JPH11191575A - フリップチップボンディング用部品、フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチップボンディング方法 - Google Patents
フリップチップボンディング用部品、フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチップボンディング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ボンディング装置上でボンディング精度が確認
できる。 【解決手段】ディジーチェーン方式パターンの半導体装
置のボンディングに用いるフリップチップボンディング
確認用備品であって、確認用サブストレート部品１０及
び確認用チップ部品３０を共に透明な板状部材とし、か
つディジーチェーン方式パターンを形成した。
できる。 【解決手段】ディジーチェーン方式パターンの半導体装
置のボンディングに用いるフリップチップボンディング
確認用備品であって、確認用サブストレート部品１０及
び確認用チップ部品３０を共に透明な板状部材とし、か
つディジーチェーン方式パターンを形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のボン
ディングに用いるフリップチップボンディング用部品、
ディジーチェーン方式パターンの半導体装置におけるフ
リップチップボンディング確認用部品及びフリップチッ
プボンディング方法に関する。
ディングに用いるフリップチップボンディング用部品、
ディジーチェーン方式パターンの半導体装置におけるフ
リップチップボンディング確認用部品及びフリップチッ
プボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ディジーチェーン方式パターン
の半導体装置は、サブストレートにチップを直接ボンデ
ィングした後、両者間にアンダーフィルを注入して製作
される。サブストレート側は、プリント基板又はセラミ
ック基板にパターン及びパッドを形成し、チップ側はシ
リコンチップにパッドを形成したものであり、サブスト
レート及びチップは不透明であるので、サブストレート
及びチップのパターン及びパッドを光透過によって観察
することができない。ここで、ディジーチェーン方式パ
ターンは、例えば特開平５−２９５４６号公報に示すよ
うに周知のものであり、サブストレートに設けたパッド
パターンとチップに設けたパッドパターンとを重ね合わ
せてサブストレートとチップをボンディングすると、サ
ブストレートの各パッドとチップの各パッドとがサブス
トレートに設けた２個の電気的導通確認用端子間に接続
されてチェーンが形成されるパターン方式である。
の半導体装置は、サブストレートにチップを直接ボンデ
ィングした後、両者間にアンダーフィルを注入して製作
される。サブストレート側は、プリント基板又はセラミ
ック基板にパターン及びパッドを形成し、チップ側はシ
リコンチップにパッドを形成したものであり、サブスト
レート及びチップは不透明であるので、サブストレート
及びチップのパターン及びパッドを光透過によって観察
することができない。ここで、ディジーチェーン方式パ
ターンは、例えば特開平５−２９５４６号公報に示すよ
うに周知のものであり、サブストレートに設けたパッド
パターンとチップに設けたパッドパターンとを重ね合わ
せてサブストレートとチップをボンディングすると、サ
ブストレートの各パッドとチップの各パッドとがサブス
トレートに設けた２個の電気的導通確認用端子間に接続
されてチェーンが形成されるパターン方式である。
【０００３】そこで、ディジーチェーン方式パターンの
半導体装置のボンディングは、図５に示す工程で行われ
ている。図５（ａ）に示すように、サブストレート１の
パターン及びパッド面を上面にして該サブストレート１
を基板用チャック２で保持し、チップ３のパターン及び
パッド面を下面にして該チップ３をチップ用チャック４
で保持し、サブストレート１の上方にチップ３を配設す
る。次に、図５（ｂ）に示すように、上下面に検知部を
有する光学プローブ５をサブストレート１とチップ３間
に矢印Ａ方向に挿入し、光学プローブ５でサブストレー
ト１及びチップ３のそれぞれのパターン及びパッドを検
知する。そして、基板用チャック２とチップ用チャック
４を相対的に移動させてサブストレート１とチップ３と
の平坦出し及び位置合わせをする。
半導体装置のボンディングは、図５に示す工程で行われ
ている。図５（ａ）に示すように、サブストレート１の
パターン及びパッド面を上面にして該サブストレート１
を基板用チャック２で保持し、チップ３のパターン及び
パッド面を下面にして該チップ３をチップ用チャック４
で保持し、サブストレート１の上方にチップ３を配設す
る。次に、図５（ｂ）に示すように、上下面に検知部を
有する光学プローブ５をサブストレート１とチップ３間
に矢印Ａ方向に挿入し、光学プローブ５でサブストレー
ト１及びチップ３のそれぞれのパターン及びパッドを検
知する。そして、基板用チャック２とチップ用チャック
４を相対的に移動させてサブストレート１とチップ３と
の平坦出し及び位置合わせをする。
【０００４】その後、図５（ｃ）に示すように、光学プ
ローブ５が矢印Ｂ方向に移動した後、図５（ｄ）に示す
ように、基板用チャック２を上昇させてサブストレート
１とチップ３とをボンディングする。次に図５（ｅ）に
示すように、基板用チャック２が下降し、ボンディング
が終了する。なお、前記した光学プローブ５としては、
例えば特公平６−２８２７２号公報が挙げられる。
ローブ５が矢印Ｂ方向に移動した後、図５（ｄ）に示す
ように、基板用チャック２を上昇させてサブストレート
