのがよい。セラミック充填剤′は微
細粒子で存在させるべきである。どの粒子も大きさで1
5ミクロンを越えるべきではなく、好ましくは10ミク
ロンも越えてはならない。粒子サイズ分布曲線上の50
%の点は1ミクロンより小さくてはいけないし、好まし
くは2〜5ミクロンの範囲にあるのがよい。
D、有機媒体
ガラスおよび無機固体が分散している有機媒体は、重合
体バインダー/可塑剤マトリックスから構成されており
、これは揮発性の有機溶媒に溶解し、場合により他の溶
解物質例えば離形剤、分散剤、別離剤、防汚剤および湿
潤剤に溶解される。
体バインダー/可塑剤マトリックスから構成されており
、これは揮発性の有機溶媒に溶解し、場合により他の溶
解物質例えば離形剤、分散剤、別離剤、防汚剤および湿
潤剤に溶解される。
より良好な結合効率を得るために、無機固体対重合体の
重量比は、少なくとも4:lであり18:lより大きく
ないことが好ましい。これらの範囲内で、熱分解で除去
される有機物の量を低下させ、焼成の際の収縮を低減さ
せるより良好な粒子のバッキング(詰め具合)を得るた
めに最少量の結合剤を使用することが望ましい。
重量比は、少なくとも4:lであり18:lより大きく
ないことが好ましい。これらの範囲内で、熱分解で除去
される有機物の量を低下させ、焼成の際の収縮を低減さ
せるより良好な粒子のバッキング(詰め具合)を得るた
めに最少量の結合剤を使用することが望ましい。
過去においては、種々の重合体物質がグリーンテープの
結合剤として、例えばポリ(ビニールブチラール)、ポ
リ(ビニールアセテート)、ポリ(ビニールアルコール
)、セルロース性重合体、例えばメチルセルロース、エ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチル
ヒドロキシエチルセルロース、アタクチックのポリプロ
ピレン、ポリエチレン、シリコン重合体、例えばポリ(
メチルシロキサン)、ポリ(メチルフェニルシロキサン
)、ポリスチレン、ブタジェン/スチレン共重合体、ポ
リ(ビニルピロリドン)、ポリアミド、高分子量ポリエ
ーテル、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共
重合体、ポリアクリルアミドおよび種々のアクリル系重
合体、例えばナトリウムポリアクリレート、ポリ(低級
アルキルアクリレート)、ポリ(低級アルキルメタクリ
レート)、および種種の共重合体および低級アルキルア
クリレートとメタクリレートとの多元共重合体が使用さ
れてきた。エチルメタクリレートとメチルアクリレート
との共重合体およびエチルアクリレート、メチルメタク
リレートおよびメタクリル酸との三元共重合体は、以前
、スリップ成形物質用の結合剤として使用されてきた。
結合剤として、例えばポリ(ビニールブチラール)、ポ
リ(ビニールアセテート)、ポリ(ビニールアルコール
)、セルロース性重合体、例えばメチルセルロース、エ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチル
ヒドロキシエチルセルロース、アタクチックのポリプロ
ピレン、ポリエチレン、シリコン重合体、例えばポリ(
メチルシロキサン)、ポリ(メチルフェニルシロキサン
)、ポリスチレン、ブタジェン/スチレン共重合体、ポ
リ(ビニルピロリドン)、ポリアミド、高分子量ポリエ
ーテル、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共
重合体、ポリアクリルアミドおよび種々のアクリル系重
合体、例えばナトリウムポリアクリレート、ポリ(低級
アルキルアクリレート)、ポリ(低級アルキルメタクリ
レート)、および種種の共重合体および低級アルキルア
クリレートとメタクリレートとの多元共重合体が使用さ
れてきた。エチルメタクリレートとメチルアクリレート
との共重合体およびエチルアクリレート、メチルメタク
リレートおよびメタクリル酸との三元共重合体は、以前
、スリップ成形物質用の結合剤として使用されてきた。
本発明の組成物からテープを製造するための好ましい重
合体バインダーの種類は、ウサラ(Usala)の米国
特許第4.613,648号に開示されている。これら
の重合体バインダーは、0〜100重量%の01〜Sア
ルキルメタクリレート、100〜0重量%の01〜.ア
ルキルアクリレートおよび0〜5重量%のエチレン系不
飽和カルボン酸またはアミンの相客し得る多元重合体の
混合物である。その多元重合体は、さらに50.000
〜100.000の数平均分子量(Mn) 、150,
000〜350.000の重量平均分子量(Mw)を有
し、Mw対Mnの比は5.5より大きくないことを特徴
とするものであり、多元重合体混合物中の不飽和カルボ
ン酸またはアミンの全量は0.2〜2.0重量%であり
、その重合体および可塑剤のガラス転移温度(Tg)は
、あるとすれば、−30〜+45℃である。
合体バインダーの種類は、ウサラ(Usala)の米国
特許第4.613,648号に開示されている。これら
の重合体バインダーは、0〜100重量%の01〜Sア
ルキルメタクリレート、100〜0重量%の01〜.ア
ルキルアクリレートおよび0〜5重量%のエチレン系不
飽和カルボン酸またはアミンの相客し得る多元重合体の
混合物である。その多元重合体は、さらに50.000
〜100.000の数平均分子量(Mn) 、150,
000〜350.000の重量平均分子量(Mw)を有
し、Mw対Mnの比は5.5より大きくないことを特徴
とするものであり、多元重合体混合物中の不飽和カルボ
ン酸またはアミンの全量は0.2〜2.0重量%であり
、その重合体および可塑剤のガラス転移温度(Tg)は
、あるとすれば、−30〜+45℃である。
重合体バインダーの他に、また有機マトリックスは、バ
インダー重合体に対してバインダー重合体のTgを下げ
るのに役立つ可塑剤の少量を含有している。勿論、可塑
剤の選択は主として変性されるべき重合体によって決ま
る。種々のバインダーシステムにおいて使用された可塑
剤の中に7タール酸ジエチル、フタール酸ジブチル、フ
タール酸ジオクチル、フタール酸ブチルベンジル、リン
酸アルキル、ポリアルキレングリコール、グリセロール
、ポリ(エチレンオキシド)、ヒドロキシエチル化アル
キルフェノール、ジチオホスホン酸ジアルキル (インブチレン)がある。これらの中、フタール酸ブチ
ルベンジルは、比較的低い濃度で有効に使用しうるので
