JPH0677557A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0677557A JPH0677557A JP4203727A JP20372792A JPH0677557A JP H0677557 A JPH0677557 A JP H0677557A JP 4203727 A JP4203727 A JP 4203727A JP 20372792 A JP20372792 A JP 20372792A JP H0677557 A JPH0677557 A JP H0677557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetoresistive element
- magnetic sensor
- circuit device
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、混成集積回路装置、特に、磁気
センサ例えば磁気抵抗素子を使用し、磁気抵抗素子の位
置精度が高く、精確な微小変位を検出することができる
混成集積回路装置を得ることを目的とする。 【構成】 厚膜基板１上には、写真製版技術を用いて磁
気抵抗素子２Ａが直接形成されている。また、厚膜基板
１上には、磁気抵抗素子２Ａの制御回路であるＩＣ４が
設けられている。これらの磁気抵抗素子２Ａ及びＩＣ４
は、配線導体５により電気的に接続されている。
センサ例えば磁気抵抗素子を使用し、磁気抵抗素子の位
置精度が高く、精確な微小変位を検出することができる
混成集積回路装置を得ることを目的とする。 【構成】 厚膜基板１上には、写真製版技術を用いて磁
気抵抗素子２Ａが直接形成されている。また、厚膜基板
１上には、磁気抵抗素子２Ａの制御回路であるＩＣ４が
設けられている。これらの磁気抵抗素子２Ａ及びＩＣ４
は、配線導体５により電気的に接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、混成集積回路装置、
特に、磁気センサ例えば磁気抵抗素子（Magnetic Resis
tor Element）を使用した混成集積回路装置に関するも
のである。
特に、磁気センサ例えば磁気抵抗素子（Magnetic Resis
tor Element）を使用した混成集積回路装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の混成集積回路装置を示す
概略構成図であり、図８はその側面図である。なお、図
８においては、ＩＣの図示は省略してある。これらの図
において、基板例えば厚膜基板１上には、磁気センサ例
えば樹脂モールドされた磁気抵抗素子２が半田３により
実装されている。また、厚膜基板１上には、磁気抵抗素
子２の制御回路であるＩＣ（集積回路）４が設けられて
おり、これらの磁気抵抗素子２及びＩＣ４は、配線導体
５により電気的に接続されている。
概略構成図であり、図８はその側面図である。なお、図
８においては、ＩＣの図示は省略してある。これらの図
において、基板例えば厚膜基板１上には、磁気センサ例
えば樹脂モールドされた磁気抵抗素子２が半田３により
実装されている。また、厚膜基板１上には、磁気抵抗素
子２の制御回路であるＩＣ（集積回路）４が設けられて
おり、これらの磁気抵抗素子２及びＩＣ４は、配線導体
５により電気的に接続されている。
【０００３】従来の混成集積回路装置は上述したように
構成され、磁気抵抗素子２を使用した無接触型ポテンシ
ョンメーターなどは、外部から交叉する磁束量に応じ
て、磁気抵抗素子２がその抵抗値を変化させるものであ
る。無接触型ポテンションメーターは、その可動部分に
おける摺動抵抗が極めて小さいことから、微小変位を検
出、測定する精密機器の検出部分に広く利用されてい
る。
構成され、磁気抵抗素子２を使用した無接触型ポテンシ
ョンメーターなどは、外部から交叉する磁束量に応じ
て、磁気抵抗素子２がその抵抗値を変化させるものであ
る。無接触型ポテンションメーターは、その可動部分に
おける摺動抵抗が極めて小さいことから、微小変位を検
出、測定する精密機器の検出部分に広く利用されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような混成集
積回路装置では、磁気抵抗素子２が半田付により厚膜基
板１に実装されるため、磁気抵抗素子２の厚膜基板１に
対する位置決めが精度良く行えず、精確な微小変位を検
出、測定できないという問題点があった。すなわち、従
来、磁気抵抗素子２と厚膜基板１とをリードを介して半
田付していたためにずれが生じ、従って、磁気抵抗素子
２に発生する磁界の方向、角度にずれが生じるために、
精確な微小変位を検出できなかったという問題点があっ
た。この発明は、このような問題点を解決するためにな
されたもので、磁気抵抗素子２の位置精度を高め、精確
な微小変位を検出することができる混成集積回路装置を
得ることを目的とする。
積回路装置では、磁気抵抗素子２が半田付により厚膜基
板１に実装されるため、磁気抵抗素子２の厚膜基板１に
対する位置決めが精度良く行えず、精確な微小変位を検
出、測定できないという問題点があった。すなわち、従
来、磁気抵抗素子２と厚膜基板１とをリードを介して半
田付していたためにずれが生じ、従って、磁気抵抗素子
２に発生する磁界の方向、角度にずれが生じるために、
精確な微小変位を検出できなかったという問題点があっ
た。この発明は、このような問題点を解決するためにな
されたもので、磁気抵抗素子２の位置精度を高め、精確
な微小変位を検出することができる混成集積回路装置を
得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る混成集積回路装置は、磁気センサを写真製版技術
により基板上に形成したものである。
に係る混成集積回路装置は、磁気センサを写真製版技術
により基板上に形成したものである。
【０００６】また、この発明の請求項第２項に係る混成
集積回路装置は、フリップチップ型の磁気センサを融着
技術により基板上に実装したものである。
集積回路装置は、フリップチップ型の磁気センサを融着
技術により基板上に実装したものである。
【０００７】
【作用】この発明の請求項第１項においては、磁気セン
サを写真製版技術により直接基板上にパターニングして
形成できるので、磁気センサを高い位置精度で基板に実
装することができる。
サを写真製版技術により直接基板上にパターニングして
形成できるので、磁気センサを高い位置精度で基板に実
装することができる。
【０００８】この発明の請求項第２項においては、フリ