１とチップ３とをボンディングする。次に図５（ｅ）に
示すように、基板用チャック２が下降し、ボンディング
が終了する。なお、前記した光学プローブ５としては、
例えば特公平６−２８２７２号公報が挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる半導体装置のボ
ンディング精度の確認は、サブストレート又はチップの
一方が透明ガラスよりなる確認用部品をボンディング
し、このボンディングされたものをボンディング装置よ
り取り出し、ガラス側からパターン及びパッドの位置ず
れを測長器で測定している。このように、ボンディング
された確認用部品をボンディング装置より取り出して測
定する必要があるので、迅速にボンディング精度の確認
を行うことができなかった。
ンディング精度の確認は、サブストレート又はチップの
一方が透明ガラスよりなる確認用部品をボンディング
し、このボンディングされたものをボンディング装置よ
り取り出し、ガラス側からパターン及びパッドの位置ず
れを測長器で測定している。このように、ボンディング
された確認用部品をボンディング装置より取り出して測
定する必要があるので、迅速にボンディング精度の確認
を行うことができなかった。
【０００６】また従来の片方のみ透明な確認用部品は、
ディジーチェーン方式パターンになっていないため、ボ
ンディングした確認用半導体装置は不透明であり、電気
的導通の確認はできない。このため、電気的導通の確認
は、実際の不透明の製品である半導体装置を検査する必
要があり、ボンディング精度の確認と電気的導通の確認
を別々に行う必要があった。また不透明であるので、ボ
ンディング部の内部が確認できないと共に、その後の工
程のにおいてサブストレートとチップとの間に封止材を
注入する時のアンダーフィル注入状態が観察できない。
ディジーチェーン方式パターンになっていないため、ボ
ンディングした確認用半導体装置は不透明であり、電気
的導通の確認はできない。このため、電気的導通の確認
は、実際の不透明の製品である半導体装置を検査する必
要があり、ボンディング精度の確認と電気的導通の確認
を別々に行う必要があった。また不透明であるので、ボ
ンディング部の内部が確認できないと共に、その後の工
程のにおいてサブストレートとチップとの間に封止材を
注入する時のアンダーフィル注入状態が観察できない。
【０００７】本発明の第１の課題は、ボンディング装置
上でボンディング精度が確認できる半導体装置のボンデ
ィングに用いるフリップチップボンディング用部品、フ
リップチップボンディング確認用部品及びフリップチッ
プボンディング方法を提供することにある。
上でボンディング精度が確認できる半導体装置のボンデ
ィングに用いるフリップチップボンディング用部品、フ
リップチップボンディング確認用部品及びフリップチッ
プボンディング方法を提供することにある。
【０００８】本発明の第２の課題は、ボンディング精度
と電気的導通の確認が共に確認できる半導体装置のボン
ディングに用いるフリップチップボンディング用部品、
フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチ
ップボンディング方法を提供することにある。
と電気的導通の確認が共に確認できる半導体装置のボン
ディングに用いるフリップチップボンディング用部品、
フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチ
ップボンディング方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のフリップチップボンディング用部品の第１の
手段は、サブストレート部品及びチップ部品を共に透明
な板状部材としたことを特徴とする。
の本発明のフリップチップボンディング用部品の第１の
手段は、サブストレート部品及びチップ部品を共に透明
な板状部材としたことを特徴とする。
【００１０】上記課題を解決するための本発明のフリッ
プチップボンディング用部品の第２の手段は、前記第１
の手段において、前記サブストレート部品及びチップ部
品にそれぞれボンド合わせ精度確認用計測目盛を対応位
置に設けたことを特徴とする。
プチップボンディング用部品の第２の手段は、前記第１
の手段において、前記サブストレート部品及びチップ部
品にそれぞれボンド合わせ精度確認用計測目盛を対応位
置に設けたことを特徴とする。
【００１１】上記課題を解決するための本発明のフリッ
プチップボンディング用部品の第３の手段は、前記第２
の手段において、前記ボンド合わせ精度確認用計測目盛
は、直交する２軸のＸ軸計測目盛とＹ軸計測目盛とより
なることを特徴とする。
プチップボンディング用部品の第３の手段は、前記第２
の手段において、前記ボンド合わせ精度確認用計測目盛
は、直交する２軸のＸ軸計測目盛とＹ軸計測目盛とより
なることを特徴とする。
【００１２】上記課題を解決するための本発明のフリッ
プチップボンディング用部品の第４の手段は、前記第３
の手段において、前記チップ部品のＸ軸計測目盛及びＹ
軸計測目盛間隔は、前記サブストレート部品のＸ軸計測
目盛及びＹ軸計測目盛間隔より小さいか又は大きく、か
つサブストレート部品のＸ軸目盛基準線及びＹ軸目盛基
準線にチップ部品のＸ軸目盛基準線及びＹ軸目盛基準線
が一致するように形成されていることを特徴とする。
プチップボンディング用部品の第４の手段は、前記第３
の手段において、前記チップ部品のＸ軸計測目盛及びＹ
軸計測目盛間隔は、前記サブストレート部品のＸ軸計測
目盛及びＹ軸計測目盛間隔より小さいか又は大きく、か
つサブストレート部品のＸ軸目盛基準線及びＹ軸目盛基
準線にチップ部品のＸ軸目盛基準線及びＹ軸目盛基準線
が一致するように形成されていることを特徴とする。