アクリル系重合体システムにおいて最も頻繁に使用され
ている。
インダー重合体に対してバインダー重合体のTgを下げ
るのに役立つ可塑剤の少量を含有している。勿論、可塑
剤の選択は主として変性されるべき重合体によって決ま
る。種々のバインダーシステムにおいて使用された可塑
剤の中に7タール酸ジエチル、フタール酸ジブチル、フ
タール酸ジオクチル、フタール酸ブチルベンジル、リン
酸アルキル、ポリアルキレングリコール、グリセロール
、ポリ(エチレンオキシド)、ヒドロキシエチル化アル
キルフェノール、ジチオホスホン酸ジアルキル (インブチレン)がある。これらの中、フタール酸ブチ
ルベンジルは、比較的低い濃度で有効に使用しうるので
アクリル系重合体システムにおいて最も頻繁に使用され
ている。
成形溶液のために、有機媒体の溶媒成分は、重合体の完
全な溶液を得ることおよび溶媒を大気圧で比較的低い温
度の加熱で分散物から蒸発することのできる十分高い揮
発性を有するように選択される。さらに、溶媒は有機媒
体中に含まれるその他の添加物の沸点および分解温度以
下でよく済騰しなければならない。従って、150°C
以下の大気圧での沸点を有する溶媒が最も頻繁に使用さ
れる。このような溶媒としては、ベンゼン、アセトン、
キシレン、メタノール、エタノール、メチルエチルケト
ン、1,1.1−トリクロロエタン、テトラクロロエチ
レン、酢酸アミル、2.2.4−トリエチルペンタンジ
オ−ルー1,3−モノイソブチレート、トルエン、メチ
レンクロリド、2−プロパツールおよびトリクロロトリ
クロロエタンがある。
全な溶液を得ることおよび溶媒を大気圧で比較的低い温
度の加熱で分散物から蒸発することのできる十分高い揮
発性を有するように選択される。さらに、溶媒は有機媒
体中に含まれるその他の添加物の沸点および分解温度以
下でよく済騰しなければならない。従って、150°C
以下の大気圧での沸点を有する溶媒が最も頻繁に使用さ
れる。このような溶媒としては、ベンゼン、アセトン、
キシレン、メタノール、エタノール、メチルエチルケト
ン、1,1.1−トリクロロエタン、テトラクロロエチ
レン、酢酸アミル、2.2.4−トリエチルペンタンジ
オ−ルー1,3−モノイソブチレート、トルエン、メチ
レンクロリド、2−プロパツールおよびトリクロロトリ
クロロエタンがある。
E.応用
テープは主として多層電子回路のための誘電体または絶
縁体物質として使用される。未焼成テープのひと巻きは
、回路の実際の寸法よりいくらか太き目のサイズに各コ
ーナーで位置合わせの孔が打抜かれる。多層回路の種々
の層を接続するために、バイア孔がテープ中に形成され
る。これは典整的には機械的打抜きで行われる。
縁体物質として使用される。未焼成テープのひと巻きは
、回路の実際の寸法よりいくらか太き目のサイズに各コ
ーナーで位置合わせの孔が打抜かれる。多層回路の種々
の層を接続するために、バイア孔がテープ中に形成され
る。これは典整的には機械的打抜きで行われる。
然しながら、焦点を鋭く合わせたレーザーが未焼成テー
プを揮散させるのに使用される。典型的なバイア孔のサ
イズは0.0006〜0.25インチの範囲である。層
間の相互接続は、厚膜電気的機能性ペーストによりバイ
ア孔を充填することによって形成される。このペースト
は、通常、標準的なスクリーン印刷技術によって適用さ
れる。
プを揮散させるのに使用される。典型的なバイア孔のサ
イズは0.0006〜0.25インチの範囲である。層
間の相互接続は、厚膜電気的機能性ペーストによりバイ
ア孔を充填することによって形成される。このペースト
は、通常、標準的なスクリーン印刷技術によって適用さ
れる。
回路の各層は電気的機能性路をスクリーン印刷によって
完成される。導電体、抵抗体または高誘電コンデンサー
ペーストを各層に印刷してそれぞれ導電性、抵抗性また
は容量性の回路素子を形成することができる。また、多
層コンデンサー工業に使用されているそれらと類似した
特別に製造した高誘電率テープは多層回路のパーツとし
て組み入れることができる。
完成される。導電体、抵抗体または高誘電コンデンサー
ペーストを各層に印刷してそれぞれ導電性、抵抗性また
は容量性の回路素子を形成することができる。また、多
層コンデンサー工業に使用されているそれらと類似した
特別に製造した高誘電率テープは多層回路のパーツとし
て組み入れることができる。
回路の各層が完成した後、個々の層は積重ねられて積層
される。コンファインドプレスダイは層間の精密な整合
を確実にするのに用いられる。積層物は熱いステージカ
ッターでトリミングされる。
される。コンファインドプレスダイは層間の精密な整合
を確実にするのに用いられる。積層物は熱いステージカ
ッターでトリミングされる。
焼成は、標準的な厚膜コンベヤーベルト炉中で行われる
。多くの誘電体組成物と異なり、本発明の誘電体組成物
は、酸化的雰囲気、例えば空気中で、非酸化的雰囲気、
例えば窒素中でまたは還元的雰囲気、例えばホーミング
ガスまたは一酸化炭素/炭酸ガス中で焼成することがで
きる。焼成雰囲気の選択は、通常、焼成条件下導電性金
属の酸化安定性により規定される。銅が導電性金属とし
て使用される時は、僅かに還元する雰囲気を用いる必要
がある。McEwenらによる1988年9月23日出
願の米国特許出願No. 07/235,273に記述
されているように水蒸気と共に一酸化炭素および炭酸ガ
スの雰囲気を使用するのが好ましい。
。多くの誘電体組成物と異なり、本発明の誘電体組成物
は、酸化的雰囲気、例えば空気中で、非酸化的雰囲気、
例えば窒素中でまたは還元的雰囲気、例えばホーミング
ガスまたは一酸化炭素/炭酸ガス中で焼成することがで
きる。焼成雰囲気の選択は、通常、焼成条件下導電性金
属の酸化安定性により規定される。銅が導電性金属とし
て使用される時は、僅かに還元する雰囲気を用いる必要
がある。McEwenらによる1988年9月23日出
願の米国特許出願No. 07/235,273に記述
されているように水蒸気と共に一酸化炭素および炭酸ガ
スの雰囲気を使用するのが好ましい。
実施例
成型用溶液は、高速分散ミキサー ワーリングブレンダ
ーで、下表の無機固体を溶媒/ポリマーブレンド中に分
散させることによって処方される。分散物は、ブレンダ
ーを最高に設定してlO分間混合することによって達成
される。溶液の粘度は、回転子のNo、5を用いて20
rpmでブルックフィールドRVTで測定した。成型用
溶液の粘度は、0.9〜4 、5PaSの範囲にあった