ップチップ型の磁気センサを融着技術により複数個のバ
ンプによって基板上に実装しているので、磁気センサを
高い位置精度で基板に実装することができる。
ップチップ型の磁気センサを融着技術により複数個のバ
ンプによって基板上に実装しているので、磁気センサを
高い位置精度で基板に実装することができる。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による混成集積
回路装置を示す概略構成図である。なお、各図中、同一
符号は同一又は相当部分を示している。図において、基
板例えばセラミック基板などの厚膜基板１上には、写真
製版技術を用い磁気センサとして磁気抵抗素子２Ａが直
接形成されている。また、厚膜基板１上には、磁気抵抗
素子２Ａの制御回路であるＩＣ４が設けられている。こ
れらの磁気抵抗素子２Ａ及びＩＣ４は、配線導体５によ
り電気的に接続されている。
回路装置を示す概略構成図である。なお、各図中、同一
符号は同一又は相当部分を示している。図において、基
板例えばセラミック基板などの厚膜基板１上には、写真
製版技術を用い磁気センサとして磁気抵抗素子２Ａが直
接形成されている。また、厚膜基板１上には、磁気抵抗
素子２Ａの制御回路であるＩＣ４が設けられている。こ
れらの磁気抵抗素子２Ａ及びＩＣ４は、配線導体５によ
り電気的に接続されている。
【００１０】図２は、磁気抵抗素子２Ａを示す平面図で
あり、磁気抵抗素子２Ａには、ＭＲＥ回路を形成する強
磁性体６が設けられており、端子７が接続されている。
この強磁性体６は、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｉｎ−Ａｌ等
の材料が用いられている。また、図３は、磁気抵抗素子
２Ａの概略断面図であり、磁気抵抗素子２Ａは、厚膜基
板１上に形成されたガラス８上に形成されており、磁気
抵抗素子２Ａの表面には、その表面保護のために保護ガ
ラス９が形成されている。
あり、磁気抵抗素子２Ａには、ＭＲＥ回路を形成する強
磁性体６が設けられており、端子７が接続されている。
この強磁性体６は、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｉｎ−Ａｌ等
の材料が用いられている。また、図３は、磁気抵抗素子
２Ａの概略断面図であり、磁気抵抗素子２Ａは、厚膜基
板１上に形成されたガラス８上に形成されており、磁気
抵抗素子２Ａの表面には、その表面保護のために保護ガ
ラス９が形成されている。
【００１１】上述したように構成された混成集積回路装
置においては、写真製版技術により磁気抵抗素子２Ａを
直接厚膜基板１上に高い位置精度で形成できる。すなわ
ち、磁気抵抗素子２Ａを厚膜基板１に対して直接パター
ニングできるため、位置精度を極めて高くすることがで
きる。従って、混成集積回路装置を無接触型ポテンショ
ンメーターとして使用して微小変位を検出、測定する場
合、精確に微小変位を検出、測定することができる。
置においては、写真製版技術により磁気抵抗素子２Ａを
直接厚膜基板１上に高い位置精度で形成できる。すなわ
ち、磁気抵抗素子２Ａを厚膜基板１に対して直接パター
ニングできるため、位置精度を極めて高くすることがで
きる。従って、混成集積回路装置を無接触型ポテンショ
ンメーターとして使用して微小変位を検出、測定する場
合、精確に微小変位を検出、測定することができる。
【００１２】なお、上述した実施例では、写真製版技術
により厚膜基板１上に直接磁気抵抗素子２Ａを形成した
ものを示したが、図４及び図５に示すように、磁気抵抗
素子２Ｂをフリップチップで形成し、これを融着技術を
用いて複数個のバンプ１１により厚膜基板１に実装して
も良く、上述と同様な効果を奏する。この場合、強磁性
体６は、ガラス基板１０に形成されており、強磁性体６
と配線導体５とは、バンプ１１により電気的に接続され
ている。また、複数個のバンプ１１を同時に融着するこ
とができるので、ずれを生じることなく精確な位置決め
を行うことができる。
により厚膜基板１上に直接磁気抵抗素子２Ａを形成した
ものを示したが、図４及び図５に示すように、磁気抵抗
素子２Ｂをフリップチップで形成し、これを融着技術を
用いて複数個のバンプ１１により厚膜基板１に実装して
も良く、上述と同様な効果を奏する。この場合、強磁性
体６は、ガラス基板１０に形成されており、強磁性体６
と配線導体５とは、バンプ１１により電気的に接続され
ている。また、複数個のバンプ１１を同時に融着するこ
とができるので、ずれを生じることなく精確な位置決め
を行うことができる。
【００１３】また、図６に示すように、半導体基板１２
を用い、強磁性体を形成する拡散層１３を半導体基板１
２に形成した磁気抵抗素子２Ｃを用いて混成集積回路装
置としてもよい。拡散層１３とバンプ１１とは、例えば
アルミニウム配線１４によって電気的に接続されてい
る。さらに、磁気抵抗素子２Ａ、２Ｂ、２Ｃの代わり
に、ホール素子を用いることも可能である。
を用い、強磁性体を形成する拡散層１３を半導体基板１
２に形成した磁気抵抗素子２Ｃを用いて混成集積回路装
置としてもよい。拡散層１３とバンプ１１とは、例えば
アルミニウム配線１４によって電気的に接続されてい
る。さらに、磁気抵抗素子２Ａ、２Ｂ、２Ｃの代わり
に、ホール素子を用いることも可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項第１項に係
る発明は、基板と、この基板上に写真製版技術により形
成された磁気センサと、上記基板上に設けられた上記磁
気センサの制御回路と、上記磁気センサと上記制御回路
とを電気的に接続する配線導体とを備えたので、磁気セ
ンサを極めて高い位置精度で基板に実装することがで
き、精確な微小変位を検出、測定することができるとい
う効果を奏する。
る発明は、基板と、この基板上に写真製版技術により形
成された磁気センサと、上記基板上に設けられた上記磁
気センサの制御回路と、上記磁気センサと上記制御回路
とを電気的に接続する配線導体とを備えたので、磁気セ
ンサを極めて高い位置精度で基板に実装することがで
き、精確な微小変位を検出、測定することができるとい
う効果を奏する。
【００１５】請求項第２項に係る発明は、基板と、この
基板上に融着技術によりバンプによって実装されたフリ
ップチップ型の磁気センサと、上記基板上に設けられた
上記磁気センサの制御回路と、上記磁気センサと上記制
御回路とを電気的に接続する配線導体とを備えたので、
磁気センサを高い位置精度で基板に実装することがで
き、精確な微小変位を検出、測定することができるとい
う効果を奏する。
基板上に融着技術によりバンプによって実装されたフリ
ップチップ型の磁気センサと、上記基板上に設けられた