【００１３】上記課題を解決するための本発明のフリッ
プチップボンディング確認用部品の手段は、前記第１、
第２、第３又は第４の手段の前記フリップチップボンデ
ィング用部品をディジーチェーン方式パターンの半導体
装置のボンディングに用いるフリップチップボンディン
グ確認用部品とし、サブストレート部品及びチップ部品
は、それぞれ確認用サブストレート部品及び確認用チッ
プ部品であり、かつディジーチェーン方式パターンを形
成したことを特徴とする。
プチップボンディング確認用部品の手段は、前記第１、
第２、第３又は第４の手段の前記フリップチップボンデ
ィング用部品をディジーチェーン方式パターンの半導体
装置のボンディングに用いるフリップチップボンディン
グ確認用部品とし、サブストレート部品及びチップ部品
は、それぞれ確認用サブストレート部品及び確認用チッ
プ部品であり、かつディジーチェーン方式パターンを形
成したことを特徴とする。
【００１４】上記課題を解決するための本発明のフリッ
プチップボンディング方法は、前記第１、第２、第３、
第４又は第５の手段のフリップチップボンディング用部
品又は前記手段のフリップチップボンディング確認用部
品を用いてフリップチップボンディングを行ない、ボン
ディング精度及びボンディング状態を確認すると共に、
電気的導通の確認を行うことを特徴とする。
プチップボンディング方法は、前記第１、第２、第３、
第４又は第５の手段のフリップチップボンディング用部
品又は前記手段のフリップチップボンディング確認用部
品を用いてフリップチップボンディングを行ない、ボン
ディング精度及びボンディング状態を確認すると共に、
電気的導通の確認を行うことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１乃至図
４により説明する。図２は確認用サブストレート部品１
０で、図３は該確認用サブストレート部品１０のチップ
ボンディング部分の拡大図を示す。図４は確認用チップ
部品３０を示す。
４により説明する。図２は確認用サブストレート部品１
０で、図３は該確認用サブストレート部品１０のチップ
ボンディング部分の拡大図を示す。図４は確認用チップ
部品３０を示す。
【００１６】本実施の形態の第１の特徴は、確認用サブ
ストレート部品１０及び確認用チップ部品３０は、それ
ぞれ透明ガラスよりなっている。なお、図２及び図３
は、周知のディジーチェーン方式で形成されたパッドパ
ターン及びリードパターンが形成された面を上面とした
図であり、図４は周知のディジーチェーン方式で形成さ
れたパッドパターンが形成された面を下面とし、上面よ
り確認用チップ部品３０を透過してパッドパターンを見
た図である。また図２及び図３に示すパッドパターン、
リードパターン及びその配線、図４に示すパッドパター
ン及びその配線は、半導体装置の種類により決まり、本
発明の要旨とは関係ないので、以下、簡単に説明する。
ストレート部品１０及び確認用チップ部品３０は、それ
ぞれ透明ガラスよりなっている。なお、図２及び図３
は、周知のディジーチェーン方式で形成されたパッドパ
ターン及びリードパターンが形成された面を上面とした
図であり、図４は周知のディジーチェーン方式で形成さ
れたパッドパターンが形成された面を下面とし、上面よ
り確認用チップ部品３０を透過してパッドパターンを見
た図である。また図２及び図３に示すパッドパターン、
リードパターン及びその配線、図４に示すパッドパター
ン及びその配線は、半導体装置の種類により決まり、本
発明の要旨とは関係ないので、以下、簡単に説明する。
【００１７】まず、確認用サブストレート部品１０のパ
ッドパターン、リードパターン及びその配線を図２及び
図３により簡単に説明する。１１は確認用チップ部品３
０がボンディングされるチップボンディング枠部を示
す。チップボンディング枠部１１内には、８個のパッド
グループ１２が形成されており、各パッドグループ１２
は１６個のパッド１３よりなっている。そして、隣接す
るパッド１３同士の一部は、接続部１４で接続されてい
る。確認用サブストレート部品１０の外周部分には、複
数個のリード端子１５と２個の電気的導通確認用端子１
６が形成されている。そして、これらのリード端子１５
及び電気的導通確認用端子１６は、配線１７で対応する
パッドグループ１２のパッド１３に接続されている。
ッドパターン、リードパターン及びその配線を図２及び
図３により簡単に説明する。１１は確認用チップ部品３
０がボンディングされるチップボンディング枠部を示
す。チップボンディング枠部１１内には、８個のパッド
グループ１２が形成されており、各パッドグループ１２
は１６個のパッド１３よりなっている。そして、隣接す
るパッド１３同士の一部は、接続部１４で接続されてい
る。確認用サブストレート部品１０の外周部分には、複
数個のリード端子１５と２個の電気的導通確認用端子１
６が形成されている。そして、これらのリード端子１５
及び電気的導通確認用端子１６は、配線１７で対応する
パッドグループ１２のパッド１３に接続されている。
【００１８】次に、確認用チップ部品３０のパッドパタ
ーン及びその配線を図４により簡単に説明する。確認用
サブストレート部品１０のパッドグループ１２に対応し
た位置に８個のパッドグループ３２が形成されており、
各パッドグループ３２は、確認用サブストレート部品１
０のパッド１３のパターンと同じパターンで１６個のパ
ッド３３が形成されている。そして、隣接するパッド３
３同士の一部は、接続部３４で接続されている。またパ
ッドグループ３２のパッド３３の一部は配線３７で他の
パッドグループ３２のパッド３３に接続されている。
ーン及びその配線を図４により簡単に説明する。確認用
サブストレート部品１０のパッドグループ１２に対応し