。溶液ハ、60℃でシリコンコーテッドポリエステルフ
ィルムにキャスティングしてテープに形成された。成型
テープの厚さは、4.1〜10ミル(mils)に変化
した。成型グリーンシートは、打抜き機で必要な寸法に
打抜かれた。パンチとダイを備えた打抜き機でその成を
打抜きシートに孔があけられた。もし電気的機能層が所
望されるならば導電性酸化鋼ペースト(エチルセルロー
ス中80%酸化銅)がシートにスクリーン印刷された。
ーで、下表の無機固体を溶媒/ポリマーブレンド中に分
散させることによって処方される。分散物は、ブレンダ
ーを最高に設定してlO分間混合することによって達成
される。溶液の粘度は、回転子のNo、5を用いて20
rpmでブルックフィールドRVTで測定した。成型用
溶液の粘度は、0.9〜4 、5PaSの範囲にあった
。溶液ハ、60℃でシリコンコーテッドポリエステルフ
ィルムにキャスティングしてテープに形成された。成型
テープの厚さは、4.1〜10ミル(mils)に変化
した。成型グリーンシートは、打抜き機で必要な寸法に
打抜かれた。パンチとダイを備えた打抜き機でその成を
打抜きシートに孔があけられた。もし電気的機能層が所
望されるならば導電性酸化鋼ペースト(エチルセルロー
ス中80%酸化銅)がシートにスクリーン印刷された。
ついでスクリーン印刷されたシートを、100℃、10
分間オーブン中で乾燥した。印刷条件は200メツシユ
スクリーンを用いて1.5ミクロンの厚さになるように
選択された。サンプルは、3000psi以下、70°
Cで20分間、コンファインド圧縮ダイを用いて8枚の
シートを一緒に積層して基体の形状に成型加工された。
分間オーブン中で乾燥した。印刷条件は200メツシユ
スクリーンを用いて1.5ミクロンの厚さになるように
選択された。サンプルは、3000psi以下、70°
Cで20分間、コンファインド圧縮ダイを用いて8枚の
シートを一緒に積層して基体の形状に成型加工された。
コンファインドダイは圧縮中の横方向の歪みを阻止する
。積層サンプル中の均質性密度は、焼結基体における収
縮度に影響を及ぼす。それ故、積層工程は平面を備えた
修正ダイおよびパンチで均一に行われるべきである。
。積層サンプル中の均質性密度は、焼結基体における収
縮度に影響を及ぼす。それ故、積層工程は平面を備えた
修正ダイおよびパンチで均一に行われるべきである。
銅の金属化を行なわないパーツでは次の焼成順序が使用
される:未焼成積層は、1〜b分の速度で空気中で予熱
され、500°Cで3〜6時間保持されて有機結合剤を
除去した。結合剤が燃焼した後、加熱速度を約5〜b 度に増加させ、濃度を窒素雰囲気中、930〜950℃
(コージライトガラスの結晶化温度)に2時間保った。
される:未焼成積層は、1〜b分の速度で空気中で予熱
され、500°Cで3〜6時間保持されて有機結合剤を
除去した。結合剤が燃焼した後、加熱速度を約5〜b 度に増加させ、濃度を窒素雰囲気中、930〜950℃
(コージライトガラスの結晶化温度)に2時間保った。
焼成パーツは、炉ごと室温に冷却された。
銅金属化をしたパーツは、次の順序で焼成された。未焼
成積層物は空気中で500°Cに1〜b間保持された。
成積層物は空気中で500°Cに1〜b間保持された。
有機結合剤を完全除去後、雰囲気を約3%の水蒸気を有
する炭酸ガス中1%の酸化炭素にかえ、銅金属への完全
な還元を行なうように450〜500℃で6〜8時間保
った。ついで雰囲気を窒素にかえ、加熱速度を930〜
950°Cのピーク温度まで5〜b その温度を2時間保ち、ついでパーツを炉ごと室温に冷
却した。
する炭酸ガス中1%の酸化炭素にかえ、銅金属への完全
な還元を行なうように450〜500℃で6〜8時間保
った。ついで雰囲気を窒素にかえ、加熱速度を930〜
950°Cのピーク温度まで5〜b その温度を2時間保ち、ついでパーツを炉ごと室温に冷
却した。
次の実施例で使用したガラスは、上述の好ましいガラス
組成物に相当した。次の実施例に使用しI;バインダー
/可塑剤は上述のウサラ(Usa la)の米国特許第
4,613.648号に対応した。
組成物に相当した。次の実施例に使用しI;バインダー
/可塑剤は上述のウサラ(Usa la)の米国特許第
4,613.648号に対応した。
次の実施例に使用された溶媒は次に示された範囲の成分
を含有していた。
を含有していた。
1.1.1−1−リクロロエタン 70〜85間重量%
メチレンクロリド 2〜7重量%メチルエチル
ケトン 4〜11重量%インプロパツール
2〜6重量%1.1.2−トリクロロ−1,2,2 −トリフルオロエタン 4〜lO重量%実施例1〜
4 これらの実施例は、焼成パーツの寸法安定性に及ぼすコ
ージライトガラスの効果を示している。
メチレンクロリド 2〜7重量%メチルエチル
ケトン 4〜11重量%インプロパツール
2〜6重量%1.1.2−トリクロロ−1,2,2 −トリフルオロエタン 4〜lO重量%実施例1〜
4 これらの実施例は、焼成パーツの寸法安定性に及ぼすコ
ージライトガラスの効果を示している。
成形溶液は、52.00重量%の固体、6.06重量%
のポリマーおよび41.94重量%の溶媒を用いて製造
された、固体中のコージライトの重量%は、下表に示す
ように変化した。パーツは、上述の三つの埋込まれた銅
層を含んだ誘電テープの8層を共焼成することによって
製造された。
のポリマーおよび41.94重量%の溶媒を用いて製造
された、固体中のコージライトの重量%は、下表に示す
ように変化した。パーツは、上述の三つの埋込まれた銅
層を含んだ誘電テープの8層を共焼成することによって
製造された。
酸化銅ペーストの表面金属化層は焼成多層基体にスクリ
ーン印刷され、ついで同条件で後焼成された。焼成パー
ツの寸法安定法は、積層物のX+Y平面における収縮、
パーツの平面性、焼成トップ表面の形態および導線およ
びトップ表面のバイア位置によって測定された。
ーン印刷され、ついで同条件で後焼成された。焼成パー
ツの寸法安定法は、積層物のX+Y平面における収縮、
パーツの平面性、焼成トップ表面の形態および導線およ
びトップ表面のバイア位置によって測定された。
コージライトガラス
アルミナ
石英
物 性
K(誘電率)
TCE(ppm/の熱膨脹係数(%)
XSY収縮(%)
平坦性
io、o。
10.00
20.00 50.00
10.00 10.00
10.00 10.00
4.6
5.0
4
端部持より はとんど
平坦
−ツ表面の走査型電子顕微鏡写真である。表面はガラス
