KR900001874A - 아르신, 안티모니 및 포스핀 치환물 - Google Patents

아르신, 안티모니 및 포스핀 치환물 Download PDF

Info

Publication number
KR900001874A
KR900001874A KR1019890010590A KR890010590A KR900001874A KR 900001874 A KR900001874 A KR 900001874A KR 1019890010590 A KR1019890010590 A KR 1019890010590A KR 890010590 A KR890010590 A KR 890010590A KR 900001874 A KR900001874 A KR 900001874A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organometallic
group
compounds
general formula
source
Prior art date
Application number
KR1019890010590A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920002010B1 (ko
Inventor
아서 보링 데이비드
토마스 무어 그레고리
알렌 로버츠 데이비드
Original Assignee
윌리암 에프 마쉬
에어프로덕츠 앤드 케미칼스 인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리암 에프 마쉬, 에어프로덕츠 앤드 케미칼스 인코오포레이티드 filed Critical 윌리암 에프 마쉬
Publication of KR900001874A publication Critical patent/KR900001874A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920002010B1 publication Critical patent/KR920002010B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/28—Deposition of only one other non-metal element
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/11—Metal-organic CVD, ruehrwein type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S252/00—Compositions
    • Y10S252/95—Doping agent source material
    • Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

아르신, 안티모니 및 포스핀 치환물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (66)