た位置に８個のパッドグループ３２が形成されており、
各パッドグループ３２は、確認用サブストレート部品１
０のパッド１３のパターンと同じパターンで１６個のパ
ッド３３が形成されている。そして、隣接するパッド３
３同士の一部は、接続部３４で接続されている。またパ
ッドグループ３２のパッド３３の一部は配線３７で他の
パッドグループ３２のパッド３３に接続されている。
【００１９】なお、前記した確認用サブストレート部品
１０の接続部１４、確認用チップ部品３０の接続部３４
及び配線３７は、確認用サブストレート部品１０に確認
用チップ部品３０をボンディングした場合において、確
認用サブストレート部品１０の電気的導通確認用端子１
６に導通テストの端子を接触させた時に、電気的に導通
するようにディジーチェーン方式パターンとなってい
る。
１０の接続部１４、確認用チップ部品３０の接続部３４
及び配線３７は、確認用サブストレート部品１０に確認
用チップ部品３０をボンディングした場合において、確
認用サブストレート部品１０の電気的導通確認用端子１
６に導通テストの端子を接触させた時に、電気的に導通
するようにディジーチェーン方式パターンとなってい
る。
【００２０】次に本実施の形態の特徴とする部分につい
て説明する。図２及び図３に示す確認用サブストレート
部品１０のチップボンディング枠部１１内には、白抜き
の方向合わせマーク２０が形成されている。またチップ
ボンディング枠部１１内には、直交する２軸の一方のＸ
軸方向にボンド合わせ精度確認用のＸ軸計測目盛２１が
設けられ、直交する２軸の他方のＹ軸方向にも同様に、
Ｙ軸計測目盛２２が設けられている。なお、Δ印で示す
線はＸ軸目盛基準線２３及びＹ軸目盛基準線２４を示
す。
て説明する。図２及び図３に示す確認用サブストレート
部品１０のチップボンディング枠部１１内には、白抜き
の方向合わせマーク２０が形成されている。またチップ
ボンディング枠部１１内には、直交する２軸の一方のＸ
軸方向にボンド合わせ精度確認用のＸ軸計測目盛２１が
設けられ、直交する２軸の他方のＹ軸方向にも同様に、
Ｙ軸計測目盛２２が設けられている。なお、Δ印で示す
線はＸ軸目盛基準線２３及びＹ軸目盛基準線２４を示
す。
【００２１】図４に示す確認用チップ部品３０には、確
認用サブストレート部品１０の方向合わせマーク２０に
対応した位置に該方向合わせマーク２０と同形で僅かに
細い幅の黒の方向合わせマーク４０が形成されている。
また確認用サブストレート部品１０のＸ軸計測目盛２１
及びＹ軸計測目盛２２のＸ軸目盛基準線２３及びＹ軸目
盛基準線２４に対応した位置にＸ軸計測目盛４１及びＹ
軸計測目盛４２が形成されている。
認用サブストレート部品１０の方向合わせマーク２０に
対応した位置に該方向合わせマーク２０と同形で僅かに
細い幅の黒の方向合わせマーク４０が形成されている。
また確認用サブストレート部品１０のＸ軸計測目盛２１
及びＹ軸計測目盛２２のＸ軸目盛基準線２３及びＹ軸目
盛基準線２４に対応した位置にＸ軸計測目盛４１及びＹ
軸計測目盛４２が形成されている。
【００２２】Ｘ軸計測目盛４１のＸ軸目盛基準線４３は
Ｘ軸目盛基準線２３と一致する位置に設けられ、かつＸ
軸計測目盛４１の目盛間隔はＸ軸計測目盛２１の目盛間
隔より例えば２μｍ小さく形成されている。Ｙ軸計測目
盛４２のＹ軸目盛基準線４４も同様に、Ｙ軸目盛基準線
２４と一致する位置に設けられ、かつＹ軸計測目盛４２
の目盛間隔はＹ軸計測目盛２２の目盛間隔より例えば２
μｍ小さく形成されている。
Ｘ軸目盛基準線２３と一致する位置に設けられ、かつＸ
軸計測目盛４１の目盛間隔はＸ軸計測目盛２１の目盛間
隔より例えば２μｍ小さく形成されている。Ｙ軸計測目
盛４２のＹ軸目盛基準線４４も同様に、Ｙ軸目盛基準線
２４と一致する位置に設けられ、かつＹ軸計測目盛４２
の目盛間隔はＹ軸計測目盛２２の目盛間隔より例えば２
μｍ小さく形成されている。
【００２３】Ｘ軸計測目盛４１は、Ｘ軸計測目盛２１と
重ね合わせられた時に、Ｘ軸計測目盛４１の位置が判読
できるように、Ｙ軸方向に若干ずれて設けられている。
Ｙ軸計測目盛４２も同様に、Ｙ軸計測目盛２２と重ね合
わせられた時に、Ｙ軸計測目盛４２の位置が判読できる
ように、Ｘ軸方向に若干ずれて設けられている。
重ね合わせられた時に、Ｘ軸計測目盛４１の位置が判読
できるように、Ｙ軸方向に若干ずれて設けられている。
Ｙ軸計測目盛４２も同様に、Ｙ軸計測目盛２２と重ね合
わせられた時に、Ｙ軸計測目盛４２の位置が判読できる
ように、Ｘ軸方向に若干ずれて設けられている。
【００２４】そこで、確認用チップ部品３０の各パッド
３３上にボール（図示せず）を形成した後、図５に示す
従来のボンディング方法と同様に確認用サブストレート
部品１０に確認用チップ部品３０をボンディングする。
即ち、図５のサブストレート１及び基板用チャック２を
確認用サブストレート部品１０及び確認用チップ部品３
０に置き換えて説明すると、図５（ａ）に示すように、
確認用サブストレート部品１０のパッド１３面を上面に
して該確認用サブストレート部品１０を基板用チャック
２で保持し、確認用チップ部品３０のパッド３３面を下
面にして該確認用チップ部品３０をチップ用チャック４
で保持し、確認用サブストレート部品１０の上方に確認
用チップ部品３０を配設する。
３３上にボール（図示せず）を形成した後、図５に示す
従来のボンディング方法と同様に確認用サブストレート
部品１０に確認用チップ部品３０をボンディングする。
即ち、図５のサブストレート１及び基板用チャック２を
確認用サブストレート部品１０及び確認用チップ部品３
０に置き換えて説明すると、図５（ａ）に示すように、
確認用サブストレート部品１０のパッド１３面を上面に
して該確認用サブストレート部品１０を基板用チャック