層で被覆されている。この表面ガラス被覆はガラスによ
る金属のシフト化とカバーによって後金属化工程を非常
に困難にしている。
層で被覆されている。この表面ガラス被覆はガラスによ
る金属のシフト化とカバーによって後金属化工程を非常
に困難にしている。
図1bは実施例2のパーツの走査型電子顕微鏡写真であ
る。表面のガラス性は明白である。図1cは、実施例3
のパーツの走査型電子顕微鏡写真で本発明の組成物を示
している。焼成平面誘電率および熱膨脹係数は、コージ
ライトガラスの量の増加と共に変化しないが、寸法安定
性が劇的に増加する。コージライトガラスが約30重量
%以上の量で存在する場合のみ、寸法安充填剤の使用を
示すものであり、これらの充填剤で得られる物性におけ
る変化を示している。
る。表面のガラス性は明白である。図1cは、実施例3
のパーツの走査型電子顕微鏡写真で本発明の組成物を示
している。焼成平面誘電率および熱膨脹係数は、コージ
ライトガラスの量の増加と共に変化しないが、寸法安定
性が劇的に増加する。コージライトガラスが約30重量
%以上の量で存在する場合のみ、寸法安充填剤の使用を
示すものであり、これらの充填剤で得られる物性におけ
る変化を示している。
成形溶液は54.91重量%の固体、6.34重量%の
ポリマーおよび38.75重量%の溶媒を用いて上記の
条件を使用して銅金属化を行なわないで焼成された。誘
電率と熱膨脹係数の変化を下に示す。
ポリマーおよび38.75重量%の溶媒を用いて上記の
条件を使用して銅金属化を行なわないで焼成された。誘
電率と熱膨脹係数の変化を下に示す。
(1) B2O5対SiO2の重量比が0.22〜0.
55であり、 (2) 0.5〜1.5重量%(全ガラス基準) (7
)AQ20sガラス 石英 アルミナ 20−15 10 20 15 20 10 10 − 窒化アルミ ニウム 010 窒化硼素 −−−−−−−−−−−−10101
0物 性 K(誘電率) 4.25.84.04.65.6
5.85.04.85.0TCE(熱膨脹係数”)
5.3 3.2 5.3 5.0 2.5 4.0 4
.5 3.0 3.0本発明の要旨および態様を以下に
要約して示す。
55であり、 (2) 0.5〜1.5重量%(全ガラス基準) (7
)AQ20sガラス 石英 アルミナ 20−15 10 20 15 20 10 10 − 窒化アルミ ニウム 010 窒化硼素 −−−−−−−−−−−−10101
0物 性 K(誘電率) 4.25.84.04.65.6
5.85.04.85.0TCE(熱膨脹係数”)
5.3 3.2 5.3 5.0 2.5 4.0 4
.5 3.0 3.0本発明の要旨および態様を以下に
要約して示す。
1)
(a) 20〜50重量%(全固体基準)の鉛不含の非
晶質硼珪酸ガラス、ここで 〜1.0重量%(全固体基準)のし1□0のものおよび (b) 30〜80重量%(全固体基準)のコージライ
トガラスからなる微細に分割された固体の分散物を含有
する低に誘電体層を製造するt;めの組成物。
晶質硼珪酸ガラス、ここで 〜1.0重量%(全固体基準)のし1□0のものおよび (b) 30〜80重量%(全固体基準)のコージライ
トガラスからなる微細に分割された固体の分散物を含有
する低に誘電体層を製造するt;めの組成物。
2)さらに
(c)アルミナ、石英、リン酸アルミニウムホスフェー
ト、窒化アルミニウム、窒化硼素、溶融シリカおよびそ
れらの混合物からなる群から選ばれた0、1〜40重量
%(全固体基準)のセラミック充填材を含有する前項l
の組成物。
ト、窒化アルミニウム、窒化硼素、溶融シリカおよびそ
れらの混合物からなる群から選ばれた0、1〜40重量
%(全固体基準)のセラミック充填材を含有する前項l
の組成物。
3) (a)硼珪酸塩ガラスが0.9〜3.0重量%
(全ガラス基準)の混合Na2Oおよびに20を含有す
る前項2の組成物。
(全ガラス基準)の混合Na2Oおよびに20を含有す
る前項2の組成物。
4) (a)硼珪酸塩ガラスが重量基準で72%5i
n2.25%B2O,、1%に2Olo、5%Li、0
および0.5%Na2Oからなる前項3の組成物。
n2.25%B2O,、1%に2Olo、5%Li、0
および0.5%Na2Oからなる前項3の組成物。
5)成分(c)が石英を含有する前項2の組成物。
6)揮発性有機溶媒中の重合体バインダー/可塑剤マト
リックスの溶液中に分散した前項1の組成物からなるテ
ープ成型用組成物。
リックスの溶液中に分散した前項1の組成物からなるテ
ープ成型用組成物。
7)揮発性有機溶媒中の重合性バインダー/可塑剤マト
リックスの溶液中に分散した前項2の組成物を含有する
テープ成形用組成物。
リックスの溶液中に分散した前項2の組成物を含有する
テープ成形用組成物。
8)揮発性有機溶媒中の重合体バインダー/可塑剤マト
リックスの溶液中に分散した前項4の組成物を含有する
テープ成形用組成物。
リックスの溶液中に分散した前項4の組成物を含有する
テープ成形用組成物。
9)バインダー成分がメチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、メチルアクリレートのポリマーおよびそ
れらの混合物からなる群から選ばれたものである前項6
のテープ成形用組成物。
タクリレート、メチルアクリレートのポリマーおよびそ
れらの混合物からなる群から選ばれたものである前項6
のテープ成形用組成物。
10) バインダー成分がメチルメタクリレート、エ
チルメタクリレート、メチルアクリレートのポリマーお
よびそれらの混合物からなる群から選ばれたものである
前項8のテープ用成形組成物。
チルメタクリレート、メチルアクリレートのポリマーお
よびそれらの混合物からなる群から選ばれたものである
前項8のテープ用成形組成物。
11)前項6の組成物の薄い層を可撓性基体上に形成さ
せ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして基体か
ら溶媒不含層を除去することにより製造したテープ。
せ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして基体か
ら溶媒不含層を除去することにより製造したテープ。
12)前)llJ7の組成物の薄い層を可撓性基体上に
形成させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして
