KR890003971B1 - 실리콘 폴리이미드 전구체의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

실리콘 폴리이미드 전구체의 제조방법
제1도는 실시예 2에서 수득한 전구체의 적외선 스팩트럼이다.
본 발명은 실리콘계 폴리이미드 전구체의 제조방법에 관한 것이다.
일본국 특허공보 제(소)43-27439호에는 실리콘계 디아민과 이산 무수물로부터 합성되는 폴리이미드가 기재되어 있다. 그런데, 전자분야에 있어서, 보호재료, 절연재료등의 용도로서는 이와 같은 실리콘계 폴리어미드는 소성 후 도막(途膜)의 강도, 경도 등의 면에서 불충분하다. 한편, 실리콘 웨이퍼등과의 접착성에 있어서 분자내에 실리콘을 함유하는 폴리이미드도 합성되어 있지만, 이는 디아민 성분의 과반량을 방향족 디아민으로 치환하여 실리콘계 디아민을 사용한 폴리이미드이다(미합중국 특허 제3,740,305호, 일본국 공개특허 제(소) 57-143327호). 그런데, 이러한 폴리이미드는 소성후 도막의 강도, 경도 등은 충분하지만, 실콘 웨이퍼 또는 유리등과의 접착성은 아직 충분하다고는 말할 수 없다.
이와같은 현상에 비추어 실리콘 웨이퍼와 유리등에 대해 밀착성이 우수한 동시에 소성후의 강도, 경도등의 면에서도 개량된 도막을 제공하는 화합물 및 이의 제조방법으로 제공함을 본 발명의 주요한 목적으로 한다.
더욱 상세히는 액정배향제, 반도체의 표면보호막, 절연막등에 사용하기 적절한, 적당한 용매에 용해되어 용액으로 될때 작업성이 양호하며 또한 도막형성능이 양호하고, 실리콘 웨이퍼 및 유리등광의 접착성이 우수하고, 도막의 소성후 강도 및 경도가 우수한 실리콘 폴리이미드 전구체 및 이의 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 일반식(1)의 실리콘 폴리이미드 전구체 및 하기 일반식(2)의 테트라 카복실산 2 무수물의 1종 또는 2종 이상의 혼합물 A몰, 일반식(3)의 아민값으로 계산한 분자량으로 수평균 분자량이 400 내지 8,000인 실리콘 디아민 1종 또는 2종 이상의 혼합물 B몰 및 일반식(4)의 아미노실리콘 화합물(여기서, m의 평균은 1.5이상이다) 1종 또는 2종 이상의 혼합물 C몰로 이루어진 혼합물로서, 각 성분의 혼합비를 대개 (5)식이 성립하고, 또한 (6)식이 성립하는 범위로 유지한 혼합물을 반응시켜 수득한 일반식(1)의 실리콘 폴리이미드 전구체를 제조하는 방법을 요지로 한다.
Figure kpo00001
상기식에서, R1은 4가의 탄소환식 방향족기를 나타내고, R2,R3및 R6는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 탄소소 7 내지 12의 알킬치환 페닐기이며, R4및 R5는 동일하거나 상이한-(CH2)5-
Figure kpo00002
Figure kpo00003
(단, 여기서는 S는 1 내지 4의 정수를 나타낸다)이고,
Figure kpo00004
의 평균분자량은 368 내지 7968이며, X는 알콕시기, 아세톡시기, 할로겐 또는 수산기이며, n은 단독으로 1 내지 3의 정수이고, 전구체 전체로서 평균이 1.5이상이고, 1은 1 내지 30의 정수이다.
상기한 R1의 예로는
Figure kpo00005
등을 들 수 있다.
상기한 R2, R3및 R6의 예로는 동일하거나 상이한 -CH3, -C2H5,
Figure kpo00006
등을 들 수 있다.
상기한 R4및 R5의 예로는 동일하거나 상이한 -(CH2)3- 또는
Figure kpo00007
를 들 수 있다.