  1. 비소, 인 또는 안티모니를 함유하는 유기금속 반응물을 사용하여 VA족 금속을 기판에 반응증착시키는 방법에 있어서 상기 유기금속 반응물이 적어도 부분적으로 플루오르화되어 향상된 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : MR1R2R3상기식에서 M=As, P 또는 Sb이고, R1및 R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소이거나 적어도 하나가 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  3. 제2항에 있어서, 상기 유기라디칼이 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 수치를 가지고, y≤2이다.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5 및 y≤2이다.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 트리스-트리플루오로메틸 비소인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 트리스-트리플루오로메틸인인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 트리스-트리플루오로메틸 안티모니인 방법.
  10. 반응물중 하나가 비소, 인 또는 안티모니를 함유하는 유기금속 반응물인 적어도 2개의 반응물을 사용하여 VA족 금속을 함유하는 반도체 물질을 유기금속 증기상 적층 결정성(epitaxial)증착하는 방법에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 적어도 부분적으로 플루오르화되어 향상된 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택된 방법 : MR1R2R3상기식에서 M=As, P 또는 Sb이고, R1및 R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소이거나 적어도 하나가 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기라디칼이 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 수치를 가지고, y≤2이다.
  14. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5 및 y≤2이다.
  15. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  16. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 트리스-트리플루오로메틸 비소인 방법.
  17. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 트리스-트리플루오로메틸인인 방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 트리스-트리플루오로메틸 안티모니인 방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 제2의 반응물이 트리알킬갈륨, 트리알킬인듐, 트리알킬 알루미늄 및 그것들의 혼합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제2의 반응물이 트리메틸갈륨, 트리메틸인듐, 트리메틸알루미늄 및 그것들의 혼합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 수득한 적층 결정성 반도체 물질이 AlGaAS, InGaAs, InP, GaAs, InSb, InGaAsP, GaAsP, InAsP 또는 AlGaP로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  22. 비소, 인 또는 안티모니를 함유하는 유기금속첨가물 공급원(Source)를 사용하여 VA족 금속으로 실리콘 이산화물 주성분의 유리 또는 보로실리케이트 주성분의 유리에 도핑시키는 방법에 있어서, 상기 유기금속첨가물이 적어도 부분적으로 플루오르화되어 향상시킨 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : MR1R2R3상기식에서 M=As, P 또는 Sb이고, R1및 R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소이거나 적어도 하나가 적어도 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  24. 제23항에 있어서, 상기 유기라디칼이 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 수치를 가지고, y≤2이다.
  26. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5 및 y≤2이다.
  27. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  28. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 트리스-트리플루오로메틸 비소인 방법.
  29. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 트리스-트리플루오로메틸인 방법.
  30. 제22항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 트리스-트리플루오로메틸안티모니인 방법.
  31. 비소, 인 또는 안티모니를 함유하는 유기금속 첨가물 공급원을 사용하여 VA족금속을 실리콘 적층성장성 또는 다중 결정성 물질에 n-형 도핑시키는 방법에 있어서, 상기 유기금속 첨가물이 적어도 부분적으로 플루오르화되어 향상된 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : MR1R2R3상기식에서 M=As, P 또는 Sb이고, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 수소이거나 적어도 하나가 적어도 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  33. 제32항에 있어서, 상기 유기라디칼이 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  34. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 수치를 가지고, y≤2이다.
  35. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5 및 y≤2이다.
  36. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 반응물이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  37. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 트리스-트리플루오로메틸 비소인 방법.