２で保持し、確認用チップ部品３０のパッド３３面を下
面にして該確認用チップ部品３０をチップ用チャック４
で保持し、確認用サブストレート部品１０の上方に確認
用チップ部品３０を配設する。
【００２５】次に、図５（ｂ）に示すように、光学プロ
ーブ５を確認用サブストレート部品１０と確認用チップ
部品３０間に挿入し、光学プローブ５で確認用サブスト
レート部品１０及び確認用チップ部品３０のそれぞれの
パターン及びパッド１３、３３を検知する。そして、基
板用チャック２とチップ用チャック４を相対的に移動さ
せて確認用サブストレート部品１０と確認用チップ部品
３０との平坦出し及び位置合わせをする。その後、図５
（ｃ）に示すように、光学プローブ５を引っ込めた後、
図５（ｄ）に示すように、基板用チャック２を上昇させ
て確認用サブストレート部品１０と確認用チップ部品３
０とをボンディングする。次に図５（ｅ）に示すよう
に、基板用チャック２が下降し、ボンディングが終了す
る。
ーブ５を確認用サブストレート部品１０と確認用チップ
部品３０間に挿入し、光学プローブ５で確認用サブスト
レート部品１０及び確認用チップ部品３０のそれぞれの
パターン及びパッド１３、３３を検知する。そして、基
板用チャック２とチップ用チャック４を相対的に移動さ
せて確認用サブストレート部品１０と確認用チップ部品
３０との平坦出し及び位置合わせをする。その後、図５
（ｃ）に示すように、光学プローブ５を引っ込めた後、
図５（ｄ）に示すように、基板用チャック２を上昇させ
て確認用サブストレート部品１０と確認用チップ部品３
０とをボンディングする。次に図５（ｅ）に示すよう
に、基板用チャック２が下降し、ボンディングが終了す
る。
【００２６】図１は前記のようにしてボンディングされ
た半導体装置部品を確認用チップ部品３０側より通して
見た図を示す。前記したように、確認用サブストレート
部品１０及び確認用チップ部品３０は、共に透明ガラス
よりなり、ディジーチェーン方式パターンで形成されて
いるので、一度のボンディングでボンディング精度及び
ボンディング状態が観察できると共に、電気的導通確認
用端子１６により電気的導通の確認ができる。またボン
ディング後のアンダーフィル注入テストにおいても注入
状態の確認が確認用チップ部品３０を通して行える。
た半導体装置部品を確認用チップ部品３０側より通して
見た図を示す。前記したように、確認用サブストレート
部品１０及び確認用チップ部品３０は、共に透明ガラス
よりなり、ディジーチェーン方式パターンで形成されて
いるので、一度のボンディングでボンディング精度及び
ボンディング状態が観察できると共に、電気的導通確認
用端子１６により電気的導通の確認ができる。またボン
ディング後のアンダーフィル注入テストにおいても注入
状態の確認が確認用チップ部品３０を通して行える。
【００２７】また確認用サブストレート部品１０にＸ軸
計測目盛２１及びＹ軸計測目盛２２を設け、確認用チッ
プ部品３０にＸ軸計測目盛４１及びＹ軸計測目盛４２を
設けることにより、Ｘ軸計測目盛２１とＸ軸計測目盛４
１との関係及びＹ軸計測目盛２２とＹ軸計測目盛４２と
の関係により、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のボンディング精
度（位置ずれ）が測定できる。Ｘ軸計測目盛２１のＸ軸
目盛基準線２３とＸ軸計測目盛４１のＸ軸目盛基準線４
３とが一致していると、Ｘ軸方向には位置ずれはない。
同様に、Ｙ軸計測目盛２２のＹ軸目盛基準線２４とＹ軸
計測目盛４２のＹ軸目盛基準線４４とが一致している
と、Ｙ軸方向には位置ずれはない。この場合、例えばＸ
軸計測目盛４１の目盛間隔がＸ軸計測目盛２１の目盛間
隔より２μｍ小さい時、Ｘ軸目盛基準線４３より５番目
のＸ軸計測目盛４１は、目盛間隔がＸ軸計測目盛２１の
目盛５×２μｍ＝１０μｍだけずれている。
計測目盛２１及びＹ軸計測目盛２２を設け、確認用チッ
プ部品３０にＸ軸計測目盛４１及びＹ軸計測目盛４２を
設けることにより、Ｘ軸計測目盛２１とＸ軸計測目盛４
１との関係及びＹ軸計測目盛２２とＹ軸計測目盛４２と
の関係により、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のボンディング精
度（位置ずれ）が測定できる。Ｘ軸計測目盛２１のＸ軸
目盛基準線２３とＸ軸計測目盛４１のＸ軸目盛基準線４
３とが一致していると、Ｘ軸方向には位置ずれはない。
同様に、Ｙ軸計測目盛２２のＹ軸目盛基準線２４とＹ軸
計測目盛４２のＹ軸目盛基準線４４とが一致している
と、Ｙ軸方向には位置ずれはない。この場合、例えばＸ
軸計測目盛４１の目盛間隔がＸ軸計測目盛２１の目盛間
隔より２μｍ小さい時、Ｘ軸目盛基準線４３より５番目
のＸ軸計測目盛４１は、目盛間隔がＸ軸計測目盛２１の
目盛５×２μｍ＝１０μｍだけずれている。
【００２８】もし、Ｘ軸方向に位置ずれしていると、Ｘ
軸目盛基準線２３とＸ軸目盛基準線４３は一致しない。
そこで、Ｘ軸計測目盛２１と４１とが一致する目盛を調
べることにより、ずれ量が判読できる。今、Ｘ軸目盛基
準線２３より右側方向の３番目の目盛にＸ軸計測目盛４
１の３番目が一致していると、Ｘ軸計測目盛４１の目盛
間隔がＸ軸計測目盛２１の目盛間隔より２μｍ小さい場
合、確認用サブストレート部品１０に対して確認用チッ
プ部品３０はＸ軸方向に３×２μｍ＝６μｍだけ右側に
位置ずれしていることが判る。Ｙ軸方向の位置ずれにつ
いても同様である。そこで、実際のボンディング時に
は、この位置ずれを補正してボンディングを行う。
軸目盛基準線２３とＸ軸目盛基準線４３は一致しない。
そこで、Ｘ軸計測目盛２１と４１とが一致する目盛を調
べることにより、ずれ量が判読できる。今、Ｘ軸目盛基