본 발명에 사용하는 일반식(2)의 테트라카복실산 2무수물의 예로는 다음 화합물을 들 수 있다 :
피로메리트산 2무수물 ; 3, 3', 4' 4'-비페닐테트라 카복실산 2무수물 ; 2, 2',3, 3'-비페닐테트라 카복실산 2무수물 ; 2, 3, 3', 4'-비페닐테트라 카복실산 2무수물 3, 3', 4, 4'-벤조페논 테트라카복실산 2무수물 ; 2, 3, 3', 4'-벤조페논-테트라카복실산 2무수물 ; 2, 2', 3, 3'-벤조페논 테트라-카복실산 2무수물 ; 비스(3, 4-디카복시페닐)-에테르 2무수물 ; 비스(3,4-디카복시페닐)-설폰 2무수물 ; 1, 2, 5, 6-나프탈린테트라 카복실산 2무수물 ; 2, 3, 6, 7-나프탈린 테트라카복실산 2무수물.
일반식 (3)의 디아민의 구체적인 예로는 다음 화합물을 들 수 있다.
Figure kpo00008
이러한 실리콘디아민에서 수평균분자량이 400 내지 8,000인것이 적당하다. (3)식중에서 n은 (3)식의 화합물이 수평균분자량이 이 범위에 들도록 정한다. 수평균 분자량이 400미만인 실리콘 디아민으로부터 본 발명의 방법과 같은 공정으로 합성된 실리콘-이미드 전구체를 함유하는 와니스는 점도가 작고, 도막성이 충분하지 않다. 역으로, 수평균 분자량이 8,000이상인 것은 수득되는 실리콘 폴리이미드 전구체의 용매에 대한 용해성이 낮아져 실용성이 없다.
다음에 일반식(4)의 아미노실리콘 화합물로서는 이의 구체적인 예로서 다음 화합물을 들 수 있다.
NH2-(CH2)3-Si(OCH3)3
NH2-(CH2)3-Si(OC2H5)3
NH2-(CH2)3-Si(CH3)(OCH3)2
NH2-(CH2)3-Si(CH3)(O2CH5)2
NH2-(CH2)3-Si(C2H5)(On-C3H7)2
NH2-(CH2)4-Si(OCH3)3
NH2-(CH2)4-Si(OC2H5)3
NH2-(CH2)4-Si(CH3)(OC2H5)2
Figure kpo00009
NH2-(CH2)4-Si(OC2H5)3
NH2-(CH2)4-Si(CH3)(OC2H5)2
Figure kpo00010
NH2-(CH2)3-Si(CH3)2(OC2H5)
NH2-(CH2)4-Si(CH3)2(OC2H5)
Figure kpo00011
상기한 원료 화합물은 다음에 서술하는 용매중에서 반응시키는 것이 바람직하다. 반응 용매의 구체적인 예를 들면, N-메틸피롤리돈, 디메틸아세트-아미드, 디메틸 포름아미드, 디메틸 설폭사이드, 테트라-메틸우레아, 피리딘, 디메틸설폰, 헥사메틸포스포르-아미드, 메틸포름아미드, N-아세틸-2-피롤리돈, 톨루엔, 크실렌, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디메틸-에테르, 사이클로펜탄 및 사이클로헥사논 등의 1종 또는 2종이상을 들 수 있고, 이들을 30 내지 100중량%함유하는 다른 용매와의 혼합용매로서도 사용할 수 있다.
이어서 반응조건에 대해 설명한다. 상기 일반식(2)의 테트라 카복실산 2무수물은 상기 일반식(2)의 테트라 카복실산 2무수물은 상기 일반식(3)의 실리콘 디아민 및 상기 일반식(4)의 아미노실리콘 화합물과 상기 용매중에서 반응시킨다.
상기한 (5)식에서 나타낸 바와같이, 디아민과 아미노실리콘 화합물중의 아민의 합계는 테트라카복실산 2무수물중의 2무수물과 대략 당량으로 반응시킨다.
