KR900004865A - 열 경화성 수지 조성물, 수지 조성물을 사용한 인쇄 회로판 및 인쇄 회로판의 제조 방법 - Google Patents

열 경화성 수지 조성물, 수지 조성물을 사용한 인쇄 회로판 및 인쇄 회로판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

열경화성 수지 조성물, 수지 조성물을 사용한 인쇄회로판 및 인쇄회로판의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 양외부측에서 구리박으로 적층한 핀을 제조하는 공정단면도이고,
제2도는 내층 회로판을 제조하는 공정 단면도이고,
제3도는 다층 인쇄 회로판을 제조하는 공정도이다.

Claims (9)

  1. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 이루어진 열경화성 수지 조성물.
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다.
  2. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체 및 적어도 하나의 N-치환된 불포화 이미도 그룹을 가진 화합물로 이루어진 열경화성 수지 조성물.
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 대 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체의 혼합비가 중량으로 20:80 내지 80:20의 범위인 열경화성 수지 조성물.
  4. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 이루어진 열경화성 수지 조성물, 또는 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 이루어진 열경화성 수지 조성물, 또는 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물, 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체 및 적어도 하나의 N-치환된 불포화 이미도 그룹을 가진 화합물로 이루어진 열경화성 수지 조성물로 함침한, 무기섬유 또는 유기섬유의 직포 또는 부직포로 된 경화가능한 재료.
    A-R1-A (Ⅰ)
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다.
  5. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 이루어진 열경화성 수지 조성물로 함침시키고 경화한 섬유기재로 만든 절연층과 금속박의 전도체로 구성된, 인쇄 회로판,
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다.
  6. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체 및 적어도 하나의 N-치환된 불포화 이미도 그룹을 가진 화합물로 이루어진 열경화성 수지 조성물로 함침시키고 경화한 섬유개재로 만든 절연층 및 금속박의 전도체로 구성된, 인쇄회로판,
    A-R1-A (Ⅰ)
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다.
  7. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 이루어진 열경화성 수지 조성물로 함침시키고 경화한 섬유 기재로 만든 절연층과 금속박의 전도체로 된 인쇄회로판, 또는 각기 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물, 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 및 적어도 하나의 N-치환된 불포화 이미도 그룹을 가진 화합물로 이루어진 열경화성 수지 조성물로 함침시키고 경화한 섬유기재로 만든 절연층 및 금속박의 전도체로 된 인쇄회로판을 다수개 적층한 것으로 구성된, 다층 인쇄회로판.
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다.
  8. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체로 이루어진 열경화성 수지 조성물을 가열하여 프레폴리머를 형성시키는 단계,
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다; 프레폴리머를 용매에 용해하여 함침 바니쉬를 형성시키고, 섬유기재를 함침 바니수에 함침 시킨 다음 건조하여 프레프레그를 제조하는 단계; 얻어진 프레프레그 다수개를 적층하여 적층물을 얻고 이 적층물을 전도체 금속박과 함께 가열하면서 압착하는 단계로 이루어진 인쇄 회로판을 제조하는 방법.
  9. 일반식(I)의 시안에이트 화합물 또는 이소시안에이트 화합물 및 일반식(Ⅱ)의 폴리-(p-히드록시스티렌)유도체 및 적어도 하나의 N-치환된 불포화 이미도 그룹을 갖는 화합물로 이루어진 열경화성 수지 조성물을 가열하여 프레폴리머를 형성시키는 단게;
    상기식에서, R1은 방향족 그룹, 알리시클릭그룹 또는 이의 혼합 그룹이고, A는 시안에이트 그룹 또는 이소시안에이트 그룹이고, X는 불소원자, 브롬원자, 및 염소원자이고, R2는 각기 탄소수 2 내지 4의 알케닐 그룹 및 불포화 카복실 그룹이고, B는 중합개시제 잔기, 중합-종단화제 잔기, H 및중 어느 하나이고, m은 1 내지 4의 정수이고, n은 5 내지 100의 정수이다; 프레폴리머를 용매에 용해하여 함침바니쉬를 형성시키고 함침바니쉬에 섬유기재를 함침시키고 이어서 건조하여 프레프레그를 제조하는 단계; 얻어진 프레프레그 다수개를 적층하여 적층물을 얻고 이 적층물을 전도체 금속박과 함께 가열하면서 압착하는 단계로 이루어진 인쇄 회로판을 제조하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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