基体から溶媒不含層を除去することにより製造したテー
プ。
形成させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして
基体から溶媒不含層を除去することにより製造したテー
プ。
13) 前項9の組成物の薄い層を可視性基体上に形
成させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして基
体から溶媒不含層を除去することにより製造したテープ
。
成させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして基
体から溶媒不含層を除去することにより製造したテープ
。
14)前項IOの組成物の薄い層を可視性基体上に形成
させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして基体
から溶媒不含層を除去することにより製造したテープ。
させ、その層を加熱して揮発性溶媒を除去しそして基体
から溶媒不含層を除去することにより製造したテープ。
15) 前項11のテープの焼成層からなる誘電体基
体。
体。
16)前項12のテープの焼成層からなる誘電体基体。
17) 前項13のテープの焼成層からなる誘電体基
体。
体。
18)前項14のテープの焼成層からなる誘電体基体。
19) 前項15の誘電体基体および電気的機能層か
らなる集成体。
らなる集成体。
20)前項16の誘電体基体および電気的機能層からな
る集成体。
る集成体。
21)前項17の誘電体基体および電気的機能層からな
る集成体。
る集成体。
22)前項18の誘電体基体および電気的機能層からな
る集成体。
る集成体。
23)前項11のテープの焼成層により分離された複数
の電気的機能層からなる多層集成体。
の電気的機能層からなる多層集成体。
24)前項12のテープの焼成層により分離された複数
の電気的機能層からなる多層集成体。
の電気的機能層からなる多層集成体。
25)前項13のテープの焼成層により分離された複数
の電気的機能層からなる多層集成体。
の電気的機能層からなる多層集成体。
26)前項14のテープの焼成層により分離された複数
の電気的機能層からなる多層集成体。
の電気的機能層からなる多層集成体。
第1図は誘電体シートの種々の固形分(全固体基準)を
有する焼成パーツの走査型電子顕微鏡写真であり、(a
)は固形分が80重量%ガラス、10重量%アルミナお
よび10重量%石英の場合であり、(b)は固形分が6
0重量%ガラス、20重量%コージライトガラス、10
重量%アルミナおよび10重量%石英の場合であり、そ
して(c)は固形分が30重量%ガラス、50重量%コ
ージライトガラス、10重量%アルミナおよび10重量
%石英の場合である。
有する焼成パーツの走査型電子顕微鏡写真であり、(a
)は固形分が80重量%ガラス、10重量%アルミナお
よび10重量%石英の場合であり、(b)は固形分が6
0重量%ガラス、20重量%コージライトガラス、10
重量%アルミナおよび10重量%石英の場合であり、そ
して(c)は固形分が30重量%ガラス、50重量%コ
ージライトガラス、10重量%アルミナおよび10重量
%石英の場合である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)(a)20〜50重量%(全固体基準)の鉛不含の
非晶質硼珪酸ガラス、ここで (1)B_2O_3対SiO_2の重量比が0.22〜
0.55であり、 (2)0.5〜1.5重量%(全ガラス基準)のAl_
2O_3および1.5〜4.0重量%(全ガラス基準)
のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの混合
物の酸化物からなる混合物および0.3〜1.0重量%
(全固体基準)がLi_2Oであるものおよび (b)30〜80重量%(全固体基準)のコージライト
ガラスからなる微細に分割された固体の分散物を含有す
る低K誘導体層を製造するための組成物。 2)さらに (c)アルミナ、石英、リン酸アルミニウム、窒化アル
ミニウム、窒化硼素、溶液シリカおよびそれらの混合物
からなる群から選ばれた0.1〜40重量%(全固体基
準)のセラミック充填剤を含有する請求項1の組成物。 3)揮発性有機溶媒中の重合体バインダー/可塑剤マト
リックスの溶液中に分散した請求項1の組成物からなる
テープ成形用組成物。 4)請求項3の組成物の薄い層を可撓性基体上に形成さ
せ、その層を加熱し揮発性溶媒を除去しそして基体から
溶媒不含層を除去することにより製造したテープ。 5)請求項4のテープの焼成層からなる誘電体基体。 6)請求項5のテープの焼成層からなる誘電体基体。 7)請求項のテープの焼成層により分離された複数の電
気的機械層からなる多層集成体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US423,367 | 1989-10-19 | ||
US07/423,367 US5070046A (en) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | Dielectric compositions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03257041A true JPH03257041A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=23678639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2279534A Pending JPH03257041A (ja) | 1989-10-19 | 1990-10-19 | 誘電体組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5070046A (ja) |
EP (1) | EP0423752A3 (ja) |
JP (1) | JPH03257041A (ja) |
KR (1) | KR930002942B1 (ja) |