여기서 대략이란 A가 (5)식에서 나타낸 양의 ±10%범위내에 있으면 되는 것을 의미한다. 이 경우, 아미노-실리콘 화합물의 첨가량은 상기 일반식(6)에서 나타낸 바와같이 이것과 디아민의 합계 몰수의 10%이상이다.
10% 이하에서는 경도 및 강도가 충분한 도막이 수득되기 어렵다.
상기 일반식(2), (3) 및 (4)의 원료 화합물은 상기 용매에 용해되며, 산무수물과 아민의 반응을 수행하여 상기 일반식(1)의 아미드산 화합물을 합성한다.
반응온도는 0 내지 60℃가 적합하며, 반응시간은 0.2 내지 6시간정도에서 비교적 신속하게 반응은 진행한다.
반응시 원료화합물의 농도는 특별히 제한되어 있지 않지만, 혼합, 교반, 제열 및 경제성들을 고려하면 5 내지 60중량%정도가 현실적이다. 이와같이 합성된 실리콘 폴리이미드 전구체를 함유하는 반응생성액을 전자재료용 도포액으로서 사용하는 경우에는 필요시 고체흡착제 등을 사용하여 이온성 화합물을 제거하고, 또한 미세한 고체불순물을 1μm이하의 필터로 제거하여 사용할 수 있다. 도포액의 농도는 필요로 하는 도막의 두께에 따라 결정되지만, 60%이하가 바람직하고, 0.3 내지 25%범위가 특히 현실적이다. 농도는 전술한 용매 또는 이외의 용매로 희석함으로써 조정할 수 있다.
또한, 본 발명에 따라 수득한 실리콘 폴리이미드 전구체는 이를 전자재료용 도포재로서 사용하는 경우에는 이 도포재중에서 m의 평균이 1.5이상 되도록 하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 실리콘 폴리이미드 전구체의 합성시에 일반식(4)의 화합물중 m이 1인 것을 사용하는 경우에는 m이 2 또는 3인것을 동시에 사용하여 m의 평균이 1.5이상 되도록 하거나, m의 평균이 1.5보다 작은 실리콘 폴리이미드 전구체를 사용하는 경우에는 m의 평균이 1.5보다 큰 실리콘 폴리이미드 전구체도 동시에 전자재료용 도포재중에 존재시켜 전자재료 도포재 전체로서 m의 평균이 1.5이상 되게 한다.
도포액은 통상적인 방법에 따라서, 스핀너 등으로 실리콘 웨이퍼, 유리판등에 균일하게 도포한 다음, 소성시켜 단단한 도막을 형성할 수 있다. 소성조건은 사용하는 용매, 도막의 두께 및 중합체의 종류등에 따라 다소 다르지만, 100 내지 300℃, 1 내지 3시간 정도가 충분하다.
본 발명의 효과는 제조방법에 있어서는 상기 일반식(3)의 실리콘디아민의 분자량을 한정함으로써 도막성이 양호하며 또한 많은 용매에 용해가능한 중합체를 함유하는 전자재료용 도포액을 제공할 수 있다는 점이며, 또한 상기 일반식(4)의 아미노실리콘 화합물을 상기(5)식 및 (6)식의 범위에서 유지시킴으로써 충분히 단단하여 강도가 있는 도막을 제공하는 본 발명의 화합물(1)을 함유하는 도포액을 제공할 수 있게 한 점이다.
본 발명의 전구체를 사용한 전자재료용 도포액은 이를 구성하는 실리콘 폴리이미드 전구체가 분자중에 규소원자를 많이 함유하기 때문에 실리콘웨이퍼, 유리판등에 대해서는 접착성이 우수한 도막을 제공하며 그 실용적 효과는 크다. 또한 본 발명으로 수득한 전구체를 사용한 전자재료용 도포액에는 상기 일반식(4)의 아미노 실리콘 화합물이 중합체 구성성분으로서 존재하기 때문에 이것이 소성시에 분자간의 축합을 일으켜 3차원 구조를 갖는 도막을 형성하여 고분자화된다고 생각된다. 이 때문에 본 발명의 전구체를 사용한 전자재료용 도포액은 본래 유연한 성분인 실록산성분을 많이 함유함에도 불구하고 경도 및 강도가 실용적으로 충분한 도막을 제공한다. 또한, 본 발명의 아미노실리콘 화합물의 다른 효과는 상기 일반식(2) 및 (3)의 화합물만으로 수득한 폴리이미드 전구체에 비하여 보다 저온이며 단시간에 이미드화가 가능하다는 점이다.