  38. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 트리스-트리플루오로메틸인 방법.
  39. 제31항에 있어서, 상기 유기금속 첨가물 공급원이 트리스-트리플루오로메틸안티모니인 방법.
  40. 비소, 인 또는 안티모니를 함유하는 유기금속이온 공급원을 사용하여 VA족 금속을 반도체 기판에 이온주입시키는 방법에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 적어도 부분적으로 플루오르화되어 향상된 방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : MR1R2R3상기식에서 M=As, P 또는 Sb이고, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 수소이거나 적어도 하나가 적어도 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  42. 제41항에 있어서, 상기 유기라디칼이 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법.
  43. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 수치를 가지고, y≤2이다.
  44. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5 및 y≤2이다.
  45. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 하기 일반식을 가지는 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  46. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 트리스-트리플루오로메틸비소인 방법.
  47. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 트리스-트리플루오로메틸인인 방법.
  48. 제40항에 있어서, 상기 유기금속 이온공급원이 트리스-트리플루오로메틸 안티모니인 방법.
  49. VA족 금속을 증기유기금속공급원으로부터 전자물질기판에 확산시켜서 확산된 금속을 기판과 반응시키는 방법에 있어서, 적어도 부분적으로 플루오르화된 유기금속 공급원을 사용하여 향상시킨 방법.
  50. 제49항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군으로부터 선택되는 방법 : MR1R2R3상기식에서 M=As, P 또는 Sb이고, R1, R2, R3는 각각 독립적으로 수소이거나 적어도 하나는 적어도 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  51. 제50항에 있어서, 상기 유기라디칼이 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군에서 선택되는 방법.
  52. 제49항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군에서 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 수치를 가지고, y≤2이다.
  53. 제49항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 하기 일반식의 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5 및 y≤2이다.
  54. 제49항에 있어서, 상기 유기금속 공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군에서 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  55. 제49항에 있어서, 상기 유기금속 공급원이 트리스-트리플루오로메틸비소인 방법.
  56. 제49항에 있어서, 상기 유기금속 공급원이 트리스-트리플루오로메틸인인 방법.
  57. 제49항에 있어서, 상기 유기금속 공급원이 트리스-트리플루오로메틸안티모니인 방법.
  58. VA족 유기금속공급원을 이용하여 VA족 금속을 전자물질기판에 증착 및 반응시키기 위한 화학적 빔적층 성장방법에 있어서, 적어도 부분적으로 플루오르화된 VA족 유기금속공급원을 사용하여 향상시킨 방법.
  59. 제58항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군에서 선택되는 방법 : MR1R2R3식중 M=As, P 또는 Sb이고, R1, R2, R3는 각각 수소이거나 적어도 하나의 적어도 부분적으로 플루오르화된 유기라디칼이다.
  60. 제59항에 있어서, 상기 유기라디칼의 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐 또는 아레닐로 구성되는 일군에서 선택되는 방법.
  61. 제58항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군에서 선택되는 방법 : M(CnH[(2n+1)-x]Fx)3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5x는 1≤x≤2n+1의 값을 가지며, y≤2이다.
  62. 제58항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군에서 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3-yHy상기식에서, M=As, P 또는 Sb, n=1-5이고, y≤2이다.
  63. 제58항에 있어서, 상기 유기금속 공급원이 하기 일반식의 화합물로 구성되는 일군에서 선택되는 방법 : M(CnH(2+1))3상기식에서, M=As, P 또는 Sb이고 n=1-5이다.
  64. 제58항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 트리스-플루오로메틸비소인 방법.
  65. 제58항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 트리스-플루오로메틸인인 방법.
  66. 제58항에 있어서, 상기 유기금속공급원이 트리스-플루오로메틸안티모니인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010590A 1988-07-25 1989-07-25 아르신, 안티모니 및 포스핀 대체물의 증착방법 KR920002010B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US224089 1988-07-25
US07/224,089 US4904616A (en) 1988-07-25 1988-07-25 Method of depositing arsine, antimony and phosphine substitutes
US224,089 1988-07-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900001874A true KR900001874A (ko) 1990-02-27
KR920002010B1 KR920002010B1 (ko) 1992-03-09