CA (1) | CA2027900A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216300A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Toray Ind Inc | 絶縁ペーストおよびそれを用いた電子回路部品の製造方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2265617B (en) * | 1988-12-27 | 1994-03-16 | Corning Inc | Glass-doped ceramic matrix composites |
US5071793A (en) * | 1990-08-23 | 1991-12-10 | Aluminum Company Of America | Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package |
US5206190A (en) * | 1990-09-04 | 1993-04-27 | Aluminum Company Of America | Dielectric composition containing cordierite and glass |
US5242867A (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-07 | Industrial Technology Research Institute | Composition for making multilayer ceramic substrates and dielectric materials with low firing temperature |
US5674634A (en) * | 1994-12-05 | 1997-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib |
US6017485A (en) * | 1996-03-28 | 2000-01-25 | Carborundum Corporation | Process for making a low electrical resistivity, high purity aluminum nitride electrostatic chuck |
JP3087656B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2000-09-11 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結無機組成物 |
US5985724A (en) * | 1996-10-01 | 1999-11-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming asymmetrical p-channel transistor having nitrided oxide patterned to selectively form a sidewall spacer |
TW396350B (en) * | 1996-12-04 | 2000-07-01 | Nat Science Council | Dielectric composition, slurry for use in the tape casting process, porcess for producing a ceramic product and process for preparing multilayer ceramic package |
JP3419291B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板 |
US6483157B1 (en) | 1997-06-20 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Asymmetrical transistor having a barrier-incorporated gate oxide and a graded implant only in the drain-side junction area |
US5858893A (en) * | 1997-08-12 | 1999-01-12 | Motorola Inc. | Ceramic composition with low dielectric constant and method of making same |
US6265749B1 (en) | 1997-10-14 | 2001-07-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Metal silicide transistor gate spaced from a semiconductor substrate by a ceramic gate dielectric having a high dielectric constant |
EP1070346A1 (en) | 1998-04-02 | 2001-01-24 | Applied Materials, Inc. | Method for etching low k dielectrics |
US5990493A (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Diamond etch stop rendered conductive by a gas cluster ion beam implant of titanium |
US6124620A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Incorporating barrier atoms into a gate dielectric using gas cluster ion beam implantation |
US6072222A (en) * | 1998-05-18 | 2000-06-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silicon implantation into selective areas of a refractory metal to reduce consumption of silicon-based junctions during salicide formation |