전술한 바와같은 본 발명의 전구체 용액의 많은 특징은 액정배향제, 반도체의 표면보호막, 유리필터의 표면보호막, 다층배선층간 절연막등의 전자재료용 도포액으로서 완전히 바람직한 적성이라 할 수 있다.
[실시예 1]
교반장치, 적하로드, 온도계 및 질소치환장치가 부착된 1l짜리 플라스크를 빙수속에 고정시킨다.
플라스크의 안을 질소가스로 치환한후, 탈수정제한 500 ml의 사이클로헥사논, 27.544g(0.124몰)의 3-아미노프로필트리에톡시실란 및 63.446g(0.662몰)의 수평균분자량이 1,020인 양말단 (3-아미노프로필), 폴리디메틸실록산을 투입하고, 계속 교반하여 용해시킨다. 27.125g(0.124몰)의 분말상 피로메리트산 2무수물을 적하로드에 투입하고, 이로부터 서서히 30분간에 걸쳐서 상기 플라스크내에 투입하여 반응시킨다.
이때 반응온도는 5 내지 10℃이다. 또한, 이 온도에서 2시간동안 반응시킨다. 그후 승온시켜 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시킨다. 25℃에서의 회전점도가 27Cemtipoise이고 담황색의 투명색인 본 발명의 실리콘 폴리이미드 전구체를 수득한다.
[비교예 1]
4.295g(0.0194몰)의 3-아미노프로필 트리에톡시-실란과 109.599g(0.00970몰)수평균 분자량이 11,300인 양말단(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산을 500ml의 사이클로헥사논에 혼합용해시키고, 반응액을 5 내지 10℃에서 유지하면서 4.231g(0.0194몰)의 피로메리트산 2무수물을 30분간 첨가하고, 이 온도에서 2시간동안, 그후 승온하여 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 그러나, 플라스크내에는 고무상의 중합체가 석출되며, 균일용액은 수득되지 않는다.
이예에 의해 원료인 일반식(3)성분의 분자량이 8000보다 큰것을 사용하면 용매불용성의 중합체가 생성되는 것이 명백하다.
[비교예 2]
24.200g(0.109몰)의 3-아미노프로필 트리에톡시-실란 및 40.743g(0.164몰)의 1,3-비스(3-아미노프로필)1, 1, 3, 3-테트라메틸디실고산(분자량 : 248)을 500ml의 부틸셀로솔브에 용해시키고, 반응액을 5 내지 10℃로 유지하면서 47.682g(0.129몰)의 피로메리트산 2무수물을 30분간 첨가하고, 이 온도에서 2시간 동안, 그후 승온하여 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 25℃에서의 회전점도가 10Centipoise인 담황색의 투명액을 수득한다.
이 예에 의하여 원료인 일반식(3) 성분의 분자량이 400보다 작은 것을 사용하면 회전점도가 너무 작은(도막성이 나쁘다)중합체가 생성되는 것이 명백하다.
[실시예 2]
15.78g(0.0713몰)의 3-아미오프로필 트리에톡시실란 및 65.751g(0.107몰)의 수평균분자량이 615인 양말단(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산을 500ml의 부틸-셀로솔브에 용해시키고, 반응액을 3 내지 8℃로 유지하면서 31.094g(0.143)의 피로메리트산 2무수물을 40분간 첨가하고, 이 온도에서 4시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 25℃에서의 회전점도가 25Centipoise인 담황색의 투명액을 수득한다. 본 예로 수득한 전구체의 적외선 흡수 스팩트럼(KBr)을 제1도에 나타낸다.
