KR890017545A - 반도체장치의 수지모울드의 외관검사방법과 그 외관검사장치 - Google Patents

반도체장치의 수지모울드의 외관검사방법과 그 외관검사장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치의 수지모울드의 외관검사방법과 그 외관검사장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 수지모울드의 외관검사장치의 구성을 나타낸 블럭도, 제 2 도는 광전변환수단과 제 1 피검체 화상메모리의 구성을 나타낸 모식도, 제 3 도는 모니터의 화면과 메모리 화상(PO)의 관계를 나타낸 도면.

Claims (2)

  1. 피검체인 반도체장치(11)에서의 수지모울드의 외관상을 광전변환기(10)를 이용하여 아나로그전기신호로 변환시킨 다음, 다시 디지탈신호로 변환시켜 제1피검체농담화상메모리(21)에 격납되는 피검체농담화상(PO)을 얻는 한편, 기준농담화상메모리(31R)에 격납되어 검사기준이 되는 상기 반도체장치(11)의 수지모울드의 외관상의 기준농담화상(32R ; R)을 준비한 다음, 그 기준농담화상(R)의 화소위치에 대응되는 상기 피검체농담화상(PO)의 화소위치를 2차원데이터의 상관계수계산회로로 구하고, 이어서 상기 기준 농담화상메모리(31R)의 화소배열과 실질적으로 등가인 화소배열을 갖는 제2피검체농담화상메모리(31P)의 화소위치에 그 위치에 대응하는 제1피검체농담화상메모리(21)의 화소위치의 화소의 농도데이터를 전송해서 피검체농담화상(P)을 구한 다음, 상기 화상(R) 및 화상(P)의 각 농도에 관한 상대돗수 및 누적상대돗수의 히스토그램을 작성하고, 기준농담화상(R)의 상대돗수 히스토그램과 피검체농담화상(P)의 상대돗수 히스토그램 및 기준농담화상(R)의 누적상대돗수 히스토그램과 피검체농담화상(P)의누적상대돗수 히스토그램을 전체 또는 지정농도범위로 잘라낸 각각의 히스토그램부분의 패턴의 일치도를 상관계수를 이용하여 검출하여, 이로부터 수지모울드의 결함을 검사하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 수지모울드의 외관검사방법.
  2. 조명장치에 의해 조사되는 피검체인 반도체장치(11)에서의 수지모울드의 외관상을 광전변환기(14)를 이용하여 아날로그전기신호로 변환하는 수단(10)과, 상기 아날로그전기신호가 디지탈전기신호로 변환된 피검체의 농담화상(PO)를 격납하는 제 1 피검체화상메모리(21), 기준이 되는 상기 반도체장치(11)에서의 수지모울드의 외관상의 기준농담화상(R)을 격납하는 기준농담화상(31R), 수평, 수직방향의 각각의 화소수 및 위치를 지정할 수 있도록 된 장방형의 윈도우와2차원데이터의 상관관계수계산회로 및 위치판정회로를 갖추고서 상기 기준농담화상(R)의 화소위치에 대응되는 상기피검체의 농담화상(Po)의 화소위치를 판정하는 위치검출수단(40), 상기 기준농담화상메모리(31R)의 화소배열과 실질적으로 등가인 화소배열을 갖는 제 2 피검체농담화상메모리(31P), 이 제2피검체농담화상메모리(31P)의 화소위치에 그 위치에 대응되는 제1피검체농담화상메모리(21)의 화소위치의 화소의 농도데이터를 전송해서 피검체농담화상(P)를 얻는 수단(50), 상기화상(R) 및 화상(P)의 농도의 레벨에 대응되는 어드레스를 갖추고서 각 어드레스에 화상(R) 및 화상(P)의 농도에 관한 상대돗수를 격납하는 1차원의 기준상대돗수 히스토그램메모리(60R) 및 1차원의 피검체상대돗수 히스토그램메모리(60P), 상기 화상(R) 및 화상(P)의 농도의 레벨에 대응되는 어드레스를 갖추고서 각 어드레스에 화상(R) 및 화상(P)의 농도에 관한누적상대돗수를 격납하는 1차원의 기준누적상대돗수 히스토그램메모리(70R) 및 1차원의 피검체누적상대돗수 히스토그램메모리(70P), 상기 기준상대돗수 히스토그램과 피검체상대돗수 히스토그램 및 기준누적상대돗수 히스토그램과 피검체누적상대돗수 히스토그램이 전체 또는 지정농도범위로 잘려진 각각의 히스토그램부분의 패턴의 일치도를 1차원데이터 상관계수계산회로에 의해 검출하는 히스토그램일치도 검출수단(80) 및, 기준 및 피검체 각각의 상기 히스토그램의 패턴의 일치도로부터 수지모울드의 결함을 검사하는 결함검사수단(90)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 수지모울드의 외관검사장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006231A 1988-05-10 1989-05-10 반도체장치의 수지모울드의 외관검사방법과 그 외관검사장치 KR920003932B1 (ko)