Family

ID=22839239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890010590A KR920002010B1 (ko) 1988-07-25 1989-07-25 아르신, 안티모니 및 포스핀 대체물의 증착방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4904616A (ko)
EP (1) EP0352607A3 (ko)
JP (1) JPH0280572A (ko)
KR (1) KR920002010B1 (ko)
DK (1) DK364289A (ko)
IL (1) IL91032A0 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3631469A1 (de) * 1986-09-16 1988-03-17 Merck Patent Gmbh Metallorganische verbindungen
US5141569A (en) * 1988-12-22 1992-08-25 Ford Microelectronics Growth of P type Group III-V compound semiconductor on Group IV semiconductor substrate
EP0403293B1 (en) * 1989-06-16 1995-12-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing III-V group compound semiconductor device
US5106766A (en) * 1989-07-11 1992-04-21 At&T Bell Laboratories Method of making a semiconductor device that comprises p-type III-V semiconductor material
US4999223A (en) * 1990-02-22 1991-03-12 Cvd Incorporated Chemical vapor deposition and chemicals with diarsines and polyarsines
US5124278A (en) * 1990-09-21 1992-06-23 Air Products And Chemicals, Inc. Amino replacements for arsine, antimony and phosphine
US5202283A (en) * 1991-02-19 1993-04-13 Rockwell International Corporation Technique for doping MOCVD grown crystalline materials using free radical transport of the dopant species
US5153147A (en) * 1991-02-27 1992-10-06 At&T Bell Laboratories Selective growth of inp in device fabrication
US5073507A (en) * 1991-03-04 1991-12-17 Motorola, Inc. Producing a plasma containing beryllium and beryllium fluoride
US5242859A (en) * 1992-07-14 1993-09-07 International Business Machines Corporation Highly doped semiconductor material and method of fabrication thereof
US5326425A (en) * 1993-01-28 1994-07-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Preparation of tertiarybutyldimethylantimony and use thereof
US5382542A (en) * 1993-07-26 1995-01-17 Hughes Aircraft Company Method of growth of II-VI materials on silicon using As passivation
JP3230029B2 (ja) * 1994-05-30 2001-11-19 富士通株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶成長方法
US5599735A (en) * 1994-08-01 1997-02-04 Texas Instruments Incorporated Method for doped shallow junction formation using direct gas-phase doping
US5489550A (en) * 1994-08-09 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Gas-phase doping method using germanium-containing additive
JP2842292B2 (ja) * 1994-09-16 1998-12-24 日本電気株式会社 半導体光集積装置および製造方法
US5641707A (en) * 1994-10-31 1997-06-24 Texas Instruments Incorporated Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus
US5972743A (en) * 1996-12-03 1999-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same
GB9726191D0 (en) * 1997-12-11 1998-02-11 Philips Electronics Nv Ion implantation process
EP1700363B1 (de) * 2003-11-25 2010-07-07 Philipps Universität Marburg Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtenfolgen für optisch gepumpte Halbleitervorrichtungen
US7667063B2 (en) * 2005-03-23 2010-02-23 Nichia Corporation Method for producing trialkyl gallium
US7285673B2 (en) * 2005-06-27 2007-10-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for fluoro derivative-substituted aryl pnictogens and their oxides
JP5649157B2 (ja) * 2009-08-01 2015-01-07 住友電気工業株式会社 半導体素子およびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL88584C (ko) * 1950-01-31
US2842466A (en) * 1954-06-15 1958-07-08 Gen Electric Method of making p-nu junction semiconductor unit
US2787564A (en) * 1954-10-28 1957-04-02 Bell Telephone Labor Inc Forming semiconductive devices by ionic bombardment
GB928207A (en) * 1960-01-26 1963-06-12 Ici Ltd New halogen-containing trisubstituted phosphines
JPS5412792A (en) * 1977-06-29 1979-01-30 Yanagimoto Seisakusho Co Ltd Method and apparatus for so2 concentration measurement using fluorescent analysis
US4147571A (en) * 1977-07-11 1979-04-03 Hewlett-Packard Company Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system
US4734514A (en) * 1984-10-25 1988-03-29 Morton Thiokol, Inc. Hydrocarbon-substituted analogs of phosphine and arsine, particularly for metal organic chemical vapor deposition
GB8515814D0 (en) * 1985-06-21 1985-07-24 British Telecomm Fabrication of optical waveguides
US4800173A (en) * 1986-02-20 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing Si or Ge epitaxial film using fluorine oxidant
US4721683A (en) * 1987-05-21 1988-01-26 American Cyanamid Company Use of alkylphosphines and alkylarsines in ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
KR920002010B1 (ko) 1992-03-09
JPH0280572A (ja) 1990-03-20
DK364289A (da) 1990-01-26
IL91032A0 (en) 1990-02-09
EP0352607A3 (en) 1990-11-14
EP0352607A2 (en) 1990-01-31
US4904616A (en) 1990-02-27
DK364289D0 (da) 1989-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900001874A (ko) 아르신, 안티모니 및 포스핀 치환물
US5082798A (en) Crystal growth method
US5124278A (en) Amino replacements for arsine, antimony and phosphine
US4880492A (en) Organometallic compounds
KR860700072A (ko) 단결정 실리콘 기판과 단결정 막의 합성물 및 그 형성방법
KR920701514A (ko) 가스상으로부터 박층 필름을 증착시키기 위한 유기금속 화합물의 용도
KR970010591B1 (ko) 유기금속성 화합물
US4988640A (en) Method of doping and implanting using arsine, antimony, and phosphine substitutes
EP0148357B1 (en) A metal organic chemical vapour deposition process for depositing silicon doped intermetallic semiconductor compounds
Kuech et al. Doping and dopant behavior in (Al, Ga) As grown by metalorganic vapor phase epitaxy
US3836408A (en) Production of epitaxial films of semiconductor compound material
GB2162862A (en) Process for forming monocrystalline thin film of compound semiconductor
KR880001684A (ko) 수소화갈륨-드리알킬아민 부가물, 및 iii-v 화합물 필름의 사용방법
EP0362952B1 (en) Method of manufacturing an epitaxial indium phosphide layer on a substrate surface
KR0144860B1 (ko) 환식 유기 금속 화합물
KR900006120B1 (ko) 도우펀트 운반 화합물로서 디에틸베릴륨을 사용하는 반도체 재료층의 에피택셜 증착방법
US3179541A (en) Vapor growth with smooth surfaces by introducing cadmium into the semiconductor material
Yoshida et al. Thermodynamic Comparison of InGaAsP Vapor Phase Epitaxy by Chloride, Hydride, and Metalorganic‐Chloride Methods
JPH09171966A (ja) 化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法、有機金属分子線エピタキシャル成長方法、ガスソース分子線エピタキシャル成長方法、有機金属化学気相堆積方法および分子線エピタキシャル成長方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス
US5064778A (en) Vapor-phase epitaxial growth method
KR900006121B1 (ko) 도우펀트 운반 화합물로서 테트라메틸주석을 사용하는 반도체 재료층의 에피택셜 증착방법
CA1322935C (en) Branched monoalkyl group v a compounds as mocvd element sources
US5120676A (en) Use of phosphine and arsine compounds in chemical vapor deposition and chemical doping
KR900016230A (ko) 유기금속 화합물
Kim et al. Lateral growth rate control of GaAs on patterned substrates by CCl4 and CBr4 during MOCVD

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee