KR900008432B1 - 고체 전해콘덴서 및 그것의 제조공정 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 발명은 고온에서 우수한 안정도를 갖는 고체 전해콘덴서에 관한 것이다. 고체 전해콘덴서소자는 일반적으로 다음과 같은 구조를 갖는다. 즉, 산화막층은 밸브작용을 갖는 금속으로 구성된 양(Positive)전극 기판위에 형성되며, 이산화망간과 같은 반도체 재질로 구성된 반도체층은 이러한 산화막층의 외부표면에 계수기전극으로 형성되며, 그리고 전도층은 접속저항을 감소시키도록 은(Silver) 페이스트 등을 사용하여 반도체층 위에 형성된다.
그러나 이 고체 전해콘덴서는, 콘덴서가 고온의 장기간 수명 테스트에 놓여질 경우, 손실계수가 시간의 경과에 따라 증가한다는 결점을 갖는다.
이러한 배경하에, 본 발명의 1차적인 목적은 고온에서 양호한 안정도가 장기간 유지될 수 있는 고체 전해콘덴서를 제공하는 데 있다.
특히, 본 발명의 한관점에 따라, 양전극기판위에 순서대로 형성된 밸브작용을 갖는 금속과 유전체 산화막으로 구성된 양전극기판, 반도체층 및 전기전도층으로 구성되는 고체 전해콘덴서에 있어서, 전기전도층은 주로 금속산화분말과 금속분말로 구성된 페이스트층이 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 따라, 밸브작용을 갖는 금속으로 구성된 양전극기판의 표면위에 순서대로, 유전체산화막, 반도체층 및 전기전도층을 형성하여 구성된 고체 전해콘덴서의 제조공정에 있어 개선을 제공하며, 이때 개선은 유전체 산화막위에 형성된 반도체층의 표면을 초음파 세척하고, 금속 산화분말 및 금속분말로 주로 구성된 페이스트층을 전기전도층으로 형성하는 것을 구성된다.
밸브금속기판이 본 발명의 고체 전해콘덴서의 양(Positive)전극으로 사용됨으로써 알루미늄, 탄탈, 티타늄과 그것들의 합금과 같은 밸브동작을 갖는 금속이 사용될 수 있다.
양전극 기판의 표면부분에 형성된 양전극자체의 산화물층 또는 양전극의 표면위에 형성된 또다른 유전체 산화물충이 양전극 기판의 표면위에 산화막층으로 사용될 수 있다. 양전극 밸브금속의 산화물로 구성된 층이 특히 바람직하다. 각 경우에, 공지방법인 예를들어, 액체 전해물을 사용한 양극(anodic) 형성방법이 산화물층 형성에 채택될 수 있다.
본 발명에 사용된 반도체층의 조성물 및 그것의 제조방법이 특별히 임계적인 것은 아니다. 그러나 콘덴서 성능을 증강시키기 위해, 바람직하게는 주로 이산화납 또는 이산화납과 환산납의 혼합물로 구성된 반도체층이 공지의 화학적 또는 전기화학적 증착방법에 따라 제조된다.
화학적 증착방법으로서, 예를들어, 반도체층이 납-함유 화합물과 산화제를 함유하는 반응모액으로 부터 증착되는 방법이 언급될 수 있다.
납-함유 화합물로서, 옥신, 아세틸아세톤, 피로메콘산, 살리실산, 알리자린, 아세트산 폴리비닐, 포르피린 화합물, 크라운 화합물 또는 크립데이트 화합물; 및 시트르산납, 아세트산납, 염기성 아세트산납, 염화납, 브롬화납, 과염소산납, 술파민산납, 핵사플루오르규산납, 브롬산납, 보로플루오로화납, 납아세테이트 하이드레이트 및 질산납과 같은 킬레이트-형성 화합물에 납원자가 배위-결합 또는 이온-결합되는 납-함유 화합물이 언급될 수 있다. 반응 모액으로 사용된 용매종류에 따라 적절한 납-함유 화합물이 선택된다. 물 또는 유기용매가 용매로서 사용될 수 있다. 상술한 납-함유 화합물의 2 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
반응모액에 있는 납-함유 화합물의 농도는 0.05몰/ℓ에서 포화용해도를 주는 농도까지, 바람직하게는 0.1몰/ℓ에서 포화용해도를 주는 농도까지, 특히 바람직하게는 0.5몰/ℓ에서 포화용해도를 주는 농도까지이다.
만일, 반응모색에 있는 납-함유 화합물의 농도가 0.05몰/ℓ 보다 낮을 경우, 양호한 성능을 갖는 고체 전해콘덴서가 얻어질 수 없다.
만일 반응모액에 있는 납-함유 화합물의 농도가 주어진 포화용해도의 레벨을 초과할 경우, 첨가된 납-함유 화합물의 양을 증가시킴에 의해 얻어진 이점이 없다.
산화제로서, 예를들어 퀴논, 클로라닐, 피리딘-N-옥사이드, 디메틸 술포사이드, 크롬산, 과망간산칼륨, 산화셀레늄, 아세트산수은, 산화바나듐, 염소산 나트륨, 염화제이철, 과산화수소, 표백분말 및 과산화벤조일 등이 언급될 수 있다.
산화제는 사용된 납-함유 화합물의 몰당 0.1 내지 5몰의 양으로 사용되는 것이 바람직하다.
만약 사용된 산화제의 양이 납-함유 화합물의 몰당 5몰 보다 클 경우, 경제적인 관점에서 얻어지는 이점이 없다.
만약 산화제의 양이 납-함유 화합물의 몰당 0.1몰 보다 작을 경우 유슈한 성능을 갖는 고체 전해콘덴서가 얻어질 수 없다.
주로 이산화납으로 구성된 반도체층을 형성하는 방법으로서, 납-함유 화합물의 용매가 산화제의 용매와 혼합되어 반응모액을 만들고, 그것의 표면위에 상술한 산화막을 갖는 양전극기판이 반응모액에 침지되어, 주로 이산화납으로 구성된 반도체를 ;화학적으로 증착하는 방법이 언급될 수 있다.
전기 화학적 증착방법으로, 예를들어 본 발명자에 의해 이전에 제안된 것과 같은(일본국 특원소 제61-26952호), 전해물산화에 의해 고온에서 납-함유 화합물을 함유물을 함유하는 액체 전해물로 부터 이산화납이 증착되는 방법이 언급될 수 있다.
만일 반도체층이 절연기판인 황산납 및 반도체로서 본래 작용하는 이상화납으로 주로 구성된 층일 경우, 콘덴서의 누설전류치는 이산화납의 혼입에 의해 감소될 수 있다.
반면에, 반도체층의 전기전도도는 황산납의 혼입으로 감소되므로, 손실계수치는 증가한다.
그러나, 본 발명에 따르면, 반도체층의 형성을 위해 이산화납만큼 황산납을 사용함에 의해, 결과 콘덴서의 성능은 종래 고체 전해콘덴서의 그것만큼 높은 레벨에서 유지될 수 있다는 것을 알 수 있다.
따라서, 형성된 반도체층에 있어서, 이산화납의 양은 적어도 10중량부이고 황산납의 양은 중량부인 광범위한 조성물비에서 우수한 콘덴서 성능이 명백해질 수 있다. 누설전류치와 손실계수치 사이의 균형의 관점에서, 바람직하게 이산화납의 양은 20 내지 50중량부,특히 25 내지 35중량부이고, 황산납의 양은 80 내지 50중량부, 특히 75 내지 65중량부이다.
만일 이산화납의 양이 10중량부보다 작을 경우, 전기전도도는 증가하고, 따라서 손실계수치도 증가하며, 더우기 충분한 정전용량이 얻어질 수 없다.
주로 이산화납과 황산납으로 구성된 반도체층은 반응모액으로서 납이온과 과황산 이온을 함유하는 수용액으로 부터 화학적 증착에 의해 형성될 수 있다. 게다가, 산화제가 없는 과황산 이온이 반응모액에 혼입될 수도 있다.
반응모액에 있는 납이온농도는 0.05몰/ℓ에서 포화용해도를 주는 농도가지, 바람직하게는 0.1몰/ℓ에서 포화용도를 주는 농도까지, 특히 0.5몰/ℓ에서 포화용해도를 주는 농도까지이다.
만일 반응모액에 있는 납이온 농도가 포화용해도의 레벨을 초과할 경우, 증가된 납이온의 양에 의해 얻어질 수 있는 이점이 없다.
만일 납이온 농도가 0.05몰/ℓ 보다 낮을 경우, 반응모액에 있는 납이온의 양이 너무 작으므로 증착 주파수는 불리하게 증가한다.
