KR890004174A - 자성검출장치 - Google Patents

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KR890004174A
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요시미 요시노
겐이찌 아오
이찌로오 이자와
도시가즈 아라스나
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오까베 다까시
닛뽕 덴소오 가부시기 가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

자성검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 자성검출장치에 대한 제 1 실시예를 도시한 단면도. 제 2 도는 종래의 자성검출장치의 구조를 도시한 구조도. 제 3 도는 본 발명자가 실시한 실험에 사용된 바 있는 프로토 트이프(prototype)의 본 발명에 따른 자성검출장치의 단면도.

Claims (10)

  1. 기판(1)과, 기판(1)상에 형성되며, 불순물을 함유하는 절연막(5)과, 절연막(5)상에 형성되는 강자성 자기저항 소자(10)등으로 구성되는 자성검출장치에 있어서, 강자성 자기저헝소자(10) 밑에 형성되는 절연막(5)의일부는 일정치 미만의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 자성 검출장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 불순물은 인(P)이고, 전연막(5)의 상기 일정불순물 농도는 5 P2O5몰%의 인농도인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 불순물은 비소(AS)이고, 전연막(5)의 상기 일정불순물 농도는 1×10-17cm-3의 비소농도인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막(5)의 표면거칠기는 120Å미만인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 강자성 자기저항소자(10)에 전기적으로접속되는 박막으로 된도전선(9)이 상기 절연막(5)상에 형성되며, 도전선(9)과 강자성 자기저항소자(10)간의 접촉면과 절연막(5)의 표면간의 각도는 78˚미만인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  6. 제 1 항, 제 4 항, 제 5 항에 있어서, 절연막(5)에 함유되는 불순물은 인, 붕소(B)비소중에서 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 절연막(5)은 이산화규소와 질화규소중에서 선택한 물질로 만든 막인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  8. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,강자성 자기저항소자(10)는 주성분으로서 Ni을 함유하는 박막인 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 강자성 자기저항소자(10)는 Ni-Fe 합금과 Ni-Co 합금중에서 선택된 금속합금으로 된 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
  10. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 강자성 자기저항소자(10)로부터 출력된 신호를 처리하는 집적회로로된 처리회로가 강자성 자기저항소자(10)가 형성된 동일기판(1)상에 포함되고, 절연막(5)은 상기 처리회로가 위치한 부위까지 연장되어 절연막으로서 작용하고, 절연막(5)은 상기 처리회로의 콜렉터 영역을 형성하는 확산영역 내에 포함된 불순물과 동일한 불순물을 함유하는 것을 특징으로 하는 자성검출장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880010644A 1987-08-21 1988-08-22 자성검출장치 KR910007387B1 (ko)

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