[실시예 3]
13.560g(0.063몰)의 p-아미노페닐트리-메톡시실란 및 39.096g(0,0636몰)의 수평균분자량이 615인 양말단(3-아미노프로필) 폴리디메틸실록산을 500ml의 사이클로헥사논에 용해시키고, 반응액을 10 내지 15℃로 유지하면서 30.727g(0.0954몰)의 벤조페논-테트라 카복실산 2무수물을 30분간 첨가하고, 이 온도에서 1시간동안, 또한 45 내지 50℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시켜 균일액을 수득한다. 이 담황색의 투명액은 25℃에서 회전점도가 22Centipoise이다.
[실시예 4]
36.862g(0.166몰)의 3-아미노프로필 트리에톡시-실란 및 51.197g(0,0832몰)의 수평균분자량이 615인 양말단(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산을 250ml의 N-메틸-2-피롤리돈 및 250ml의 메틸셀로솔브로 이루어진 혼합용매에 용해시키고, 반응액을 3 내지 8℃로 유지하면서 36.316g(0.166몰)의 피로메리트산 2무수물을 30분간 첨가하고, 이 온도에서 2시간동안, 또한 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 25℃에서의 회전점도가 18Centipoise인 담황색의 투명액을 수득한다.
[비교예 3]
64.809g(0.105몰)의 수평균분자량이 615인 양말단(3-아미노프로필) 폴리디메틸실록산을 250ml의 N-메틸-2-필로리돈과 250ml의 메틸셀로솔브로 이루어진 혼합용매에 용해시키고, 반응액을 3 내지 8℃로 유지하면서 22.986g(0.105몰)의 피로메리트산 2무수물을 30분간 첨가하고, 이 온도에서 2시간동안, 또한 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 25℃에서 회전점도가 19Centipoise인 담황색의 투명액을 수득한다.
[실시예 5]
6.063g(0.0317몰)의 3-아미노프로필 메틸디엑톡시-실란 및 66.527g(0,0158몰)의 수평균분자량이 4,200인 양말단(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산을 500ml의 부틸셀로솔브에 용해시키고, 반응액을 3 내지 8℃로 유지하면서 6.910g(0.0317몰)의 피로메리트산 2무수물을 10분간 첨가하고, 이 온도에서 2시간동안, 또한 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 25℃에서 회전점도가 36Centipoise인 담황색 투명액을 수득한다.
[실시예 6]
5.632g(0.0314몰)의 3-아미노프로필 트리에톡시실란 및 38.660g(0.0629몰)의 수평균분자량이 615인 양말단(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산을 500ml의 부틸셀로솔브에 용해시키고, 반응액을 3 내지 8℃로 유지하면서 17.139g(0.0786몰)의 피로메리트산 2무수물을 20분간 첨가하고, 이 온도에서 2시간동안, 또한 25 내지 30℃에서 1시간 동안 반응시키는 이외에는 실시예 1과 동일한 장치 및 방법으로 반응시킨다. 25℃에서 회전점도가 30Centipoise인 담황색 투명액을 수득한다.
[참고예 1]
다음과 같은 도포시험을 한다.
실시예 및 비교예에서 수득한 반응생성물을 1μm의 필터로 여과한 후, 스핀너로 유리판상에 도포하고, 또한 150℃ 내지 250℃에서 2시간 동안 소성시켜 도막의 상황을 관찰한 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure kpo00012
주) 상기 표에서 ○, △ 및 ×는 다음과 같다.
○ : 강도가 충분하고 균일한 도막을 형성하며, 유리에 대한 접착은 견고하다.
△ : 균일한 도막은 형성되지만, 단단하지 않아 흠이 생기기 쉽다.
