KR900004015A - 불휘발성 반도체 기억소자 - Google Patents
불휘발성 반도체 기억소자 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 기억소자의 셀 구조도.
Claims (2)
- 비트라인(1)과 플로팅게이트(4)사이의 플로팅게이트 산화막(6)을 통하여 전자를 주입/소거시켜서 프로그램/소거시키는 반도체 기억 장치에 있어서, 폴링게이트 산화막(6)의 구조를 한쪽 소오스/드레인 영역의 채널 상부에서는 두껍게 구성하는 다른 한쪽 소오스/드레인 영역에서는 얇게 구성하여 비트라인(1)과 플로팅게이트(4)사이에 순수한 터널영역(9)을 형성하므로써 상기 터널영역(9)을 통한 전자의 순수한 터널링에 의해 샐에 데이타를 프로그램/소거시키는 것을 특징으로하는 불휘발성 반도체 기억소자.
- 제1항에 있어서, 비트라인(1)과 플로팅게이트(4)사이에 형성되는 순수한 터널영역(9)은 그 두께가 약 100Å 인것을 특징으로하는 불휘발성 반도체 기억소자※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880010116A KR900004015A (ko) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 불휘발성 반도체 기억소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880010116A KR900004015A (ko) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 불휘발성 반도체 기억소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900004015A true KR900004015A (ko) | 1990-03-27 |
Family
ID=68137375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880010116A KR900004015A (ko) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 불휘발성 반도체 기억소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900004015A (ko) |
-
1988
- 1988-08-08 KR KR1019880010116A patent/KR900004015A/ko not_active Application Discontinuation
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