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803388B2 (ja) * 1991-04-26 1998-09-24 三菱電機株式会社 部品検査装置
US5793642A (en) * 1997-01-21 1998-08-11 Tektronix, Inc. Histogram based testing of analog signals
JP3793977B2 (ja) * 1997-01-30 2006-07-05 ソニー株式会社 画像照合装置
AU2005200A (en) * 1999-01-18 2000-08-01 Nikon Corporation Pattern matching method and device, position determining method and device, position aligning method and device, exposing method and device, and device and its production method
US6488405B1 (en) * 2000-03-08 2002-12-03 Advanced Micro Devices, Inc. Flip chip defect analysis using liquid crystal
JP4743805B2 (ja) * 2000-04-06 2011-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 外観検査方法および装置
US7151850B2 (en) * 2001-10-30 2006-12-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for setting teaching data, teaching data providing system over network
JP2003248008A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Inst Of Physical & Chemical Res 反応液の攪拌方法
JP4254204B2 (ja) * 2001-12-19 2009-04-15 富士ゼロックス株式会社 画像照合装置、画像形成装置及び画像照合プログラム
JP2003240521A (ja) * 2002-02-21 2003-08-27 Bridgestone Corp 被検体の外観・形状検査方法とその装置、及び、被検体の外観・形状検出装置
DE102005017642B4 (de) * 2005-04-15 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
JP5004478B2 (ja) * 2006-02-17 2012-08-22 日立造船株式会社 物体の判別方法および判別装置
KR100940301B1 (ko) * 2008-03-26 2010-02-05 호서대학교 산학협력단 마크 분할 검사 방법
JP7303720B2 (ja) * 2019-10-15 2023-07-05 ケミカルグラウト株式会社 地層構造解析システム及びプログラム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4472736A (en) * 1980-03-11 1984-09-18 Dainippon Ink And Chemicals Incorporated Lithographic reproduction original classification and color separation tone curve adjustment
US4484081A (en) * 1980-09-19 1984-11-20 Trw Inc. Defect analysis system
JPS57137978A (en) * 1981-02-20 1982-08-25 Toshiba Corp Pattern detecting device
JPH0722166B2 (ja) * 1982-09-22 1995-03-08 株式会社東芝 ダイボンダ等におけるペレツト認識方法
JPS6083328A (ja) * 1983-10-13 1985-05-11 Fujitsu Ltd フオトマスクの検査方法
GB8331248D0 (en) * 1983-11-23 1983-12-29 Kearney & Trecker Marwin Ltd Inspecting articles
JPS6342575A (ja) * 1986-08-08 1988-02-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 階調変換方法およびその装置
DE3750285T2 (de) * 1986-10-03 1995-03-30 Omron Tateisi Electronics Co Gerät zur Untersuchung einer elektronischen Vorrichtung in fester Baugruppe.

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EP0341685A2 (en) 1989-11-15
DE68924092D1 (de) 1995-10-12
JPH01284743A (ja) 1989-11-16
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US5568564A (en) 1996-10-22

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