KR890017387A - 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트의 제조방법 - Google Patents

텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (28)

  1. 적어도 티탄 분말의 일부를 수소화티탄 분말로 대치하는 것을 특징으로 하여 되는 텅스텐 분말과 티탄분말로부터 만든 텅세텐-티탄 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 수소화터탄 분말로 대치된 티탄 분말의 부분이 적어도 약 5중량%인 것을 특징으로 하는 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 수소화티탄으로 대치된 티탄 분말의 부분이 약 25 내지 100중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  4. (a) 스푸터링 타겟트를 만들기에 요망되는 모양과 크기의 공동을 가진 내열성 프레싱 금형이고 주형의
    공동내의 재료에 축방향 압착력을 가하기에 적합한 적어도 하나의 이동성 압축램을 가지는 금형을 제공하고,(b)텅스텐 분말, 수소화티탄 및 수소화티탄과 티탄으로 되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 되는 둘째 분말을 균일한 혼합물로 형성하기 위한 혼합단계, 상기한 둘째 분말 타겟트의 특성을 개량하기에 충분한 양으로 수소화티탄을 함유하고 , 상기한 혼합물이 텅스텐 분말과 둘째 부분에 대해서 비노달 입도분포를 가지며, 그리고 상기 혼합물이 스푸터링 타겟트의 요망되는 조성을 제공하기에 충분한 양으로 텅스텐 분말과 둘째 분말을 함유하며 ; (c) 상기 스푸터링 타겟트의 실질적인 크기를 가지는 압착품이 되도록 공동에 충분한 양의 혼합물을 가하고 ; (d) 첨가된 혼합물을 가지는 금형을 진공열간 프레스 버에 넣고 ; (e) 혼합물이 금형에 함유되기에 충분한 함유 압력이고, 이 압력을 적어도 하나의 램의 방법으로 금형내의 혼합물에 가하고 ;(f) 버와 금형을 적어도 약 10-4토르의 진공으로 비우며 : (g) 함유 압력을 유지하고 진공을 유지하면서 수소화티탄을 탈수소 하기에 그리고 알칼리 금속을 증발시키기에 충분한 첫째 온도로 버내의 금형과 혼합물을 가열하고 (h) 상기 혼합물로부터 실질적으로 가스와 알칼리 금속을 제거하기에 충분한 시간동안 상기 첫째 온도를 유지하고 ; (i) 상기 기밀압력과 진공을 유지하면서, 버내의 금속과 혼합물을 약 1350℃ 내지 1550℃범위의 둘째 온도로 가열하고 ; (j) 상기 혼합물의 압착품을 형성할 수 있는 둘째 온도에 이를때 상기한 적어도 하나의 램에 의해서 약 2000 내지 5000psi의 범위의 수치로 혼합물에 압착력을 가하고, 그 압착력의 수치가 상기한 스푸테링 타겐트의 모양과 크기에 의존화고 ; (k) 상기한 혼합물의 완전한 압착을 하기에 충분한 시간동안 상기한 둘째 온도에서 그리고 상기한 진공하에서 압착력을 유지하고 ; (l) 상기한 압착력을 풀고,(m)진공을 플고 : (n) 상기한 압착품의 스트레스를 풀기위해 금형을 약 300℃ 또는 그이하의 온도로 천천히 냉각시키고 , (0) 금형으로부터 냉각된 압착품을 꺼내고 그리고 (p) 개선된 특성을 가지는 스푸터링 타겟트를 획득하는 순서적 한계로 되는 실질적으로 텅스텐과 티탄으로 구성되고 개선된 특징을 가지는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 텅스텐 분말인 약 37 미크론 보다 적은 입경을 가지는 스푸터링 타겟트의 제조방볍.
  6. 제 4항에 있어서, 둘째 분말이 약 150미크른 보다 적은 입경을 가지는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  7. 제 4항에 있어서, 둘째 분말이 수소화티탄 분말을 적에도 약 5증량%를 함유하는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  8. 제 4항에 있어서, 둘째 분말이 수소화티탄 분발을 25 내지 100중량%의 범위의 양으로함유하는 타겟트의 제조방법.
  9. 제 4항에 있어서, 혼합물을 불활성 가스 하에서 실시하는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  10. 제 4항에 있어서, (e) 단계의 함유 압력이 약 1000 내지 1500psi의 범위내인 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  11. 제 4 항에 있어서, (g)단계내의 금형을 합유압력과 약 10-4내지 10-6토르 범위의 진공을 유지하면서 약1000℃와 첫째 온도에 약 20℃/분까지의 속도로 가열되는 스푸터링 타겟스트의 제조방법,
  12. 제 4항에 있어서, (i)단계내의 금형을 함유 압력과 악 10-4내지 10-6토르 범위의 진공을 유지하면서 약1375 내지 1450℃ 범위내의 둘째 온도에 약 20℃/분까지의 속도로 가열하는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  13. 제 4항에 있어서, 진공을 압착력을 풀고 난 후에 풀고, 동시에 영족 가스로 버를 다시 채우고, 냉각시에 영족 가스의 버내의 유통을 유지하여 금형을 약 20 내지 40℃/분은 축도로 냉각시키기에 충분하도록 하는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  14. 제13항이 있어서, 영족 가스가 헬륨인 스푸터링 타겟트의 제조방법,
