KR880001684A - 수소화갈륨-드리알킬아민 부가물, 및 iii-v 화합물 필름의 사용방법 - Google Patents

수소화갈륨-드리알킬아민 부가물, 및 iii-v 화합물 필름의 사용방법 Download PDF

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KR880001684A
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에이.맬라스 안드레이스
노베르트.브라나겔
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제랄드 케이.화이트
모르톤 티오콜,인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

수소화갈륨-드리알킬아민 부가물, 및 Ⅲ-Ⅴ 화합물 필름의 사용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. H3GaNR3의 일반식을 갖는 화합물 : 상기식에서, R은 각각 2 내지 4의 탄소수를 갖는 알킬로부터 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 R은 에틸인 것을 특징으로 하는 부가물.
  3. 하기 A,B,C의단계들로 구성하는 것을 특징으로 하는 기질에 질화갈륨 필름을 침전시키는 방법 : A. 원료 화합무로서 H3GaNR3(R은 각각 1 내지 약 4개의 탄소수를 갖는 알킬에서 선택됨)의 일반식을 갖는 부가물을 선택하는 단계 : B. 상기 원료화합물을 상기 기질을 함유하는 침전실에 이송한느 단계 : 및 C. 상기 침전실의 상기 원료화합물을 침전시켜 상기 기질에 질화갈륨을 침전시키는 단계.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이송단계는 질소로 구성되는 캐리어개스의 스트림(stream)에 상기 원료화합물을 비말(飛沫) 시킴으로서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 개스는 또한 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 캐리어 개스는 주로 약 90%의 질소와 약 10%의 수소로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 침전실은 약 300℃ 내지 1000℃의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 기질은 실리콘, 비화갈륨, 및 인화인듐에선 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 하기 A,B,C,D의 단계로 구성하는 것을 특징으로 하는 기질에 갈륨-V족 필름을 침전시키는 방법 : A. 갈륨 원료화합물로서 H3GaNR3(R은 각각 1 내지 약 4개의 탄소수를 갖는 알킬에서 선택됨)의 일반식을 갖는 부가물을 선택하는 단계 : B. V족 원료화합물은 선택하는 단계 : C. 상기 갈륨 원료화합물 및 상기 V족 원료화합물을 상기 기질을 함유하는 침전실로 이송하는 단계 : 및 D. 상기 갈륨원료 화합물 및 상기 V족 원료화합물을 상기 침전실에서 침전시키고 반응시켜 상기 기질에 갈륨-V족 화합물을 침전시키는 단계.
  10. 제9항에 있어서, 상기 V족 원료화합물은 포스핀이며 상기 갈륨-V족 필름은 인화갈륨인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 V족 원료화합물은 아르신이며 상기 갈륨-V족 필름은 인화갈륨인 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870006793A 1986-07-01 1987-07-01 수소화갈륨-드리알킬아민 부가물, 및 iii-v 화합물 필름의 사용방법 KR880001684A (ko)

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