準線２３より右側方向の３番目の目盛にＸ軸計測目盛４
１の３番目が一致していると、Ｘ軸計測目盛４１の目盛
間隔がＸ軸計測目盛２１の目盛間隔より２μｍ小さい場
合、確認用サブストレート部品１０に対して確認用チッ
プ部品３０はＸ軸方向に３×２μｍ＝６μｍだけ右側に
位置ずれしていることが判る。Ｙ軸方向の位置ずれにつ
いても同様である。そこで、実際のボンディング時に
は、この位置ずれを補正してボンディングを行う。
【００２９】前記した位置ずれの測定は、ボンディング
された半導体装置部品をボンディング装置にセットされ
た状態で、カメラで撮像し、モニターに映し出すことに
より測定できる。
された半導体装置部品をボンディング装置にセットされ
た状態で、カメラで撮像し、モニターに映し出すことに
より測定できる。
【００３０】また確認用サブストレート部品１０及び確
認用チップ部品３０に方向合わせマーク２０及びマーク
４０を設けることにより、両者の合わせ方向が一致して
いるか否かが確認できる。図１に示すように、確認用サ
ブストレート部品１０の方向合わせマーク２０内に確認
用チップ部品３０の方向合わせマーク４０があれば確認
用サブストレート部品１０と確認用チップ部品３０の方
向は一致している。しかし、確認用チップ部品３０の方
向が正しくなく、例えば確認用チップ部品３０が９０度
左回りに回転した状態であれば、方向合わせマーク４０
は左下に表れるので、方向合わせマーク４０は方向合わ
せマーク２０に一致しない。
認用チップ部品３０に方向合わせマーク２０及びマーク
４０を設けることにより、両者の合わせ方向が一致して
いるか否かが確認できる。図１に示すように、確認用サ
ブストレート部品１０の方向合わせマーク２０内に確認
用チップ部品３０の方向合わせマーク４０があれば確認
用サブストレート部品１０と確認用チップ部品３０の方
向は一致している。しかし、確認用チップ部品３０の方
向が正しくなく、例えば確認用チップ部品３０が９０度
左回りに回転した状態であれば、方向合わせマーク４０
は左下に表れるので、方向合わせマーク４０は方向合わ
せマーク２０に一致しない。
【００３１】なお、上記実施の形態においては、Ｘ軸計
測目盛４１及びＹ軸計測目盛４２の目盛間隔をＸ軸計測
目盛２１及びＹ軸計測目盛２２の目盛間隔より小さく形
成した場合について説明したが、大きく形成してもよい
ことは言うまでもない。
測目盛４１及びＹ軸計測目盛４２の目盛間隔をＸ軸計測
目盛２１及びＹ軸計測目盛２２の目盛間隔より小さく形
成した場合について説明したが、大きく形成してもよい
ことは言うまでもない。
【００３２】またディジーチェーン方式パターンの半導
体装置のボンディングに用いるフリップチップボンディ
ング確認用部品として説明したが、ディジーチェーン方
式パターンではない一般のフリップチップボンディング
確認用部品として、またはフリップチップボンディング
部品（実際の半導体装置製品）にも適用できる。
体装置のボンディングに用いるフリップチップボンディ
ング確認用部品として説明したが、ディジーチェーン方
式パターンではない一般のフリップチップボンディング
確認用部品として、またはフリップチップボンディング
部品（実際の半導体装置製品）にも適用できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディングに用いる
フリップチップボンディング用部品であって、サブスト
レート部品及びチップ部品と共に透明ガラスとしたの
で、ボンディング装置上でボンディング精度が確認で
き、またボンディング精度と電気的導通の確認が共に確
認できる。
フリップチップボンディング用部品であって、サブスト
レート部品及びチップ部品と共に透明ガラスとしたの
で、ボンディング装置上でボンディング精度が確認で
き、またボンディング精度と電気的導通の確認が共に確
認できる。
【図１】本発明のフリップチップボンディング確認用部
品の一実施の形態を示す平面図である。
品の一実施の形態を示す平面図である。
【図２】確認用サブストレート部品の全体を示す平面図
である。
である。
【図３】図２の要部拡大図である。
【図４】確認用チップ部品を示し、下面に形成されたパ
ターンを上面より通してみた平面図である。
ターンを上面より通してみた平面図である。
【図５】従来のフリップチップボンディング方法を示す
説明図である。
説明図である。
１０ 確認用サブストレート部品 １２ パッドグループ １３ パッド １４ 接続部 １５ リード端子 １６ 電気的導通確認用端子 １７ 配線 ２０ 方向合わせマーク ２１ Ｘ軸計測目盛 ２２ Ｙ軸計測目盛 ２３ Ｘ軸目盛基準線 ２４ Ｙ軸目盛基準線 ３０ 確認用チップ部品 ３２ パッドグループ ３３ パッド ３４ 接続部 ３７ 配線 ４０ 方向合わせマーク ４１ Ｘ軸計測目盛 ４２ Ｙ軸計測目盛 ４３ Ｘ軸目盛基準線 ４４ Ｙ軸目盛基準線
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体装置のボンディングに用いるフリ
ップチップボンディング用部品であって、サブストレー
ト部品及びチップ部品を共に透明な板状部材としたこと
を特徴とするフリップチップボンディング用部品。 - 【請求項２】 前記サブストレート部品及びチップ部品
にそれぞれボンド合わせ精度確認用計測目盛を対応位置
に設けたことを特徴とする請求項１記載のフリップチッ
プボンディング用部品。 - 【請求項３】 前記ボンド合わせ精度確認用計測目盛
は、直交する２軸のＸ軸計測目盛とＹ軸計測目盛とより
なることを特徴とする請求項２記載のフリップチップボ
ンディング用部品。 - 【請求項４】 前記チップ部品のＸ軸計測目盛及びＹ軸
計測目盛間隔は、前記サブストレート部品のＸ軸計測目
盛及びＹ軸計測目盛間隔より小さいか又は大きく、かつ
