KR900001458A - 땜납합금 및 이를 사용한 전자회로장치 - Google Patents

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료오헤이 사또오
무네오 오시마
후미유끼 고바야시
다까지 다께나까
도시따다 네쓰
미쓰구 시라이
히데아끼 사사끼
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미따 가쓰시게
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Abstract

내용 없음

Description

땜납합금 및 이를 사용한 전자회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 전자회로장치의 전체구성을 나타내는 사시도,
제2도는 땜납합금중의 Sn의 저온 변태의 유무를 조사하기 위한 신뢰성 평가시험을 설명하기 위한 사시도,
제3도는 마이그레이션(migration)의 발생의 유무를 조사하기 위한 신뢰성 평가시험을 설명하기 위한 사시도.

Claims (14)

  1. Pb : 0.01 내지 2.0중량%, Sb : 0.01 내지 0.5중량%중의 어느 한쪽 또는 양쪽과, Ag : 2.0 내지 8.0중량%과, Sn으로 이루어진 것을 특징으로 하는 땜납합금.
  2. Pb : 0.01 내지 2.0중량%, Sb : 0.01 내지 0.5중량%중의 어느 한쪽 또는 양쪽과, Ag : 2.0 내지 8.0중량%과, Sn으로 이루어진 땜납합금으로 접속한 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 이 땜납함금이 융점이 높은 순서로 열처리되어서 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  4. 제3항에 있어서, 배선판과 이 배선판에 삽입하는 접속핀과, 이 접속핀과 전기적으로 접속된 다층배선기판과, 이 다층배선기판상에 탑재된 반도체 소자와 이 반도체소자를 덮는 캡과 이 캡의 위에 탑재한 냉각핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  5. 제4항에 있어서, 이 캡과 이 다층기판과의 사이를 Pb-Sn계 땜납합금에 의해 접속시켜 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  6. 제4항에 있어서, 이 냉각판과 이 캡과의 사이를, Pb-Sn계 땜납합금에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  7. 제4항에 있어서, 이 접속핀과 이 다층배선기판과의 사이를 Ag 납에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  8. Pb, Sb중의 어느한쪽, 또는 양쪽과 Ag와 Sn으로 이루어지고 Sn의 저온 변태의 발생이 억제되는 동시에, Ag의 마이그레이션의 발생을 억제하고, Sn 위스커의 발생, 성장을 방지하고, 부식을 방지하는 조성으로 혼합한 땜납합금.
  9. Pb, Sb중의 어느한쪽, 또는 양쪽과 Ag와 Sn으로 이루어지고 Sn의 저온 변태의 발생을 억제하는 동시에, Ag의 마이그레이션의 발생을 억제하고, Sn 위스커의 발생, 성장을 방지하고, 부식을 방지하는 조성으로 혼합한 땜납합금으로 접속한 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  10. 제 9항에 있어서, 이 땜납합금이 융점이 높은 순서로 열처리되어 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  11. 제10항에 있어서, 배선판과, 이 배선판에 삽입하는 접속핀과, 이 접속핀과 전기적으로 접속된 다층배선기판과, 이 다층배선기판상에 탑재된 반도체소자와, 이 반도체소자를 덮는 캡과, 이 캡상에 탑재한 냉각판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  12. 제11항에 있어서, 이 캡과 이 다층기판과의 사이를 Pb-Sb계 땜납합금에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  13. 제11항에 있어서, 이 냉각판과 이 캡과의 사이를 Pb-Sb계 땜납합금에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
  14. 제11항에 있어서, 이 접속핀과, 이 다층배선기판과의 사이를, Ag 납에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010303A 1988-07-29 1989-07-20 땜납합금을 사용한 전자 회로장치 KR930002154B1 (ko)

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