반응모액에 있는 과황산이온의 농도에 있어, 과황산이온과 납이온의 분자비는 0.05에서 5까지이다. 만약 과황산이온과 납이온의 분자비가 5 보다 클경우, 반응하지 않은 황산이온이 남게되며, 따라서 제조원자를 상승한다. 만약 과황산이온과 납이온의 분자비가 0.05 보다 낮을 경우, 비반응 납이온의 남게되며, 따라서 전기전도도가 나쁘게 된다.
납이온시이드를 주는 화합물로서, 예를들어 시트르산 납, 과연소산납, 질산납, 아세트산납, 염기성아세트산납, 염소산납, 술파민산납, 핵사플루오로규산납, 브롬산납, 염화납 및 브롬화납이 언급될 수 있으며, 이들 화합물중 2이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
과황산 이온시이드를 주는 화합물로서, 예를들어 과황산칼륨, 과황산나트륨 및 과황산암모늄등이 언급될 수 있으며, 이들 화합물중의 2이상의 혼합물이 사용될 수도 있다.
예를들어, 과산화수소, 하이포염소산칼슘, 아염소산칼슘, 염소산칼슘 및 과염소삼칼슘 등이 산화제로서 사용될 수 있다.
바람직하게, 소위 반도체층의 표면은 반도체층위에 전기전도층의 형성전에 초음파세척에 의해 세척된다. 물 또는 알코올과 같은 유기용매가 초음파세척용 매질로서 사용된다. 사용된 양전극기판의 종류와 형성된 반도체층의 종류 및 조성물에 따른 초음파 세척용 출력, 온도 및 시간과 다른 요인들은 초기실험의 결과에 따라 결정된다. 초음파세척이외에, 에틸알콜 또는 메틸알콜과 같은 유기용매세척 및 물세척 단계가 제조공정의 결합에서 채용될 수 있다. 이들 세척단계를 결합하여 초음파세척의 효과가 증가될 수 있다.
반도체층위에 형성된 전기전도층은 주로 금소기산화분말과 금속분말의 혼합물로 구성된 페이스트층이다. 반도체층을 형성하는 금속산화의 분말은 금속산화분말이 특별히 바람직하다. 게다가, 반도체층위에 형성된 전기전도층은 주로 반도체층을 형성하는 금속산화물과 금속염분말의 분말염분말의 분말혼합물 및 금속분말로 구성된 페이스트층이 될 수 있다.
금속산화물로서, 예를들어 이산화망간, 이산화주석, 이산화텅스텐, 이산화납, 제일산화구리, 제일산화아연, 제일산화니켈, 제일산화코발트, 이산화티타늄, 3산화 제이철, 티탄산바륨, 산화탄탈륨, 3산화 이바나듐 및 3산화 텅스텐이 언급될 수 있다.
이산화납이 전기전도도의 관점에서 특히 바람직하다. 금속분말로서, 예를들어 은분말, 금분말, 팔라듐분말, 구리분말, 니켈분말, 은-구리합금분말, 은-니켈 합금분말, 은-피복구리분말, 은-피복니켈분말, 은-피복탄산분말 및 그들의 합금분말들이 언급될 수 있다.
전기전도 페이스트의 전기전도도를 개선하기 위해, 바람직하게 금속분말은 입상형 또는 산호형을 가지나, 보통 구형 또는 유사한 구형을 갖는 금속분말이 사용될 수 있다.
바람직하게, 전기전도 페이스트의 형성용 금속분말과 혼합되는 금속산화분말의 일부가 금속염의 분말에 의해 대치된다. 금속염으로서, 예를들어 황산망간, 황산코발트, 황산납, 황산구리 및 황산니켈과 같은 황산염과 탄산망간과 같은 탄산염이 언급될 수 있다. 이들 염중에서 황산납이 가장 바람직하다.
바람직하게 전기면도 페이스트에 있는 금속분말에 대한 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물의 중량비는 1/6에서 6까지이다.
만일 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물양이 금속분말의 양의 1/6 보다 작을 경우, 고온에서 고체 전해콘덴서의 안정도가 감소하는 경향이 있다. 만일 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물 양이 금속분말의 양의 6배보다 많을 경우, 전기전도도가 감소하는 경향이 있다.