× : 균일한 도막을 형성하지 않는다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식(2)의 테트라카복실산 2무수물 1종 또는 2종 이상의 혼합물 A몰, 일반식(3)으로 나타나며 아민값으로 계산한 분자량으로 수평균분자량이 400 내지 8000인 실리콘 디아민 1종 또는 2종 이상의 혼합물 B몰, 및 일반식(4)의 아미노실리콘 화합물 1종 도는 2종 이상의 혼합물이며 m의 평균이 1.5이상인 것 C몰로 이루어진 혼합물로서, 각 성분의 혼합비를 대략 (5)식이 성립하고 또한 (6)식이 성립하는 범위로 유지한 혼합물을 반응시킴을 특징으로 하여 하기일반식(1)의 실리콘 폴리이미드 전구체를 제조하는 방법.
    Figure kpo00013
    상기식에서, R1은 4가의 탄소환식 방향족기를 나타내고, R2, R3및 R6은 동일하거나 상이한, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 탄소수 7 내지 12의 알킬차환 페닐기이며, R4및 R5는 동일하거나 상이한
    Figure kpo00014
    (단, 여기서 S 는 1 내지 4의 정수를 나타낸다)이며,
    Figure kpo00015
    의 평균분자량은 368 내지 7968이고, X는 알콕시기, 아세톡시기, 할로겐 또는 수산기이며, m은 단독으로 1 내지 3의 정수이며, l은 1 내지 30의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, R1이
    Figure kpo00016
    또는
    Figure kpo00017
    인 방법.
  3. 제1항에 있어서, R2, R3및 R6는 일하거나 상이한 -CH3, -C2H5또는
    Figure kpo00018
    중에서 선택되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, R4및 R5가 동일하거나 상이한 -(CH2)3- 또는 |
    Figure kpo00019
    인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 용매의 존재하에 반응을 수행하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 언급한 반응에서 원료화합물의 농도를 5 내지 60중량%로 하는 방법.
  7. 제1 내지 6항중 어느 한항에 있어서, 0 내지 60℃에서 반응을 수행하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 0.2 내지 6시간 동안 반응을 수행하는 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4558110A (en) * 1985-02-01 1985-12-10 General Electric Company Crystalline silicone-imide copolymers
JPH0617474B2 (ja) * 1985-05-31 1994-03-09 チッソ株式会社 高接着性シリコン含有ポリアミド酸の製造法
JPH0819234B2 (ja) * 1987-06-29 1996-02-28 チッソ株式会社 低熱膨脹性かつ高接着性のシリコン含有ポリイミド前駆体の製造法
US5063115A (en) * 1987-08-21 1991-11-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device coated with a polyimide coating composition
EP0316154B1 (en) * 1987-11-10 1995-02-08 Chisso Corporation Silicon-containing polyimide precursor, cured product therefrom, and preparation thereof
SE467825B (sv) * 1991-01-22 1992-09-21 Neste Oy Saett att vid plastmaterial eliminera luktande/smakande aemnen
US6224976B1 (en) 1996-08-14 2001-05-01 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive transparent resin and a composite including the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL130570C (ko) * 1963-12-12
US3325450A (en) * 1965-05-12 1967-06-13 Gen Electric Polysiloxaneimides and their production
US3740305A (en) * 1971-10-01 1973-06-19 Gen Electric Composite materials bonded with siloxane containing polyimides
US4088670A (en) * 1974-10-01 1978-05-09 Rhone-Poulenc Industries Ethylenic silicon compounds and thermoplastic elastomers obtained therefrom
CH632766A5 (de) * 1977-09-09 1982-10-29 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von siliciummodifizierten bis-phthalsaeurederivaten.
JPS5952898B2 (ja) * 1980-05-10 1984-12-21 日東電工株式会社 ポリイミド前駆体の製造方法
JPS581685B2 (ja) * 1980-08-27 1983-01-12 日立化成工業株式会社 シロキサン結合を含むポリアミド酸及びシロキサン結合とイソインドロキナゾリンジオン環を有するポリイミドの製造法
JPS5813087B2 (ja) * 1981-02-27 1983-03-11 日東電工株式会社 シロキサン変性ポリイミド前駆体の製造方法
JPS57168943A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Coating liquid for thin film formation

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