KR970003255A - 비휘발성 메모리 장치 - Google Patents

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Abstract

프로그램시 비선택된 셀의 동작을 방지하고, 낮은 프로그램 방지전압(Vpass)에서도 정상동작이 가능한 비휘발성 메모리장치에 관해 개시한다. 본 발명은 소오스 및 드레인을 서로 이웃하는 셀들과 공유하면서 직렬로 2개 이상 연결된 메모리셀 트랜지스터와 상기 메모리셀 트랜지스터의 타단에 직렬로 연결된 접지 선택 트랜지스터를 구비하는 제1스트링과, 상기 제1스트링과 비트라인 콘택을 통해 접속되는 제2스트링을 구비하며, 제1 및 제2스트링이 비트라인과 평행하게 반복되어형성되는 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 상기 각각의 스트링은 메모리셀 트랜지스터에 직렬로 연결된 하나 이상의 더미(dummy) 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면 더미(dummy)트랜지스터에 의해 낮은 프로그램 방지 전압(Vpass)하에서도 비선택된 셀의 문턱전위(Vth)를 낮추게 되고 프로그램시 오동작을 방지할 수 있다.

Description

비휘발성 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명에 의한 비휘발성 메모리 장치의 레이아웃도이다, 제8도는 제7도의 등가회로도이다.

Claims (5)

  1. 소오스 및 드레인을 서로 이웃하는 셀들과 공유하면서 직렬로 2개 이상 연결된 메모리셀 트랜지스터; 상기메모리셀 트랜지스터의 일단에 직렬로 연결된 스트링 선택 트랜지스터; 상기 메모리셀 트랜지스터의 타단에 직렬로 연결된 접지 선택 트랜지스터를 구비하는 제1스트링과, 상기 제1스트링과 비트라인 콘택을 통해 접속되는 제2스트링을 구비하며, 제1 및 제2스트링이 비트라인과 평행하게 반복되어 형성되는 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 상기 각각의 스트링은 메모리셀 트랜지스터에 직렬로 연결된 하나 이상의 더미(dummy) 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더미(dummy) 트랜지스터와 메모리셀 트랜지스터는 부유게이트와 제어게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두 개의 스트링을 연결하는 상기 비트라인 콘택은 상기 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터 사이에 구비함을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 기판에 형성된 채널로부터 상기 부유 게이트에 전자를 주입시키고 제거시키는 동작으로 F-N(Folwer Nordheim) 터널링(tunneling) 현상이 이용되는 메모리 셀과 더미(dummy) 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로하는 비휘발성 메모리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 더미(dummy) 트랜지스터의 제어게이트에 프로그램 전압(Vpgm)과 동일하거나 프로그램 방지 전압(Vpass)보다 높은 전압이 인가되어 프로그램시 비선택된 셀의 채널의 전위를 일정전압까지 부스팅시켜, 비선택된 셀의 문턱전압(Vth)의 증가를 방지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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