금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물과 금속분말의 혼합물의 동작은 다음과 같이 되는 것이 바람직하다고 가정된다. 즉, 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물의 전기전도도는 금속분말의 전기전도도의 약 1/100 내지 약 1/1,000이지만, 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물이 금속분말과 함께 페이스트에 침지될 때, 전기전도도는 금속분말 자체만을 침지하여, 얻어진 페이스트의 전기전도도만큼 감소되지 않는다. 고온에서의 안정도와 관련하여, 유기중합체 재질인 페이스트의 열팽창계수는 크며, 열스트레스의 발생을 방지하며, 이 계수를 감소시키는 것은 중요하다. 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물은 열팽창계수를 감소시키는 효과를 발휘한다.
금속산화분말과 금속염분말의 혼합물이 사용되는 곳에서, 바람직하게 혼합물에 있는 금속염분말의 비율은 70중량%까지, 특히 55중량%이다.
주성분으로서, 금속분말 및 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물을 구성하는 페이스트가 예를들어 이산화납의 금속분말을 혼합하거나, 이산화납, 황산납과 같은 절연납 화합물 및 금속분말을 혼합하여 제조되며, 이때 반도체층은 용매의 도움으로 된 적절한 수지 또는 올리고머와 함께 주로 이산화납으로 구성된다.
공지의 전기전도 페이스트용으로 사용된 임의의 수지 또는 올리고머는 수지 또는 올리고머로서 사용될 수 있다.
예를들어, 아크릴수지, 알키드수지, 플루오린수지, 비닐수지, 실리콘수지, 에폭시수지, 우레탄수지, 노보락수지 또는 레졸수지등이 언급될 수 있다. 사용된 수지 또는 올리고머가 그안에서 용해가능한 임의의 공지용매가 사용될 수 있다.
만일 수지 또는 올리고머가 액체일 경우, 용매가 사용될 필요가 없다. 더우기 가열경화성수지 또는 올리고머의 경우에, 액체함유 경화작용제는 분리되어 제조되고 액체가 적용시간에 페이스트내로 혼입되도록 방법이 채택될 수 있다.
페이스트에 있는 금속산화분말 또는 금속산화분말 및 금속염분말과 금속분말의 혼합물(이후 총괄하여 "분말"이라 함)비율은 바람직하게 35 내지 95중량%, 특히 바람직하게는 55 내지 95중량%이다.
만일 분말의 비율이 35중량% 보다 작을 경우, 페이스트의 전기전도도는 나빠진다. 만일 분말의 비율이 95중량%를 초과할 경우, 페이스트의 점착력은 약해진다. 각각의 경우에 고체 전해콘덴서의 성능은 떨어진다.
상술한 구조를 갖는 본 발명의 고체 전해콘덴서는 수지모울드, 수지케이스, 금속의 외부케이스 또는 수지디핑 또는 필름 라미네이팅에 의해 얻어진 외부케이싱에 의해 일반-목적의 콘덴서내에 형성된다.
이에 본 발명은 다음의 실시예들과 비교실시예들은 참고로 하여 상세히 서술될 것이다. 이들 실시예에서, 모든 "부(parts)"는 중량에 의한 것임에 주목하라.
(실시예 1)
2㎝의 길이와 0.5㎝의 폭을 갖는 알루미늄포일의 표면은 양전극으로 알루미늄포일을 사용한 교류전류에 의해 전기화학적으로 에칭되며, 양전극 터미날은 에칭된 알루미늄포일에 코ㅋ크되어 연결된다. 그 다음, 에칭된 알루미늄포일은 붕산과 붕산암모늄의 수용액에서 전기화학적으로 처리되어 알루미늄 산화막을 형성하며, 이때 약 1㎌/㎠의 정전용량을 갖는 저전압용의 에칭형성된 알루미늄포일이 얻어진다.
그다음 성형포일은 1몰/ℓ의 아세트산납 3수화물을 함유하는 수용액에 침지되며, 아세트산납 3수화물의 몰당 0.5몰의 양으로 과산화수소를 함유하는 묽은 수용액이 첨가된다. 포일은 1시간동안 정체된다.
성형포일에 증착된 이산화납층은 3분동안 물속에서 초음파 세척되어지며, 세척된 성형포일은 감압하에서 120℃ 건조된다.
성형포일은 용매로서 아세트산부틸에서 32 은분말부(parts), 60 이산화납부 및 8 우레탄수지부로 구성되는 페이스트에서 침지되며, 성형포일은 페이스트에서 꺼내져 100℃ 건조된다.