サブストレート部品のＸ軸目盛基準線及びＹ軸目盛基準
線にチップ部品のＸ軸目盛基準線及びＹ軸目盛基準線が
一致するように形成されていることを特徴とする請求項
３記載のフリップチップボンディング用部品。 - 【請求項５】 前記フリップチップボンディング用部品
は、ディジーチェーン方式パターンの半導体装置のボン
ディングに用いるフリップチップボンディング確認用部
品であって、サブストレート部品及びチップ部品は、そ
れぞれ確認用サブストレート部品及び確認用チップ部品
であり、かつディジーチェーン方式パターンを形成した
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のフリッ
プチップボンディング確認用部品。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４、５又は６記載の
フリップチップボンディング用部品又はフリップチップ
ボンディング確認用部品を用いてフリップチップボンデ
ィングを行ない、ボンディング精度及びボンディング状
態を確認すると共に、電気的導通の確認を行うことを特
徴とするフリップチップボンディング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9367439A JPH11191575A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | フリップチップボンディング用部品、フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチップボンディング方法 |
| TW087119372A TW445550B (en) | 1997-12-25 | 1998-11-23 | Flip-chip bonding parts, flip-chip bonding confirmation parts and a flip-chip bonding method |
| KR1019980055395A KR100306639B1 (ko) | 1997-12-25 | 1998-12-16 | 플립칩본딩용부품,플립칩본딩확인용부품및플립칩본딩방법 |
| US09/221,062 US6116493A (en) | 1997-12-25 | 1998-12-28 | Flip-chip bonding parts, flip-chip bonding confirmation parts and a flip-chip bonding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9367439A JPH11191575A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | フリップチップボンディング用部品、フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチップボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191575A true JPH11191575A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18489317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9367439A Pending JPH11191575A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | フリップチップボンディング用部品、フリップチップボンディング確認用部品及びフリップチップボンディング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6116493A (ja) |
| JP (1) | JPH11191575A (ja) |
| KR (1) | KR100306639B1 (ja) |
| TW (1) | TW445550B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009113A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Sony Corp | マウント精度測定装置およびマウント精度測定方法 |
| JP2006502557A (ja) * | 2001-10-30 | 2006-01-19 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | ボール状のグリッドアレイｘ線方位マーク |
| JP2010056429A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fukuoka Pref Gov Sangyo Kagaku Gijutsu Shinko Zaidan | 実装評価構造及び実装評価方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG85719A1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-01-15 | Swatch Group Man Serv Ag | Method for making a display module including a liquid crystal and a single-face printed circuit, and module obtained via said method |