US5907780A (en) * | 1998-06-17 | 1999-05-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Incorporating silicon atoms into a metal oxide gate dielectric using gas cluster ion beam implantation |
US6274442B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Transistor having a nitrogen incorporated epitaxially grown gate dielectric and method of making same |
US6194768B1 (en) | 1998-10-23 | 2001-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | High dielectric constant gate dielectric with an overlying tantalum gate conductor formed on a sidewall surface of a sacrificial structure |
JP3818030B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2006-09-06 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法 |
KR100444359B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-08-16 | 한국과학기술연구원 | Ltcc용 저유전율 세라믹 조성물 |
KR100479688B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-03-30 | 한국과학기술연구원 | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 저온소성 유전체 세라믹의 제조방법 |
US20060223690A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-05 | Tsutomu Mutoh | Photosensitive thick-film dielectric paste composition and method for making an insulating layer using same |
DE102005044522B4 (de) * | 2005-09-16 | 2010-02-11 | Schott Ag | Verfahren zum Aufbringen einer porösen Glasschicht, sowie Verbundmaterial und dessen Verwendung |
US20080083450A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | United Technologies Corporation | Thermal management of concentrator photovoltaic cells |
CN101870577B (zh) * | 2010-06-25 | 2013-01-02 | 沈阳大学 | 一种富镁相堇青石水基流延浆料的制备方法 |
JP5786878B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2015-09-30 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物、電子部品および複合電子部品 |
EP4029837A4 (en) * | 2019-09-30 | 2024-01-24 | Aist | GLASS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62252341A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス焼結体 |
JPS62278145A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4413061A (en) * | 1978-02-06 | 1983-11-01 | International Business Machines Corporation | Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper |
JPS59176932U (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | 株式会社 石田衡器製作所 | 自動計量装置におけるホッパ |
JPS60254638A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置実装用ガラス−セラミツク基板 |
JPS61155243A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-14 | 富士通株式会社 | グリ−ンシ−ト組成物 |
US4655864A (en) * | 1985-03-25 | 1987-04-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions and method of forming a multilayer interconnection using same |
JPS62113758A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-25 | 株式会社住友金属セラミックス | 低温焼成セラミツクス |
US4731347A (en) * | 1986-03-21 | 1988-03-15 | Solar Turbines Incorporated | Glass frit composition |
JP2507418B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1996-06-12 | 旭硝子株式会社 | 回路基板用組成物 |