음(negative) 전극은 상술한 페이스트와 함께 포일에 연결되며, 개구는 수지로 밀봉되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(실시예 2)
양전극을 제외한 실시예 1에서 사용한 동일한 성형포일이 2.4몰/ℓ의 아세트산납 3수산화물을 함유하는 수용액과 4몰/ℓ의 과황산 암모늄을 함유하는 수용액의 액체혼합물(반응모액)에서 침지되며, 반응은 30분동안 80℃에서 수행된다. 그래서 유전체 산화막위에 형성된 아산화납과 황산납으로 구성된 반도체층은 3분동안 물에서 초음파 세척되어져, 감압하에서 120℃ 건조된다.
질량분석, X-ray 분석 및 적외선 분광기 분석에 의해 성형반도체층이 이산화납과 황산납으로 구성되고, 이산화납이 약 25중량%의 양으로 포함된 것을 확인한다.
그다음 30 은분말부, 60 이산화납부 및 10 아크릴수지부로 구성되는 페이스트가 반도체층위에서 피복 건조되며, 실시예 1에서 서술한 것과 같은 방식으로, 음전극이 연결되며 개구가 수지로 밀봉되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(실시예 3)
반도체층의 형성을 위해 0.05몰/ℓ의 과산화수소를 함유하는 수용액이 반응모액에 더 첨가된다는 것을 제외하고 실시예 2에서 서술한 것과같은 방법으로 반도체층이 제조된다. 반도체층이 이산화납과 황산납으로 구성되고, 이산화납이 약 50중량%의 양으로 포함된다는 것이 확인된다.
25 은분말부, 65 이산화납부 및 10 아크릴수지부로 구성되는 페이스트가 그위에 증착된 반도체층을 갖는 성형포일위에 피복건조되며, 후처리는 실시예 2에 서술된 같은 방법으로 수행되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(실시예 4)
실시예 2에서 서술된 같은 방법으로, 이산화납과 황산납으로 구성된 반도체층이 제조되며, 반도체층은 3분동안 물에서 초음파 세척한다. 이산화납이 25중량%의 양으로 포함된 것을 확인한다.
30 은분말부, 50 이산화납부, 10 황산납부 및 10 아크릴수지부로 구성되는 페이스트가 반도체층 위에 피복 건조되며, 실시예 1에서 서술한 같은 방법으로, 음전극이 연결되며 개구는 수지로 밀봉되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(비교 실시예 1)
이산화납이 페이스트에 첨가되지 않고 페이스트에 있는 은분말과 우레탄수지의 양이 각각 92부와 8부로 변경되는 것을 제외하고 실시예 1에서 서술된 같은 방법으로 고체 전해콘덴서가 제조된다.
(실시예 5)
초음파 세척이 수행되지 않는 것을 제외하고 실시예 1에서 서술된 같은 방법으로 고체 전해콘덴서가 제조된다.
(실시예 6)
약 0.5㎌/㎠의 정전용량을 갖는 저전압 콘덴서용 에칭되고 성형된 알루미늄포일이 얻어지도록 알루미늄 산화막의 두께가 변경되는 점을 제외하고 실시예 1의 과정이 반복된다.
그다음, 이산화납층이 알루미늄포일위에 형성되고 초음파가 반도체층의 세척에 가해지지 않는다.
(실시예 7)
양전극 터미날 리이드선을 제외하고, 실시예 6에 서술된 같은 방식으로 제조된 성형포일은 2.4몰/ℓ의 아세트산납 3수산물을 함유하는 수용액과 4몰/ℓ의 과황산암모늄을 함유하는 수용액의 액체혼합물(반응모액)에서 침지되며, 반응은 30분동안 80℃에서 수행된다. 유전체 산화막층위에 형성된 이산화납과 황산납으로 구성된 성형반도체층은 물로 세척되어 감압하에서 120℃ 건조된다.
질량분석, X-ray 분석 및 적외선 분광기분석에 의해 성형반도체층은 이산화납과 황산납으로 구성되고, 이산화납의 내용은 약 25중량%인 것을 확인한다.
그다음 50 은-피복 구리분말부, 40 이산화납부 및 10 아크릴수지부로 구성되는 페이스트가 반도체층 위에 피복건조되며, 실시예 1에 서술된 같은 방법으로, 음전극이 연결되며, 개구는 수지로 밀봉되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(실시예 8)
0.05몰/ℓ의 과산화수소를 함유하는 수용액이 반도체층-형성단계에서 반응모액에 첨가되는 것을 제외하고 실시예 7에서 서술된 같은 방법으로 반도체층이 제조된다. 반도체층은 이산화납과 황산납으로 구성되고, 이산화납의 내용이 50중량%임을 확인한다.
