JPS6091209A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPS6091209A JPS6091209A JP58199828A JP19982883A JPS6091209A JP S6091209 A JPS6091209 A JP S6091209A JP 58199828 A JP58199828 A JP 58199828A JP 19982883 A JP19982883 A JP 19982883A JP S6091209 A JPS6091209 A JP S6091209A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- bias magnet
- gap
- electrode
- solders
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は回転体の回転検出等に用％ｚ４半導体石１支気
抵抗素子の構造に関するものである。
抵抗素子の構造に関するものである。
薄膜形２１′導体抵抗素子を使用した磁電変換装置は、
半導体感磁領域を設ζＪたチ・ノブ面と検出物体との距
離によって感度が大きく影響される。従つて、特性を一
様なものとするにはチップ面と検出物体の距離（以下ギ
ヤツブと称す）を正確に管理する必要がある。ほかにも
この装置の検出特性はギヤツブ以外にもバイアス磁石と
チップとの相対的位置関係によっても影響を受けるので
、この位置関係の正確な管理も必要となってくる。
半導体感磁領域を設ζＪたチ・ノブ面と検出物体との距
離によって感度が大きく影響される。従つて、特性を一
様なものとするにはチップ面と検出物体の距離（以下ギ
ヤツブと称す）を正確に管理する必要がある。ほかにも
この装置の検出特性はギヤツブ以外にもバイアス磁石と
チップとの相対的位置関係によっても影響を受けるので
、この位置関係の正確な管理も必要となってくる。
本発明は上記の点に鑑み、磁束発生部と同一方面にある
リード端子と電気的接続をする磁気抵抗素子基板の取り
出し電極との間に、規定の高さの突起形状構造物を介在
させることによって、磁束発生部と基板の位置合わせと
、間隙の幅の管理を正確にできる磁気センサの提供をＬ
ｌ的とするものである。
リード端子と電気的接続をする磁気抵抗素子基板の取り
出し電極との間に、規定の高さの突起形状構造物を介在
させることによって、磁束発生部と基板の位置合わせと
、間隙の幅の管理を正確にできる磁気センサの提供をＬ
ｌ的とするものである。
以下本発明を図に示す実施例について説明する。
１は半導体感磁領域を形成したチップで、絶縁基板上に
櫛形に加工されたＩｎＳｂ半導体薄膜と、短絡電極およ
び取り出し電極より成る。２はチップ１の取り出し電極
と接続され、例えば銅−チタンー銅の多層構造で構成さ
れた突起形状構造物としての半田バンプであり、チップ
１の取り出し電極部に銅のコアを鍍金等の手段で形成し
、その上に半田コーティングが施されている。３はチッ
プ１に磁束を与えるための磁束発生部としてのバイアス
磁石で、チップ１との間隔は、半田バンブ２の銅コアの
高さで決定される。４はバイアス磁石３およびリード端
子５を一体として成形している樹脂のマウントである。
櫛形に加工されたＩｎＳｂ半導体薄膜と、短絡電極およ
び取り出し電極より成る。２はチップ１の取り出し電極
と接続され、例えば銅−チタンー銅の多層構造で構成さ
れた突起形状構造物としての半田バンプであり、チップ
１の取り出し電極部に銅のコアを鍍金等の手段で形成し
、その上に半田コーティングが施されている。３はチッ
プ１に磁束を与えるための磁束発生部としてのバイアス
磁石で、チップ１との間隔は、半田バンブ２の銅コアの
高さで決定される。４はバイアス磁石３およびリード端
子５を一体として成形している樹脂のマウントである。
５は半田バンブ２と半田リフロ一工程をへて固定され、
入力出力を外部へ導くためのリード端子である。６は磁
気センサの外殻となるハウジングで非磁性体材料、例え
ばアルミで作られている。次にＭ ｒｉｂ Ｂとしての
概略的な全体構成図を第２図に示す。７は被検出物体の
歯車で全体を磁性体で構成するかもしくは一部に磁性材
料を塗布して構成する。８はハウジング６の部分でセン
サ本体を収δνＪする。９は回路の収納部である。１０
は取り出しリード線である。
入力出力を外部へ導くためのリード端子である。６は磁
気センサの外殻となるハウジングで非磁性体材料、例え
ばアルミで作られている。次にＭ ｒｉｂ Ｂとしての
概略的な全体構成図を第２図に示す。７は被検出物体の
歯車で全体を磁性体で構成するかもしくは一部に磁性材
料を塗布して構成する。８はハウジング６の部分でセン
サ本体を収δνＪする。９は回路の収納部である。１０
は取り出しリード線である。
次に上記構成においてその作用を説明する。バイアス磁
石３とチップ１の間隙管理の容易性および位置合せの容
易性は以下のようにして達成される。
石３とチップ１の間隙管理の容易性および位置合せの容
易性は以下のようにして達成される。
デツプ１の半導体感磁領域、電極、半田バンプ２を形成
した面を下向きにして、バイアス磁石３とともに樹脂マ
ウント４に一体成形されたリード端子５の上部を対向さ
せる。そののち熱板上で加熱する等の手段で、半田を溶
融させると、その半田の表面張力で、位置決めが行われ
る。同時に半田バンブ２の中にある銅のコアの厚みが、
バイアス磁石３とチップ１との間隙を正確に決定する。
した面を下向きにして、バイアス磁石３とともに樹脂マ
ウント４に一体成形されたリード端子５の上部を対向さ
せる。そののち熱板上で加熱する等の手段で、半田を溶
融させると、その半田の表面張力で、位置決めが行われ
る。同時に半田バンブ２の中にある銅のコアの厚みが、
バイアス磁石３とチップ１との間隙を正確に決定する。
このとき、銅のコアの厚み及びバイアス磁石３上面の樹
脂マウント４からの突出高さを所定の値にしておくこと
で、任意のギャップを作り出ずこが可能である。
脂マウント４からの突出高さを所定の値にしておくこと
で、任意のギャップを作り出ずこが可能である。
また、チップ１は絶縁性基板を用いており、かつ、上述
のように、半導体感磁領域及び電極が形成された面は、
バイアス磁石３に対向しているので、素子はハウジング
６に対して完全に電気的絶縁が保たれた状態にある。従
ってチップ１はハウジング６に対して、密着してもかま
わないが、実施例ではハウジング先端部に絶縁性のゲル
状物質を封入している。しかる後樹脂マウント４の一部
を含めて、全体を樹脂１，１止して位置合せを終了する
。なおハウジング６に対するチップ１の位置合わせは、
リード端子５の位置が、チップ１の取り出し電極の位置
に正確に対応していることから、あらかじめハウジング
