KR900002560A - Mos 타이머회로 - Google Patents

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KR900002560A
KR900002560A KR1019880008953A KR880008953A KR900002560A KR 900002560 A KR900002560 A KR 900002560A KR 1019880008953 A KR1019880008953 A KR 1019880008953A KR 880008953 A KR880008953 A KR 880008953A KR 900002560 A KR900002560 A KR 900002560A
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capacitor
circuit
timer
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mos
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KR1019880008953A
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Inventor
최진환
임영호
도재영
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

MOS 타이머회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 대한 타이머회로의 전체블럭도,
제 2 도는 본 발명의 회로도에 대한 각부 타이머시크널 파형도,
제 3 도는 본 발명에서 사용되는 충·방전회로의 일실시도.

Claims (3)

  1. 대용량의 캐패시터(C)를 타이머동작전에 고전압으로 충전시키고 타이머동작시 접지전위로 방전시키는 충방전 제어회로(3)와, 일정한 레벨의 고전위를 검출하여 캐패시터(C)의 충전을 멈추고 방전을 시작하는 고레벨 감지회로(4)와, 캐패시터(C)가 일정레벨 이하로 방전되는 것을 검출하여 타이머의 동작 종료를 제어하는 저레벨 감지부(6)와, 방전용 MOS트랜지스터(M1)(M4)에 연결되고 캐패시터(C)의 방전속도를 결정하는 바이어스회로(5)와로 구성된 MOS 타이머회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 충방전제어회로(3)는, MOS트랜지스터(M11)(M12)의 출력측과 MOS트랜지스터(M2)의 게이트측 사이에 펌프회로(2)를 구성시켜 전원보다 높은전압이 캐패시터의 충전전압으로 상용할 수 있게한 MOS타이머회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 바이어스회로(5)는 타이머인에이블신호(PGM)를 반전시키는 인버터(I5)와, 이 인버터에 연결된 MOS트랜지스터(M21)(M22)의 출력측에 구성된 공핍형 트랜지스터(M5)와, 공핍형 트랜지스터(M5)의 게이트측이 공접되어 커런트미러로 연결된 MOS트랜지스터(M6)로 구성시켜 공핍형 트랜지스터(M5)의 포화전류로써 캐패시터(C)의 방전전류가 결정되게한 MOS타이머회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880008953A 1988-07-18 1988-07-18 Mos 타이머 회로 KR910005608B1 (ko)

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US9287770B1 (en) 2014-09-04 2016-03-15 Martin Kanner Analog timer circuit with time constant multiplication effect
US9631838B2 (en) 2015-02-04 2017-04-25 Martin Kanner Boiler control comprising analog up/down timer circuit for generating variable threshold signal

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