| WO2002082540A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Fujitsu Limited | Dispositif a semi-conducteurs, son procede de fabrication et substrat semi-conducteur connexe |
| US7408243B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-08-05 | Honeywell International Inc. | High temperature package flip-chip bonding to ceramic |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3696229A (en) * | 1970-04-14 | 1972-10-03 | Thomas L Angelucci | Bonding tool for through the tool observation bonding and method of bonding |
| US4369458A (en) * | 1980-07-01 | 1983-01-18 | Westinghouse Electric Corp. | Self-aligned, flip-chip focal plane array configuration |
| CA2038117A1 (en) * | 1990-03-29 | 1991-09-30 | Mahfuza B. Ali | Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith |
| CA2044649A1 (en) * | 1990-06-19 | 1991-12-20 | Masanori Nishiguchi | Method and apparatus for packaging a semiconductor device |
| JPH0529546A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH0628272A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | 試験機能を備えた入出力装置 |
| DE19516487C1 (de) * | 1995-05-05 | 1996-07-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur vertikalen Integration mikroelektronischer Systeme |
| US5790728A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-04 | Motorola, Inc. | Optical coupling component and method of making the same |
| US5949655A (en) * | 1997-09-09 | 1999-09-07 | Amkor Technology, Inc. | Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9367439A patent/JPH11191575A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-23 TW TW087119372A patent/TW445550B/zh active
- 1998-12-16 KR KR1019980055395A patent/KR100306639B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-12-28 US US09/221,062 patent/US6116493A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009113A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Sony Corp | マウント精度測定装置およびマウント精度測定方法 |
| JP4521496B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2010-08-11 | ソニー株式会社 | マウント精度測定方法 |
| JP2006502557A (ja) * | 2001-10-30 | 2006-01-19 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | ボール状のグリッドアレイｘ線方位マーク |
| JP2010056429A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fukuoka Pref Gov Sangyo Kagaku Gijutsu Shinko Zaidan | 実装評価構造及び実装評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6116493A (en) | 2000-09-12 |
| KR100306639B1 (ko) | 2001-11-15 |
| KR19990063108A (ko) | 1999-07-26 |
| TW445550B (en) | 2001-07-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030819 |