６に設けた目印に対して概略の位置合わせを行ってから
樹脂封止がされる。
のように、半導体感磁領域及び電極が形成された面は、
バイアス磁石３に対向しているので、素子はハウジング
６に対して完全に電気的絶縁が保たれた状態にある。従
ってチップ１はハウジング６に対して、密着してもかま
わないが、実施例ではハウジング先端部に絶縁性のゲル
状物質を封入している。しかる後樹脂マウント４の一部
を含めて、全体を樹脂１，１止して位置合せを終了する
。なおハウジング６に対するチップ１の位置合わせは、
リード端子５の位置が、チップ１の取り出し電極の位置
に正確に対応していることから、あらかじめハウジング
６に設けた目印に対して概略の位置合わせを行ってから
樹脂封止がされる。
さらに検出物体７に対し、第２図のような位置関係で磁
気センサの感度が最大となるように微調整後組付は固定
をする。
気センサの感度が最大となるように微調整後組付は固定
をする。
なお、本発明の他の実施例として以下のようなものがあ
る。
る。
半田バンブ２はチップ１の取り出し電極でなくて、リー
ド端子５に設けてもよい。又、半田は突起である半田バ
ンプ２の表面にコーティングせずとも、リード端子５に
付けてあってもよい。
ド端子５に設けてもよい。又、半田は突起である半田バ
ンプ２の表面にコーティングせずとも、リード端子５に
付けてあってもよい。
又本発明の第２実施例として第３図に示すものがある。
すなわちチップ１とハウジング６の位置関係、特に間隙
の管理をより容易にするため、／％ウジング先端部の内
径を小さくし段差６１を設は樹脂マウント４のストッパ
としてもよい。
の管理をより容易にするため、／％ウジング先端部の内
径を小さくし段差６１を設は樹脂マウント４のストッパ
としてもよい。
さらに本発明の第３実施例として第４図に示すものがあ
る。すなわち、チップ１とハウジング６の位置関係、特
に間隙の管理をより容易にするため、ハウジング６と樹
脂マウント４の間に絶縁リング１１を設けてもよい。
る。すなわち、チップ１とハウジング６の位置関係、特
に間隙の管理をより容易にするため、ハウジング６と樹
脂マウント４の間に絶縁リング１１を設けてもよい。
以上述べたように本発明によれば、規定の高さの突起形
状構造物を基板の取り出し電極とリード端子間に介在さ
せることによって、基板と磁束発生部の位置合わせと間
隙管理を正確にしているから、磁気センサの特性を一様
にできるという優れた効果がある。
状構造物を基板の取り出し電極とリード端子間に介在さ
せることによって、基板と磁束発生部の位置合わせと間
隙管理を正確にしているから、磁気センサの特性を一様
にできるという優れた効果がある。
第１図は本発明の第１実施例図、第２図は本発明の第１
実施例の全体構成図、第３図は本発明の第２実施例図、
第４図は本発明の第３実施例図である。 １・・・チップ、２・・・半田バンプ、３・・・バイア
ス磁石、４・・・樹脂マウント１，５・・・リード端子
、６・・・ハウジング。 代理人弁理士 岡 部 隆
実施例の全体構成図、第３図は本発明の第２実施例図、
第４図は本発明の第３実施例図である。 １・・・チップ、２・・・半田バンプ、３・・・バイア
ス磁石、４・・・樹脂マウント１，５・・・リード端子
、６・・・ハウジング。 代理人弁理士 岡 部 隆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁束の影響で抵抗変化を起こす磁気抵抗素子の基板にあ
る取り出し電極と電気的接続をするリード端子と同一方
面に、前記磁気抵抗素子Ｇこ対して磁束を発生ずる磁束
発生部をマウントに一体成形している磁気センサにおい
て、 前記取り出し電極と前記リード端子間りこ（ま規定の高
さにして設けられた突起形状構造物が介在されているこ
とを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199828A JPS6091209A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199828A JPS6091209A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091209A true JPS6091209A (ja) | 1985-05-22 |
Family
ID=16414313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58199828A Pending JPS6091209A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091209A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6392272U (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | ||
| JPH0232280A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサー |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51143312A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS51145304A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of magnetic head |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP58199828A patent/JPS6091209A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51143312A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS51145304A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of magnetic head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6392272U (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | ||
| JPH0232280A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサー |
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