上記磁気センサの制御回路と、上記磁気センサと上記制
御回路とを電気的に接続する配線導体とを備えたので、
磁気センサを高い位置精度で基板に実装することがで
き、精確な微小変位を検出、測定することができるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による混成集積回路装置を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図２】図１に示した磁気抵抗素子を示す平面図であ
る。
る。
【図３】磁気抵抗素子の概略断面図である。
【図４】この発明の他の実施例による混成集積回路装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図５】図４に示した磁気抵抗素子を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図６】この発明のさらに他の実施例による磁気抵抗素
子を示す概略断面図である。
子を示す概略断面図である。
【図７】従来の混成集積回路装置を示す概略構成図であ
る。
る。
【図８】図７に示した混成集積回路装置の要部側面図で
ある。
ある。
１ 厚膜基板 ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ 磁気抵抗素子 ４ ＩＣ ５ 配線導体 ６ 強磁性体 ７ 端子 ８ ガラス ９ 保護ガラス １０ ガラス基板 １１ バンプ １２ 半導体基板 １３ 拡散層 １４ アルミニウム配線
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】図２は、磁気抵抗素子２Ａを示す平面図で
あり、磁気抵抗素子２Ａには、ＭＲＥ回路を形成する強
磁性体６が設けられており、端子７が接続されている。
この強磁性体６は、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｉｎ−Ｓｂ等
の材料が用いられている。また、図３は、磁気抵抗素子
２Ａの概略断面図であり、磁気抵抗素子２Ａは、厚膜基
板１上に形成されたガラス８上に形成されており、磁気
抵抗素子２Ａの表面には、その表面保護のために保護ガ
ラス９が形成されている。
あり、磁気抵抗素子２Ａには、ＭＲＥ回路を形成する強
磁性体６が設けられており、端子７が接続されている。
この強磁性体６は、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｉｎ−Ｓｂ等
の材料が用いられている。また、図３は、磁気抵抗素子
２Ａの概略断面図であり、磁気抵抗素子２Ａは、厚膜基
板１上に形成されたガラス８上に形成されており、磁気
抵抗素子２Ａの表面には、その表面保護のために保護ガ
ラス９が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、 この基板上に写真製版技術により形成された磁気センサ
と、 上記基板上に設けられた上記磁気センサの制御回路と、 上記磁気センサと上記制御回路とを電気的に接続する配
線導体とを備えたことを特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項２】 基板と、 この基板上に融着技術によりバンプによって実装された
フリップチップ型の磁気センサと、 上記基板上に設けられた上記磁気センサの制御回路と、 上記磁気センサと上記制御回路とを電気的に接続する配
線導体とを備えたことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203727A JPH0677557A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 混成集積回路装置 |
| US07/978,424 US5324977A (en) | 1992-07-30 | 1992-11-18 | Hybrid ferromagnetic integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203727A JPH0677557A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677557A true JPH0677557A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16478857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203727A Pending JPH0677557A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 混成集積回路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5324977A (ja) |
| JP (1) | JPH0677557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08130338A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 薄膜磁気センサ |
| JP2003503695A (ja) * | 1999-06-24 | 2003-01-28 | エス．エヌ．エール．ルールマン | ホール効果センサ列を有するステアリングコラム |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10333439A1 (de) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines aus mehreren Verdrahtungsebenen bestehenden Hybrid-Produktes |
| US7309904B2 (en) * | 2004-03-24 | 2007-12-18 | Yamaha Corporation | Semiconductor device, magnetic sensor, and magnetic sensor unit |
| US9076717B2 (en) * | 2006-12-08 | 2015-07-07 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component comprising magnetic field sensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152663A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気検出装置 |