US4861646A (en) * | 1987-08-13 | 1989-08-29 | Ceramics Process Systems Corp. | Co-fired metal-ceramic package |
US4788046A (en) * | 1987-08-13 | 1988-11-29 | Ceramics Process Systems Corporation | Method for producing materials for co-sintering |
US4849380A (en) * | 1988-01-28 | 1989-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
-
1989
- 1989-10-19 US US07/423,367 patent/US5070046A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-17 EP EP19900119898 patent/EP0423752A3/en not_active Withdrawn
- 1990-10-17 CA CA002027900A patent/CA2027900A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-19 JP JP2279534A patent/JPH03257041A/ja active Pending
- 1990-10-19 KR KR1019900016672A patent/KR930002942B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62252341A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス焼結体 |
JPS62278145A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216300A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Toray Ind Inc | 絶縁ペーストおよびそれを用いた電子回路部品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910008741A (ko) | 1991-05-31 |
KR930002942B1 (ko) | 1993-04-15 |
CA2027900A1 (en) | 1991-04-20 |
US5070046A (en) | 1991-12-03 |
EP0423752A2 (en) | 1991-04-24 |
EP0423752A3 (en) | 1992-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03257041A (ja) | 誘電体組成物 | |
KR930002939B1 (ko) | 저유전 상수 및 저유전 손실을 갖는 결정성 조성물 | |
JP3327556B2 (ja) | 低誘電損失ガラス | |
US4867935A (en) | Method for preparing ceramic tape compositions | |
KR100840109B1 (ko) | 무연 유리, 후막 페이스트, 및 그로부터 제조된 테이프조성물 및 저온 동시소성 세라믹 소자 | |
EP1369402B1 (en) | Tape composition and process for constrained sintering of low temperature co-fired ceramic | |
JP3387531B2 (ja) | ガラスベースおよびガラス−セラミックベースの複合材料 | |
JPS61220203A (ja) | 誘電体組成物 | |
US4752531A (en) | Dielectric composition | |
US4849380A (en) | Dielectric composition | |
JPH0157054B2 (ja) | ||
KR100755547B1 (ko) | 유사-대칭으로 구성된 저온 동시소성 세라믹 구조체의 구속소결 방법 | |
JP4569000B2 (ja) | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 | |
WO1989001461A1 (en) | Co-sinterable metal-ceramic packages and materials therefor | |
US4961998A (en) | Dielectric composition having controlled thermal expansion | |
US5769917A (en) | Process for producing low shrink ceramic bodies | |
JPS62278145A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
CN103748048B (zh) | 用于低k、低温共烧复合材料(ltcc)带材的组合物以及由此形成的低收缩、多层ltcc结构 | |
US6258191B1 (en) | Method and materials for increasing the strength of crystalline ceramic | |
JPH0617249B2 (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
JPH07108832B2 (ja) | 低誘電率基板およびその製法 | |
KR0173233B1 (ko) | 저유전율 다층 세라믹 회로기판의 제조방법 | |
JP2000026163A (ja) | 低誘電率基板の製法 | |
US3801337A (en) | Sintering aids for producing alumina dielectric compositions cofireable with palladium | |
JPH0474751A (ja) | 多層セラミック配線基板の製造方法 |