KR890009084A - 리세트 신호 발생 회로 - Google Patents

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야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

리세트 신호 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 리세트 신호 발생회로의 동작원리를 설명하기 위한 불록도.
제5도는 본 발명에 따른 리세트 신호 발생회로에 적용된 반도체 장치의 블록도.
제6도는 본 발명에 따른 리세트 신호 발생회로의 한 실시예를 도시하는 회로도.

Claims (8)

  1. 리세트 신호 발생회로에 있어서, 전원 전압을 분압하기 위한 전압 분압 수단과, 상기 전압 분압 수단으로부터의 분압 전압에 따라 제어되고, 전원 전압이 임의의 상승속도로 소정치 부근의 값에 상승할때에 “ON”되는 첫번째 스윗칭 수단과, 상기 첫번째 스윗칭 수단의 출력 신호에 따라 제어되고, 상기 첫번째 수윗칭 수단이 “ON”되는 동안에 “ON”되는 두번재 스윗칭 수단과, 상기 두번째 스위칭 수단이 “ON”되는 첫번째 시간부터 충전 동작을 시작하도록 상기 두번째 스위칭 수단의 출력 신호가 공급되는 캐패시터로 구성되고, 상기 첫번째 시간부터 두번째 시간까지의 일정기간 동안에는 리세트 신호를 출력하고, 상기 두번째 시간이후에는 리세트 신호의 출력을 정지하는 충전과 방전 수단등으로 구성되는 리세트 신호 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 첫번째 스윗칭 수단이 전원 전압을 공급하는 스윗치와, 상기 스윗치와 접지 전압 사이에 결합된 부하로 구성되고, 상기 첫번재 스윗칭 수단이 “ON”될때에 상기 스윗치가 상기 첫번째 스위칭 수단의 출력 전압으로서 전원 전압을 출력하는 리세트 신호 발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두번째 스윗칭 수단이 상기 첫번째 스윗칭 수단의 출력 신호에 의하여 제어되고, 상기 첫번째 수단이 “ON”됨과 동시에 출력 신호를 출력하는 리세트 신호 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 두번째 스윗칭 수단이, 상기 첫번째 스윗칭 수단의 출력 신호가 공급되는 소오스를 갖는 금속산화물 반도체(MOS)트랜지스터와, 상기 첫번째 스윗칭 수단의 출력 신호가 공급되는 첫번째 인버터와, 전원 전암이 공급되는 한 단자와 상기 첫번째 인버터의 출력 단자에 결합된 다른 단자가 있는 첫번째 캐패시터와, 상기 첫번째 인버터의 출력 신호가 공급되는 두번째 인버터와, 상기 두번째 인버터의 출력 단자에 결합된 한 단자와 접지에 결합된 다른 단자가 있는 두번째 캐패시터로 구성되고, 상기 두번째 인버터의 상기 출력 단자가 상기 MOS트랜지스터의 드레인으로부터 얻어지는 리세트 신호 발생회로.
  5. 제4항에 있어서, 전원 접압이 상기 두번째 시간 이후의 어떤 값아래에서 하강할때에 상기 충전과 방전 수단이 방전 동작을 시작하고, 상기 첫번째 스윗칭 수단이 전원 전압을 공급하는 스윗치와, 상기 스윗치와 접지 사이에 결합된 부하로 구성되고, 상기 스윗치가, 상기 첫번째 스윗칭 수단이 “ON”될 때에 상기 첫번째 스위칭 수단의 출력 신호로서 전원 전압을 출력하고, 상기 캐페시터의 전하가 상기 MOS트랜지스터의 pn접합과 상기 부하를 통하여 접지로 방전되는 리세트 신호 발생회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 충전과 방전 수단에 상기 캐피시터의 출력 신호에 따라 논리 동작을 수행하여 리세트 신호를 출력하는 논리 회로가 더 포함되는 리세트 신호 발생회로.
  7. 제7항에 있어서, 상기 충전과 방전 수단이, 상기 캐피시터의 단자 전압이 상기 논리 회로의 입계값에 도달할 때까지 리세트 신호를 연속적으로 출력하는 리세트 신호 발생회로.
  8. 제1항에 있어서, 반도체 장치 내에 반도체 장치의 내부 회로가 제공되고, 상기 리세트 신호가 그 내부 회로에 공급되는 리세트 신호 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880015024A 1987-11-18 1988-11-15 리세트 신호 발생회로 KR910006471B1 (ko)

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