| JPS61201486A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
| JPH02111085A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57177583A (en) * | 1981-04-14 | 1982-11-01 | Int Standard Electric Corp | Holl effect device |
| US4945397A (en) * | 1986-12-08 | 1990-07-31 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for magnetic films |
| EP0304280B1 (en) * | 1987-08-21 | 1996-05-29 | Nippondenso Co., Ltd. | A device for detecting magnetism |
| US4823177A (en) * | 1988-06-30 | 1989-04-18 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and device for magnetizing thin films by the use of injected spin polarized current |
| US5196821A (en) * | 1992-03-09 | 1993-03-23 | General Motors Corporation | Integrated magnetic field sensor |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203727A patent/JPH0677557A/ja active Pending
- 1992-11-18 US US07/978,424 patent/US5324977A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152663A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気検出装置 |
| JPS61201486A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
| JPH02111085A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08130338A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 薄膜磁気センサ |
| JP2003503695A (ja) * | 1999-06-24 | 2003-01-28 | エス．エヌ．エール．ルールマン | ホール効果センサ列を有するステアリングコラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5324977A (en) | 1994-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100780496B1 (ko) | 반도체 장치, 자기 센서 및 자기 센서 유닛 | |
| JP6150855B2 (ja) | 集積化センサの配列 | |
| JPH10142303A (ja) | 較正中にレーザ・トリミングするために透明プレートに取り付けられた構成部品を備えた磁気センサ | |
| JP2009020092A (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 | |
| US10062836B2 (en) | Magnetic sensor and method of manufacturing the same | |
| JPH05215504A (ja) | 位置検出装置 | |
| CN210142176U (zh) | 磁场感测装置 | |
| JP4543350B2 (ja) | 回転角度センサー及び回転角度センサーユニット | |
| JPH0677557A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2005123478A (ja) | 磁電変換装置 | |
| JPH10282156A (ja) | 電流センサー | |
| TW380288B (en) | Conductive pattern transfer printing method on film carrier and the mask and film carrier using the same | |
| JP2004061380A (ja) | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 | |
| JPH11191575A (ja) | フリップチップボンディング用部品、フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチップボンディング方法 | |
| JP5620075B2 (ja) | 磁界センサおよびこれを用いた磁界測定方法 | |
| JPH0219976B2 (ja) | ||
| US11035910B2 (en) | Magnetic substance detection sensor | |
| US20240065112A1 (en) | Magnetic sensor device, and method of producing same | |
| EP3712630B1 (en) | Magnetic field sensor | |
| US11768229B2 (en) | Packaged current sensor integrated circuit | |
| JPH04370970A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2582256B2 (ja) | プロービング方法 | |
| US10094890B2 (en) | Magnetic sensor | |
| KR920010840B1 (ko) | 자기저항소자 | |
| JPH03273654A (ja) | 混成集積回路 |