KR930006954A - 개선된 지속 특성을 갖는 전기적 소거가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(eeprom) - Google Patents

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KR930006954A
KR930006954A KR1019920016794A KR920016794A KR930006954A KR 930006954 A KR930006954 A KR 930006954A KR 1019920016794 A KR1019920016794 A KR 1019920016794A KR 920016794 A KR920016794 A KR 920016794A KR 930006954 A KR930006954 A KR 930006954A
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KR1019920016794A
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알란 쾰러 로스
Original Assignee
리차드 데이비드 로만
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0441Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing multiple floating gate devices, e.g. separate read-and-write FAMOS transistors with connected floating gates

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Abstract

개선된 지속 특성을 갖는 EEPROM
EEPROM은 기록 및 판독을 위해 별개의 채널용 사용함으로써 기록/소거 사이클의 회수의 관점에서 개선된 지속성을 실현한다. 별개의 채널을 공통 부유 게이트를 갖는다.

Description

개선된 지속 특성을 갖는 전기적 소거가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(EEPROM)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 디바이스의 한 실시예의 평면도, 제2도는 제1도의 선 A-A'에 대한 단면도.

Claims (5)

  1. 기판(1); 절연 물질(23)에 의해서 상기 기판(1)으로부터 떨어져 있는 전기적 전도 물질로 구성되는 부유 게이트(5); 및 부유 게이트(5) 내로의 전하 주입의 점이 판독채널(13)상에 있지 아니한 전기적 소거 가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리 (EEPROM)을 프로그래밍 및 판독하기 위한 제1 및 제2채널(13,15)로 구성된 전기적 소거 가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(EEPROM).
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2채널(13,15)이 프로그래밍 및 소거를 위하여 상기 제1 및 제2소오스/드레인 영역(1,1)사이의 영역의 다른 부분을 이용하는제1 및 제2소오스/드레인 영역(1,1)과 프로그램 및 판독게이트(9,7)로 각각 구성된 전기적 소거 가능 판독 전용 메모리(EEPROM).
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2채널(13,15)이 제1소오스/드레인 영역; 공통 프로그램/판독 게이트(31,37); 및 제2 및 제3소오스/드레인 영역(33,35)으로 구성되고, 상기 제1소오스/드레인 영역은 상기 제2 및 제3소오스/드레인(31,37)사이에 있고, 상기 제2 및 제1영역(31,33)과 상기 제1 및 제3영역(35,37) 사이의 영역은 상기 공통 프로그램/판독 게이트(39)에 의해 각각 프로그래밍 및 판독을 위해 사용되는 전기적 소거 가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(EEPROM).
  4. 제1항에 있어서, 상기 부유 게이트(5)는 분리 게이트(split gate)로 구성되어 있는 전기적 소거 가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(EEPROM).
  5. 제4항에 있어서, 절연 물질에 의하여 상기 부유 게이트(5)로부터 떨어져 있는 소거 게이트(11)를 더 구비하고 있는 전기적 소거 가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(EEPROM).
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920016794A 1991-09-25 1992-09-16 개선된 지속 특성을 갖는 전기적 소거가능 프로그램 가능 판독 전용 메모리(eeprom) KR930006954A (ko)

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US76563091A 1991-09-25 1991-09-25

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5818082A (en) * 1996-03-04 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. E2 PROM device having erase gate in oxide isolation region in shallow trench and method of manufacture thereof
JP2008257804A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Renesas Technology Corp 半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4114255A (en) * 1976-08-16 1978-09-19 Intel Corporation Floating gate storage device and method of fabrication
US4267558A (en) * 1979-01-05 1981-05-12 Texas Instruments Incorporated Electrically erasable memory with self-limiting erase
US4257056A (en) * 1979-06-27 1981-03-17 National Semiconductor Corporation Electrically erasable read only memory
JPS5929155B2 (ja) * 1979-11-12 1984-07-18 富士通株式会社 半導体記憶装置
DE3007892C2 (de) * 1980-03-01 1982-06-09 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Floating-Gate-Speicherzelle
US4608585A (en) * 1982-07-30 1986-08-26 Signetics Corporation Electrically erasable PROM cell
JPS59161873A (ja) * 1983-03-07 1984-09-12 Agency Of Ind Science & Technol 半導体不揮発性メモリ
JPS61115353A (ja) * 1984-11-12 1986-06-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPS62256476A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH1013772A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Fujitsu General Ltd 背面投写型ディスプレイ装置

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EP0534676A3 (en) 1993-09-15
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EP0534676A2 (en) 1993-03-31

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