  15. 제 4항에 있어서, 스푸터링 타겟트가 중량%로 실질적으로 텅스텐 90% 그리고 티탄 10%로 구성되는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  16. 제 4항에 있어서, 회수된 스푸터링 타겟트의 개선된 특성이 이른 밀도의 적어도 약 95%의 밀도, 실질적으로 기공이 없고, 전체 가스함량이 약 850ppm보다 적고, 탄소 함량이 약 100ppm보다 적으며 그리고 스푸터링시에 미분말화가 감소되는 것으로 구성되는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 밀도가 이론 밀도와 적어도 같은 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  18. 제 4항에 있어서, 금형의 두개의 반대되는 이동 프레싱 램을 가지는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  19. 제 4항에 있어서, 스푸터링 타겟트의 실질적인 크기를 가지는 냉각된 압착물을 요망되는 크기로 기계 작업하는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  20. (a) D50이 약 10미크론이고 D80이 약 18미크론을 가지는 C-10-형의 입도분포를 가지는 고순도 텅스텐 분말의 일정랑에, 고순도 수소화티탄 분말, 그리고 고순도 수소화티탄 분말과 고순도 티탄 분말로부터 되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구성되는 둘째 분말 그리고 둘째 분말인 혼합물을 만들기 위해 약 150미크론 보다 적은 입도를 가지는, 그러고 둘째 분말이 수소화티탄을 약 25 내지 100중량%의 범위로 함유하며, 상기한 둘째 분말의 양이 요망되는 조성의 스푸터링 타겟트를 제공하기 위해 충분한 양으로 혼합되고 (b) 상기한 흔합물을 혹연 금형의 공동에 넣고, 상기한 금형은 상부 이동성, 고정성, 흑연 램과 하부 이등성,고정성, 흑연성 램이 있어 반대되는 방향에서 공동내의 혼합물에 축압착력을 가할 수 있고, 금형은 스푸터링 타겟트의 실질적으로 요망되는 크기와 모양을 가지며, 그리고 혼합물의 양은 압착했을때 요망되는 크기와 요망되는 조성을 실질적으로 압착물에 제공하기에 충분하게 하고 : (c) 배기와 가열에 적합한 버내에 첨가된 혼합물을 가진 금형에 넣고 : (d) 적어도 하나의 램을 이동시켜서 금형중의 상기 혼합물에 약 100 내지 1500psi범위의 수치로 함유압력을 가하고 : (e) 버와 금형을 약 10-4내지 10-6토르 범위의 진공으로 배기하고 : (f)버내의 혼합물이 가해진 금형을 함유 압력을 유지하고 배기를 계속하면서 약 1100℃의 첫째 온도에 약 20℃/분의 속도까지 가열하고 ; (g) 함유 압력을 유지하면서 그리고 배기를 계속하면서, 흔합물이 가해진 금형을 가스와 알칼리 금속을 혼합물로부터 실질적으로 제거하기에 충분한 시간동안 첫째온도에서 유지하고 : (h) 혼합물이 가해진 금형을 함유 압력을 유지하고 약 10-4내지 10-6토르 범위의 진공을 유지하면서 약 1375 내지
    1450℃ 범위의 둘째 온도에 약 20℃/분까지의 속도로 가열하고 , (i) 압착력은 스푸터링 타겟트의 모양과 크기에 의해 결정되는 수치이고, 혼합물을 압착물의 형태를 만들기 위해 약 2000 내지 5000psi 범위의 수치를 가지는 압착력을 적어도 하나의 램을 이동시킴에 의해 축력을 증대시켜서 혼합물에 압착력을 가하고 ; (j) 램의 이동이 없고, 혼합물의 완전한 압착이 될때까지 압착력, 둘째온도 및 진공을 유지하고 ; (k) 램을 위치에 고정시키고 : (1) 압착력을 풀고 : (m) 진공을 풀면서 동시에 버를 헬륨으로서 다시 채우고 : (n) 버를 통해 헬륨의 유통을 유지하며, 금형과 압착물을 약 20 내지 40℃/분 범위의 속도로 약 50℃에 냉각하고 , (o) 금형으로부터 냉각된 압착물을 제거하고 (p) 스푸터링 타겟트의 실질적인 크기를 가지는 압착물을 요망되는 크기로 기계 작업하고 : (q) 이론치 밀도의 적어도 약 95%의 밀도, 산소, 수소 및 질소의 합계 가스 함량이 약 850ppm보다 낮고, 약 100ppm보다 적은 탄소함량, 실질적으로 기공도가 없고 스푸터링시 미분할화가 낮은 특성을 가지며 그리고 요망되는 크기의 스푸터링 타겟트를 회수하는 단계들의 순서 단계로 되는 실질적으로 텅스텐과 티탄으로 구성되고 개선된 특성을 가지는 미리 예정된 모양과 크기를 가진 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 스푸터링 타겟트가 실질적으로 텅스텐 90중량% 그리고 티탄 10중량%로 구성되는 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서, 둘째 분말이 수소화된 분말 100중량%로 실질적으로 구성된 스푸터링 타겟트의 제조방법.
  23. 첨구범위 제 4항의 방법에 의해서 만든 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트.
  24. 청구범위 제15항의 방법에 의해서 만든 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트.
  25. 청구범위 제16항의 방법에 의해서 만든 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트.
  26. 청구범위 제20항의 방법에 의해서 만든 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트.
  27. 청구범위 제21항의 방법에 의해서 만든 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트.
  28. 청구범위 제22항의 방법에 의해서 만든 텅스텐-티탄 스푸터링 타겟트.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890007254A 1988-05-31 1989-05-30 텅스텐-티탄 스퍼터링 타겟트의 제조방법 KR960011244B1 (ko)

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