24 은분말부, 66 이산화납부 및 10 아크릴수지부로 구성되는 페이스트가 그위에 형성된 반도체층을 갖는 성형포일위에 피복 건조된다.
후처리는 실시예 7에 서술된 같은 방법으로 수행되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(실시예 9)
실시예 7에서 서술된 같은 방법으로 이산화납과 황산납으로 구성된 반도체층이 제조된다. 이산화납의 내용은 25중량% 임을 알 수 있다.
50 은-피복 구리분말부, 20 이산화납부, 20 황산납부 및 10 아크릴수지부로 구성되는 페이스트가 반도체층위에 피복건조되며, 실시예 6에 서술된 같은 방법으로 음전극이 연결되며, 개구가 수지로 밀봉되어 고체 전해콘덴서를 얻는다.
(비교실시예 2)
이산화납이 페이스트에 첨가되지 않고, 92은 분말부 및 8 우레탄수지부로 구성되는 페이스트가 사용된 것을 제외하고 실시예 6에 서술된 같은 방법으로 고체 전해콘덴서가 제조된다.
실시예 1 내지 9 및 비교실시예 1, 2에서 제조된 고체 전해콘덴서의 특성치가 표1에 총괄적으로 도시된다.
[표 1]
표1에 도시한 데이타로 부터 명백하듯이, 금속분말과 금속산화분말 또는 금속산화분말과 금속염분말의 혼합물을 함유하는 페이스트층을 반도체층으로서 갖는 고체 전해콘덴서가 고온에서 개선된 안정도와 우수한 성능을 가진다.
Claims (17)
- 양전극기판위에 순서대로 형성된, 밸브작용을 갖는 금속과 유전체 산화막을 포함한 양전극기판, 반도체층 및 전기전도층으로 구성된 고체 전해콘덴서에 있어서, 상기 고체 전해콘덴서는 전기전도층으로서 주로 금속산화분말과 금속분말을 포함한 페이스트층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제1항에 있어서, 금속분말의 양에 대한 금속산화분말의 양의 중량비는 1/6에서 6까지인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제1항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납을 포함한 층인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제1항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납과 황산납으로 구성된 층인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제1항에 있어서, 금속산화분말은 이산화납분말인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제1항에 있어서, 전기전도층은 주로 금속산화분말, 금속염분말 및 금속분말을 포함한 페이스트층인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제6항에 있어서, 금속분말의 양에 대한 금속산화분말과 금속염분말의 전체양의 중량비가 1/6에서 6까지이며, 금속염분말의 양이 금속산화분말과 금속염분말의 전체 양 기준으로 70중량%까지 올라가는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제6항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납을 포함하는 층이며, 전기전도층 금속산화물로서 이산화납과 금속염으로서 황산납을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 제6항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납과 황산납을 포함한 층이며, 전기전도층은 금속산화물로서 이산화납과 금속염으로서 황산납을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서.
- 밸브작용을 갖는 금속으로 구성된 양전극기판의 표면위에 순서대로 유전체 산화막, 반도체층 및 전기전도층 형성을 포함하는 고체 전해콘덴서의 제조공정에 있어서, 상기 제조공정은 유전체 산화막위에 형성된 반도체층의 표면을 초음파 세척하며, 그다음 전기 전도층으로서 주로 금속산화분말과 금속분말로 구성된 페이스트층을 세척된 표면위에 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제10항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납으로 구성된 층인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제10항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납과 황산납으로 구성된 층인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제10항에 있어서, 금속산화분말은 이산화납분말인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제10항에 있어서, 전기전도층은 금속산화분말, 금속염분말 및 금속분말로 구성된 페이스트층인 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제14항에 있어서, 금속분말의 양에 대한 금속산화분말과 금속분말의 전체양의 중량비는 1/6에서 6까지이며, 금속염분말의 양은 금속산화분말과 금속염분말의 전체양 기준으로 70중량%까지 올라가는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제14항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납을 포함한 층이며, 전기전도층은 금속산화물로서 이산화납과 금속염으로서 황산납을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
- 제14항에 있어서, 반도체층은 주로 이산화납과 황산납을 포함한 층이며, 전지전도층은 금속산화물로서 이산화납과 금속염으로서 황산납을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 제조공정.
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